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常用电子元器件的收集姓名:周乐乐 学号：P20914034 专业：09通信工程一、电阻器电阻器是既能导电又有确定电阻数值的元件。它主要用于控制和调节电路中的电流和电压（限流，分流，降压，分压，偏置等），或者作消耗电能的负载电阻没有极性，在电路中它的两根引脚可以交换连接。主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-级、10%-级、20%-级3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为5570的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。6、温度系数：温度每变化1所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 电阻器阻值标示方法：1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为20%。2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号 文字符号 D F G J K M 允许偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20%3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-5%、银-10%、无色-20%当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最后一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。电阻器可以分为以下几类：1、固定电阻碳膜电阻器碳膜电阻器是用有机粘合剂将碳墨、石墨和填充料配成悬浮液涂覆于绝缘基体上，经加热聚合而成。气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。通常碳膜电阻器的阻值误差是5%，阻值范围为110M。额定功率有0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、5W、10W等。碳膜电阻器常用符号RT作标志，R代表电阻器，T代表材料是碳膜，例如，一只电子枪外壳上标有RT47kI的字样，就表示这是一只阻值为47k。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数低，是用于一般用途、价格便宜的电阻器，应用最广泛.金属膜电阻器金属膜电阻器是用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面制成。它比碳膜电阻器的精度高、稳定性好、噪音小、温度系数小。被用于模拟电路中，在仪器仪表及通信设备中也被大量采用。金属膜电阻器的阻值误差可以精确到0.05%,但在业余机器人制作电路中，电阻器的误差大约1%就够了。2、可变电阻器可变电阻器阻值可以按照需要在它的标称范围内改变。它是靠可动触点在电阻体上的滑动，来取得与电刷位移成一定关系的电阻值变化。它在交直流电路中用来调节电压电流。以RP为标志，说明它有可调节功能。包括电位器和可调电阻器：电位器电位器实际上就是可变电阻器，由于它在电路中的作用是获得与输入电压（外加电压）成一定关系得输出电压，因此称之为电位器。电位器阻值的单位与电阻器相同，基本单位也是欧姆，用符号表示。电位器在电路中用字母R或RP（旧标准用W）表示。电位器由外壳、滑动轴、电阻体和三个引出端组成。电位器可分为：合成碳膜电位器，阻值范围宽，分辨率高，能制成各种类型电位器，寿命长，价格低，型号多，但电流噪音大，非线性大，耐潮性以及阻值稳定性差。用途广泛。有机实芯电位器具有耐热性好，功率大，可靠性好，耐磨性好的优点，缺点是温度系数大，动噪声大，耐潮性较差，制造工艺复杂，阻值精度较差，在小型化，高耐磨性的电子设备以及交直流电路中作调节电压，电流。线绕电位器具有接触电阻小，精度高，温度系数小的特点，但分辨率差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器，变阻器，仪器中调节零点和工作点。金属膜电位器分辨率好，耐高温，温度系数小，动噪声小，平滑性好。可调电阻器它在电路调试时用来精细地调整电路的运行状态。在一般情况下，可调电阻器一旦调试好，就不需要在调节。按可变电阻器轴柄的旋转角度与组织变化关系划分，可变电阻器有指数式，直线式，对数式三种类型。通常使用的是直线式可变电阻器。3、光敏电阻器光敏电阻器制造的典型材料有硫化镉及硒化镉两种。光敏电阻器的沉积膜面积越大，其受光照时的阻值变化也越大，光敏电阻器也就越灵敏。光敏电阻器的文字标注为RL表示它对光线敏感，硫化镉光敏电阻器在电路图中通常标注为CdS。光敏电阻器没有极性，在接入电路时，它的两只引脚可以任意交换连接位置。它可用于光传感器。4、热敏电阻它的阻值根据温度而改变器热敏电阻器是对温度的变化特别敏感的电阻器，它的阻值根据温度而改变，大多数是用半导体材料制成的看，可用于制作温度传感器，它的文字标注是RT。热敏电阻器用途十分广泛。主要的应用方面有:利用电阻-温度特性来测量温度、控制温度和元件、器件、电路的温度补偿；利用非线性特性完成稳压、限幅、开关、过流保护作用；利用不同媒质中热耗散特性的差异测量流量、流速、液面、热导、真空度等；利用热惯性作为时间延迟器。5、压敏电阻器具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零；超过此阈值时，电流值随端电压的压敏电阻器增大而急剧增加。压敏电阻器的非线性伏安特性是由压敏体（或称压敏结）电压降的变化而引起的，所以又称为非线性电阻器。压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。二、电容器1、电容器是由两个金属电极中间夹一层电介质构成，它是一个储能元件。在直流电路中，电容器是相当于断路。它有隔直流，通交流的特性。可以完成滤波旁路级间耦合以及电感线圈组成振荡回路等功能。例如CJX250033 + 10电容器的命令含义：C表示电容器，J表示纸质，X表示小型，250表示额定电压250V，0.33表示标称电容量为0.33v, 最后表示误差。对于电容器的容值常用色标法，例如沿着电容器引线方向，第一、二种色环代表电容量的有效数字，第三种色环表示有效数字后面零的个数，其单位为pF。2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007耐压(V)50 100 200 400 600 800 1000电流(A)均为1A.常用的电容器可分为：1、纸介电容器电极用铝箔或锡箔，绝缘介质是浸腊的纸，相叠后转成圆柱形，外包防潮物质。纸介电容因其比率电容大，电容范围宽，工作电压高，成本低而广泛使用，缺点是稳定性差，损耗大， 只能应用于低频或直流电路，目前已被合成膜电容取代，但在高压纸介电容中还有一席之地。其容量一般为100pF10pF。 2、有机薄膜电容器主要有聚丙烯膜和聚酯膜两种介质的电容器，其特点是寿命长，高频损耗极低，性能稳定，有较高的精度，可用于高频电路中，体积小，容量大，稳定性好。例如CBB22（MKP91） 金属化聚丙烯膜直流电容器。以金属化聚丙烯膜作介质和电极，用阻燃绝缘材料包封单向引出，具有电性能优良、可靠性好、损耗小及良好的自愈性能。用途：本产品广泛使用于仪器、仪表、电视机、收音机及家用电器线路中作直流脉动、脉冲和交流将压用，特别适用于各种类型的节能灯和电子整流器。CBB91 型金属化聚丙烯电容器特点与用途：绝缘带外包裹，环氧树脂灌封，轴向引出。具有高绝缘、低损耗，频率特性好，等效串联电阻低等特点。适用于音响的分频器、功率放大器，及后置补偿电路中，也适用于电子设备的直流交流和脉冲电路中。3、铝电解电容用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，电解电容器具有极性，引脚长的为正极，短的为负极。具有体积小、容量大、损耗大，漏电大，应用于电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等4、钽电解电容钽电解电容器是一种用金属钽（a）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种，在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质的钽电容和非固体电解质的钽电容。其中，固体钽电解电容器用量大，如CA型、CA42型等。钽电解电容器的主要特点是寿命长，损耗小，性能稳定，有较高的精度，可用于高频电路中，体积小，容量大，稳定性好。电容器不仅在军事通讯，航天等领域广泛使用，而且使用范围还在向工业控制，影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。5、云母电容器云母电容是性能优良的高频电容之一，广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。云母电容（CY）：电容量：10p0.1u。额定电压：100V-7kV。主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路。6、瓷介电容以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，放体积小、损耗小、温度系数小，可工作在超高频范围，但耐压较低（一般为60V70V），容量较小（一般为lpF1000pF）。为克服容量小的缺点，现在采用了铁电陶瓷和独石电容。它们的容量分别可达680pF0047pF和001pF一几uF，但其温度系数大、损耗大、容量误差大 。 三、电感器电感器是用漆包线在绝缘骨架上绕制而成的一种能够存储磁场能的电子器件，有时又称电感线圈，在电路中，电感器具有阻流，变压，传送信号等作用。电感线圈选择时主要考虑电感量，品质因数，分布电容，允许偏差及额定电流，具有通直流阻交流的作用。它是利用电磁感应的原原理进行工作的。电感器还有筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等作用。一般用于振荡或滤波等电路对电感器精度要求较高，允许偏差为0.2%0.5%；而用于耦合，高频阻流等线圈的精度要求不高，允许偏差为10%15%。1、固定电感固定电感器的类型分为：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈以及具有磁芯的线圈等。 电感量直接标注在外壳上固定电感器有立式和卧式两种。其电感量一般为0113000 u H。电感量的允许误差用I、II、III即 +5、土10、士20，直接标在电感器上。工作频率为10kHZ200MHZ之间。固定电感器为了减小体积，往往根据电感量和最大直流工作电电流的大小，选用相应直径的导线在磁芯上绕制，然后装入塑料外壳，用环氧树脂封装而成。主要运用在滤波，振荡，延迟等电路中。2、可调电感器这种线圈在高频高阻的情况下产生的电容最小，调节磁芯与线圈的相对位置，可以改变这种线圏的电感量。常用的可调电感线圈有半导体收音机用振荡线圈，电视机用行振荡线圈，中频陷波线圈。3、阻流圈阻流电感线圈在电路中的作用是限制交流电流通过，可以分为高频阻流圈和低频阻流圈。其低频阻流圈又可分为滤波阻流圈和音频阻流圈。高频阻流圈用于阻止高频信号的通过，其特点是电感量小，要求损耗要小，分布电容要小。因此多采用线圈的分段绕制及陶瓷骨架。低频阻流圈用以阻止低频信号的通过。其特点是电感量要比高频阻流圈大得多，多数为几十亨利。多采用硅钢片、铁体、坡莫合金等作为铁心。多用于电源滤波电路、音频电路。4、片式电感器片式电感器亦称表面贴装电感器，它与其它片式元器件（SMC及SMD）一样，是适用于表面贴装技术（SMT）的新一代无引线或短引线微型电子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。片式电感器从制造工艺来分，片式电感器主要有4种类型，即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。用途有贴片电感，插件电感，功率电感。四、二极管定义：二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。 二极管的分类：按制造材料分：硅二极管和锗二极管按管芯结构分：点接触型二极管和面接触型二极管按不同用途分：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等 二极管的主要参数 最大平均整流电流IF（AV）IF（AV）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。它与PN结的面积、材料及散热条件有关。实际应用时，工作电流应小于IF（AV），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。 最高反向工作电压VRMVRM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。实际应用时，当反向电压增加到击穿电压VBR时，二极管可能被击穿损坏，因而，VRM通常取为（1/2 2/3）VBR 。 反向电流IRIR是指二极管未被反向击穿时的反向电流。理论上IR = IR（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上IR稍大一些。IR愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。另外，IR与温度密切相关，使用时应注意。 最高工作频率fMfM是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。fM的大小主要由二极管的电容效应来决定。 正向电压降VF 二极管通过额定电流时，在两极间所产生的电压降（硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右） 反向击穿电压VBR 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的电压值二极管的识别与检测从外观上识别正负极，一般在二极管的本体上会有标示负极。二极管的特性：1、正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱，处于“截止”状态。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右，导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。2、反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 3、 温度特性：二极管对温度很敏感，在室温附近，温度每升高1度，正向压降减小22.5mV， 温度每升高10度，反向电流约增加一倍。4、频率特性：由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。5、PN结的极间电容-PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做“极间电容”（如图所示）。由于电容抗随频率的增高而减小。所以，PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时，极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大，极间电容量越大，影响也约大，这就是面接触型二极管（如整流二极管）和低频三极管不能用于高频工作的原因 1、整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，所以工作频率低。通常，IF在1A以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1A以下的采用全塑料封装由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。选用整流二极管时，主要考虑其最大整流电压，最高反向工作电压，电流，截止频率及反向恢复时间等参数。2、检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。 常用的国产检波二极管有2AP系列锗玻璃封装二极管。常用的进口检波二极管有1N34/A、1N60等。检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。检波电路和半波整流线路 完全相同。因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小， 所以选用点接触二极管。能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。3、稳压二极管稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.利用反向击穿特性将电压钳位在特定电压值上，例如1N4728，N4729等型号稳压值为3.3V，3.6V。稳压管一般用在稳压电源中作为基准电压源使用或用在过电压保护电路作为保护二极管。4、变容二极管变容二极管又称可变电抗二极管。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压的依赖关系及原理制成的二极管。变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线表面封装等多种封装形式。它的特性参数主要有最高反向工作电压VR，反向击穿电压VB，结电容C，结电容变化范围，电容比，Q值。主要用于可变电容器5、开关二极管开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行开、关而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下pn结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10m以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。6、发光二极管发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。 与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点，发光二极管在一些光电控制设备中用作光源，在许多电子设备中用作信号显示器。把它的管心做成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可显示09十个数目字。发光二极管封装为加热固化型环氧树脂封装材料，采用电子级环氧树脂、助剂等材料配合而成。7、光敏二极管光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。五、三极管半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极，能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 三极管的分类：a.按材质分三极管种类有: 硅管、锗管 b.按结构分三极管的种类有: NPN 、 PNPc.按功能分三极管种类有: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等d.按三极管消耗功率的不同三极管的种类有： 小功率管、中功率管和大功率管等是对三极管的简述（1）低频小功率三极管: 低频小功率三极管指特征频率在3MHz以下，功率小于1W的三极管。小信号放大用。（2）高频小功率三极管: 高频小功率三极管指特征频率大于3MHz，功率小于1W的三极管。主要用于高频振荡、放大电路中。（3）低频大功率三极管: 低频大功率三极管指特征频率小于3MHz，功率大于1W的三极管。低频大功率三极管品种比较多，主要应用于电子音响设备的低频功率放大电路种；www.8ttt8.com用于各种大电流输出稳压电源中管。（4） 高频大功率三极管: 高频大功率三极管指特征频率大于3MHz，功率大于1W的三极管。主要用于通信等设备中功率驱动、放大。（5）开关三极管: 开关三极管是控制饱和区和截止区转换二工作的。开关三极管的开关过程的响应时间。开关响应时间的长短表示了三极管开关特性的好坏。（6）差分对管: 差分对管是把两只性能一致的三极管封装在一起的半导体器件。它能以最简单的方式构成性能优良的差分放大器。电子制作中常用的三极管有90XX系列，包括低频小功率管9011（NPN型），9012（PNP型），9013（NPN型），9014（NPN型），9015（PNP型），高频小功率管9018（NPN型）等等。集电极电流Ic稍大的三极管有8550（PNP型）和8050（NPN型），它们的Ic可达1.5A，可以用来驱动小型玩具电动机。全部采用TO-92标准塑料封装。它们的型号都标示在塑料封装外壳的平面上。六、电源稳压芯片LM2930T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2930T-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2931AZ-5.0 5.0V低压差稳压器(TO-92) LM2931T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2931CT 3V to 29V低压差稳压器(TO-220,5PIN) LM2940CT-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2940CT-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2940CT-9.0 9.0V低压差稳压器 LM2940CT-10 10V低压差稳压器 LM2940CT-12 12V低压差稳压器LM2940CT-15 15V低压差稳压器 LM123K 5V稳压器(3A) LM323K 5V稳压器(3A) LM117K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源 LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to 40V稳压器 MC34063 充电控制器 SG3524 脉宽调制开关电源控制器 TL431 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 TL494 脉宽调制开关电源控制器 TL497 频率调制开关电源控制器 TL7705 电池供电/欠压控制器7805 正5V稳压器(1A) 7806 正6V稳压器(1A) 7808 正8V稳压器(1A) 7809 正9V稳压议（1A） 7812 正12V稳压器(1A) 7815 正15V稳压器(1A) 7818 正18V稳压器(1A) 7824 正24V稳压器(1A) 7905 负5V稳压器(1A) 7906 负6V稳压器(1A) 7908 负8V稳压器(1A) 7909 负9V稳压器（1A） 7912 负12V稳压器(1A) 7915 负15V稳压器(1A) 7918 负18V稳压器(1A) 7924 负24V稳压器(178L05 正5V稳压器(100ma) 78L06 正6V稳压器(100ma) 78L08 正8V稳压器(100ma) 78L09 正9V稳压器(100ma) 78L12 正12V稳压器(100ma) 78L15 正15V稳压器(100ma) 78L18 正18V稳压器(100ma) 78L24 正24V稳压器(100ma)七、常用的放大三极管三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数（=IC/IB, 表示变化量。），三极管的放大倍数一般在几十到几百倍。 工作在放大状态，用作放大器。放大区:此时IC=IB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。放大状态 ： uB0，发射结正偏，集电结反偏，iC=iB。ISO106高压，隔离缓冲放大器ISO106同ISO102性能基本相同，主要区别要以下两点：ISO106的连续隔离电压3500；ISO106封装为40引脚DIP组件；主要引脚定义可参看ISO102。LF147/347四JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF147）、5mV（LF347）；温度漂移10V/；偏置电流50pA增益带宽4MHz；转换速率13V/s；噪声20nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流7.2mA。22V电源（LF147）、18V电源（LF347）；差模输入电压38V（LF147）、30V（LF347）；共模输入电压19V（LF147）、15V（LF347）；功耗500mW。LF155/255/355JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF155/355）、3mV（LF255）；温度漂移3V/（LF155/355）、5V/（LF255）；偏置电流30pA增益带宽GB=2.5MHz；转换速率5V/s；噪声20nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流2mA。40V电源（LF155/255）、30V电源（LF355）；共模输入电压20V（LF155/255）、16V（LF355）；输入阻抗1012共模抑制比100dB；电压增益106dB。LF353双JFET输入运算放大器输入失调电压5mV；温度漂移10V/；偏置电流50pA；增益带宽GB=4MHz；转换速率13V/s；噪声16nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流1.8mA。18V电源；差模输入电压30V；共模输入电压15V；功耗500mW。LF441/441A低功耗、JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF441）、300V（LF441A）；温度漂移10V/（LF441）、7A（LF441A）；偏置电流10pA；增益带宽GB=1MHz；转换速率1V/s；噪声35nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流250A（LF441）、200A（LF441A）；18V电源（LF441）、22V（LF441A）；差模输入电压30V（LF441）、38V（LF441A）；共模输入电压15V（LF441）、19V（LF441A）。LF442/442A低功耗、JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF442）、500V（LF442A）；温度漂移7A（LF441A）；偏置电流10pA；增益带宽GB=1MHz；转换速率1V/s；噪声35nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流500A（LF442）、400A（LF442A）；18V电源（LF442）、22V（LF442A）；差模输入电压30V（LF442）、38V（LF442A）；共模输入电压15V（LF441）、19V（LF442A）。LF444/444A四低耗、JFET输入运算放大器输入失调电压3mV（LF444）、2mV（LF444A）；温度漂移10V/；偏置电流10pA；增益带宽GB=1MHz；转换速率1V/s；噪声35nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流800A（LF444）、600A（LF444A）；18V电源（LF444）、22V（LF444A）；差模输入电压30V（LF444）、38V（LF444A）；共模输入电压15V（LF444）、19V（LF444A）。LM378音频放大器单片双功率放大器可接8或16负载，每通道输出功率4W。纹波抑制70dB；通道间隔离75dB，输入阻抗3M，内含限流电路；具有热保护功能。LM382前置放大器工作电压范围9V至40V；等效输入噪声0.8V；开环增益100dB；电源抑制比120dB；单位增益带宽为15MHz；功率带宽为75kHZ，20Vpp；有短路保护功能。LM386音频功率放大器工作电压范围412V或518V；静态电流4mA；电压增益20200；基准接地输入；低失真。LM387/ LM387A前置放大器工作电压范围930V (LM387)或940V(LM387A)；输入噪声为0.8mV (LM387)、0.65mV (LM387A)；开环增益104dB；电源抑制比110dB；输入电压摆幅（VCC-2VP-P）；单位增益带宽为15MHz；功率带宽为75kHZ，20Vpp。LM388音频放大器电压增益20200；可调工作电压范围，最低为4V；基准接地输入；低失真。LM392运算、比较放大器输入失调电压2mV；温度漂移7V/；偏置电流50nA；消耗电流570mA；1.516V电源；可单电源工作；功耗57mW（LM392N）、830mW（LM392H）；A为比较放大器；B为运算放大器。LM4250低功耗、可编程运算放大器输入失调电压3mV；偏置电流7.5nA；增益带宽为GB=200kHz；转换速率200mV/s；消耗电流11A；118V电源；差模输入电压30V；共模输入电压15V；程控电流150A。类型号：NJM4250、CF4250。LM6161/6261/6361 运算放大器工作电压范围4.7532V；转换速率300V/s；电源电流5mA；差分增益小于0.1；相差0.1；输入失调电压5mV；输入偏置电流2A；输入电阻325k；RSRR=CMRR=94dB。LM6162/6262/6362 运算放大器工作电压范围4.7532V；电源电流5mA；差分增益小于0.1；相差0.1；转换速率300V/s；输入失调电压3mV；输入偏置电流2.2A；RSRR=93dB ,CMRR=100dB。LM6164/6264/6364 运算放大器工作电压范围4.7532V；电源电流5mA；差分增益小于0.1；相差0.1；转换速率300V/s；输入失调电压2mV；输入偏置电流2.5mA；RSRR=96dB ,CMRR=105dB；增益带宽175MHz。LM6165/6265/6365 运算放大器工作电压范围4.7532V；转换速率300V/s；增益带宽725MHz。电源电流5mA；差分增益小于0.1；相差0.1；输入失调电压1mV；输入偏置电流2.5mA；PSRR=104dB ,CMRR=102dB。LM6171 电压反馈放大器工作电压范围5.015V；转换速率3600V/s；电源电流2.5mA；输入失调电压1.5mV；开环增益90dB；输入偏置电流1mA；PSRR=95dB ,CMRR=110dB。共模输入电阻40M；差动输入电阻4.9M。LM6172 电压反馈放大器工作电压范围5.015V；单位增益带宽110MHz。转换速率3000V/s；电源电流4.6mA；输出电流50mA/通道；输入失调电压0.4mV；输入偏置电流1.2A；共模输入电阻40M；差动输入电阻4.9M。PSRR=95dB ,CMRR=110dB。LM6181 电流反馈放大器工作电压范围5.015V或7.032V；输出电压10V；转换速率2000V/s；输入失调电压2mV；输入反相偏置电流2A；输入同相偏置电流0.5A；输出电流130mA；电流电流7.5mA；PSRR=80dB ,CMRR=60dB；可替换EL2020、OP160、AD844、LT1223、HA5004。LM6182 电流反馈放大器工作电压范围18V或7.032V；闭环带100MHz；转换速率2000V/s；差分增益0.05；相差0.04；输入电压0V；输入失调电压2mV；输入反相偏置电流2A；输入同相偏置电流0.75A；输出电阻0.2；PSRR=80dB ,CMRR=60dB；同相输入电阻10M。LM709 通用运算放大器输入失调电压600V；温度漂移1.8V/；偏置电流100nA；消耗电流2.3mA；18V电源；差模输出电源5V，共模输出电源10V，类似型号：MC1709、A709、CF709。LM7121 电压反馈放大器或5.036V电源；单位增益带宽175MHz；带宽235MHz；电源电流为5.3mA。转换速率1300V/s；输入失调电压0.9mV；输入偏置电流5.2A；共模输入电阻10M；差模输入电阻3.4M；-PSRR=81dB ,CMRR=93dB； +PSRR=86dB。LM7131 单电源运算放大器工作电压范围2.712V或5.0V；电源电流7.0mA（5.0V时）和6.5mA（3.0V时）；4MHz时谐波失真0.1；增益带宽70MHz；带宽90MHz3dB，输出电流40mA到50负载；输入偏置电流20A；电压增益60dB；PSRR=75dB ,CMRR=70dB.LM7171 电压反馈放大器工作电压范围5.015V；单位增益带宽200MHz；转换速率4100V/s；电源电流6.5mA;开环增益85dB，输出电流100mA；差分增益0.01；相差0.02输入失调电压0.3mV；输入偏置电流3.3A；共模输入电阻40 M；差模输入电阻3.4M；PSRR=90dB ,CMRR=104dB。LM725 高精度运算放大器输入失调电压0.5mV；温度漂移500nV/；偏置电流50pA；噪声2VRMS；消耗电流40A；3.022V电源；差模输入电压5V；共模输入电压22V；调零端与+V间电压为0.5V。类似型号：PM725、RC725、A725、CF725。LT1012低噪声运算放大器输入失调电压8V；温度漂移200V/；偏置电流25A；转换速率200V/s；噪声14nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流380A；20V电源。LT1055高速JFET输入运算放大器输入失调电压50V；温度漂移1.2V/；偏置电流10pA；增益带宽5MHz；转换速率13V/s；噪声14nV/(Hz1/2)(1kHZ)；消耗电流2.8m A；20V电源；差模输入电压40V；共模输入电压20V。MA325高精度运算放大器低漂移；转换速率75V/A；40V电源；功耗500mW。MA326高精度、宽频带运算放大器转换速率66V/s；增益带宽积GB=350MHz；建立时间400s；低噪声；36V电源；差模输入电压5V；功耗300mW。MA327高精度运算放大器增益带宽积GB=30MHz；转换速率15V/s；噪声2.5nV/(Hz1/2)(1kHZ)；温度漂移0.5V/；40V电源。MA332低噪声运算放大器噪声5nV/(Hz1/2)(1kHZ)；失真度0.0002（THD）；45V电源；共模输入电压45V；功耗100mW。MA333JFET输入运算放大器噪声8nV/(Hz1/2)(1kHZ)；转换速率15V/s；增益带宽积GB=3MHz；36V电源。差模输入电压30V；共模输入电压36V；功耗500mW。MA336双JFET输入运算放大器噪声8nV/(Hz1/2)(1kHZ)；转换速率15V/s；增益带宽积GB=3MHz；36V电源。差模输入电压30V；共模输入电压36V。