MOV芯片使用及SPD结构要点.ppt

上传人:xt****7 文档编号:2383001 上传时间:2019-11-22 格式:PPT 页数:12 大小:18.34MB
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资源描述
贵州飞舸电子有限公司 ,MOV芯片使用及SPD结构要点,灌胶注意事项 电极结构设计 芯片的几何尺寸控制 SPD的热脱扣设计 SPD的极间距 SPD连接线路等长对称,SPD灌胶注意事项,为解决压敏防雷芯片低成本灌封问题,2006年我公司特地购买了天津津桥绝缘材料有限公司TXH-1156型环氧灌封料(厂家推荐A、B比例为5:1)进行试验,结果表明:只要比例适当、工艺正确,可以采用国产环氧树脂灌封以降低成本(胶的其它性能用户自行验证)。我公司推荐的灌胶工艺如下: 灌封前先将芯片在100下烘干3060分钟;A、B按照7:1重量比配好充分调匀进行灌胶。注意:若胶开封时间较长,应将胶加热至80100、保温约30min以驱除潮气,冷却后再与固化剂按比例配好调匀使用。灌封后可以将产品平放在60100烘箱中快速固化。 考虑到不同厂家的配方不同,同一厂家也可能调整配方,用户请务必注意减少固化剂比例,一般从厂家推荐比例的1/2左右开始尝试摸索,只要能固化即可,通常固化剂不宜超过厂家推荐比例的2/3。,电极结构设计1,脱扣点设计在芯片的中部 飞舸独创的MOV击穿点中移技术(持续过电压下MOV的击穿点从边缘向中心移动了510mm,见下图)使得:1. 发热量最高的击穿点被铜片覆盖,利于热量被铜片吸收传导;2. 芯片熔穿后的喷火被铜片捂盖住,能有效防止防雷器起火燃烧,保护SPD自身的安全。脱扣点设计在中部缩短了与高热击穿点之间的距离,SPD更易脱扣。,中移的击穿点,边缘的击穿点,为更好地发挥我公司MOV击穿点中移性能,要对原有电极开孔方式进行更改。也就是尽量保证芯片中部被铜电极片盖住。例如:我公司将盾形结构(如图1)开孔方式改为图2所示,这样做能有效地避免图1所示的无铜电极片覆盖处击穿,引起SPD起火。,电极结构设计2,图1:原盾形结构,图2:更改后盾形结构,压敏防雷芯片的生产过程导致尺寸变动的环节较多,例如高温烧结时会产生17%左右的体积收缩,压片密度、含水率等的细微差别就会造成芯片尺寸偏差;后续的包封工艺由于无法控制尺寸变化会进一步地造成尺寸偏差,一般压敏防雷芯片的尺寸公差是0.7(爱普科斯)。在配合客户的产品研发阶段就要强调这一点,以保证易用性。 包封层必须有一定的厚度才能保证电气性能和外观质量,在这一点上不可盲目迁就客户。,芯片的几何尺寸控制,脱扣间距5mm(即热脱离机构能够动作脱离的距离) 工频暂态过电压时,MOV发热熔化脱扣点低温合金焊料,热脱离机构动作,但是由于脱扣间距小、弹簧拉力不足或者外壳摩擦阻碍等,热脱离机构动作后仍有熔化的低温合金相连,不能切断电路,将击穿MOV导致SPD起火燃烧。,SPD热脱扣设计,脱扣间距合适 脱扣间距小,导电体极间距离要足够,芯片电极距离MOV边缘的距离3mm;SPD金属件距离MOV边缘的距离3mm;多个单芯片组合时相异电极间距离3mm或者中间加绝缘板隔离。 电极的引出端离芯片边缘太近, Imax下极易引起闪络,很可能导致压敏电阻边缘引出端处炸裂或击穿。,Imax下闪络的封装片,芯片异极性间距太近,冲击时打坏,SPD连接线路等长对称1,多芯片并联时,各芯片连接电极和外部连接件必须保持等长、对称。 在8/20S大电流冲击时必须考虑连接电极和外接线路产生的电压降,不对称会造成大电流冲击下电流的分布不均衡,连接线路最短(阻抗小)的芯片承载的电流过大,易打坏;而接线路长的芯片承载的电流小,没有充分分流电流,限制了多芯片并联体的通流能力。实验证实,大电流下因连接线路阻抗差异而产生100V左右的电压差将导致两34S芯片间产生10kA以上的电流不均。连接线路对称的重要性远超对芯片参数匹配的挑选。,SPD连接线路等长对称2,引出线不对称 引出线对称,一种新型SPD结构,谢谢大家! 贵州飞舸电子有限公司 0851-4700568,13809496241,
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