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铸锭工艺助理工程师考试题铸锭工艺考试试题及答案模板一、填空题硅是一种化学元素，化学符号是（Si），原子序数是（14），属于元素周期表上IVA族的类金属元素。多晶硅按纯度可分为(太阳能)级和(电子)级。单晶硅就是晶向和结构一致的硅。多晶硅通常是由(无固定晶向)和(结构)的硅组成。 单晶硅棒生产最常用的工艺就是(直拉法)，简称CZ。太阳能级硅的固态和液态的密度分别(2.33)g/cm3、(2.53)g/cm3。晶体硅在底部形核时，核心数目较(多)，晶粒尺寸较(小)。 石英坩埚的化学成份是(二氧化硅),化学式是(SiO2)。测量炉腔压力的两个压力计量程各为(11000 mbar), (01 mbar)。破碎的块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为(3)mm，最大为(200)mm。块状、棒状多晶硅断面结构应(致密)。156*156型锭开方后产生(25)块硅块，(20)块边料。公司主要原料是硅、主要参杂剂为(硼)。硅的定向凝固时硼的分凝系数是(0.8),磷的分凝系数是(0.35),碳的分凝系数是(0.07)。硅晶体的晶胞是(金刚石)结构，含有(8)个原子，密排面是(111)面。从能量转换角度来讲，硅熔化过程是(吸热)，长晶是(放热)。热传导方式有哪几种(热辐射)、(热对流)、(热传导)，多晶铸锭炉的热传导方式以(热辐射)为主。DSS炉在气体模式框中显示(outlet)时，此时(inlet)流量固定，(outlet)自动调节保持设定压力。头尾红区不良，造成头部红区不良主要为(金属)杂质；造成尾部红区不良主要为（氧）杂质。位错的类型包括(刃型位错)，(螺型位错)，(混合位错)。坩埚涂层的主要成分是(氮化硅)，化学式是(Si3N4)。21现单晶中氧施主使P型单晶电阻率(减小)、退火后其电阻率会(增加)。22硅材料中杂质一般有(间隙态)、(替位态)、(复合体)、(沉淀)四种存在形态。23气体模式下，最大压力值(900mbar)；真空模式下，最大压力值(5mbar)。24硅锭号定义是：(7)位。25目前发现的硅有 (三)种同位素。26DSS冷供应却水在(24)度左右，当到达(35)度时出现报警，如果持续上升达到(45)度时，系统默认无水供应。27DSS炉运行出现拉弧时，电压会(不变)、电流会(增加)、输出功率会(增加)。28国标中对原生硅料划分了(3)个级别。29刷边液的主要成分为(硅粉)；刷底液的主要成分为(硅粉)和（氮化硅)。30当前使用的氮化硅主要为()晶相。31M2硅锭生产判断熔化主要为(TC2)耦丝。32多晶铸锭过程中氧杂质主要来源(坩埚)。33坩埚喷涂所用材料化学式为(Si3N4)。34回收车间在回收的为(氮化硅)和（硅粉）。35. 回收氮化硅主要分为(干粉) 氮化硅和（湿粉）氮化硅。二、单选36以下( C )为硅片事业部生产的终端产品. . . . 37Ar流量误差最大报警值是（A）A10% B.15% C.12% D.20% 38加热跳转到熔化的条件是(B )ATC1=1170 B.TC1=1175 C.TC2=1170 D.TC2=117539坩埚喷涂使用的是（A）A.氮化硅悬浮液 B. 液态氮化硅 C.SiC溶液 D.液态SiC40 硅料国标中1级料对氧含量的要求为(B) atoms/cm3. 1.01016 . 1.01017 . 1.51016 . 1.5101741 硅料国标中1级料对碳含量的要求为(A) atoms/cm3. 2.51016 . 2.51017 . 4.01016 . 4.0101742 公司硅料标准4级料可使用于(A).仅多晶生产 . 仅单晶生产 .单多晶皆可 . 单多晶都不可43边料切下的T1料叫（C）A边T1料 B边尾料 C边头料 D边料44判定M0和M2硅块的主要指标为（C）A 少子寿命 B 电阻率值 C 位错比例 D 硅锭合格率45硅块切除头料的厚度是（C）A 25MM B 15MM C 5MM D 5CM46PN结具有一个很重要的性质 ( B )A.不导电 .单向导电 C.双向导电 D.单位导电47. V1阀在压力为多少mbar时打开( C )A100 B.150 C.200 D.25048. 哪个热电偶控制炉运行( A )ATC1 B.TCOT C.TC2 D.PYRO49. 有红边不良率的硅块主要影响硅片的（C）A 电性能 B 碎片率 C 外观 D 光衰减50. 公司生产的多晶片厚度为（B）A 300-350微米B 180-200微米 C 160-180微米D 220-250微米51. 在预抽真空前，泵应预热（ A）分钟。A10 B20 C30 D4052. 多晶硅和单晶硅的区别（ B ）A多晶花纹状，单晶白色 B多晶花纹状，单晶没有 C多晶彩色，单晶白色 D多晶黑色，单晶白色53. 检查真空泵油位高是否符合标准,实际的油位应在( A )。A 1/3h2/3 B h2/3 D 1/3h3/454. 氮化硅是(A)A高温材料 B 防震材料 C光敏材料 D良导体55. 普通原料硅的颜色为（A）A 钢灰色 B白色 C黑色 D淡黄色三、多选题56硅的应用领域广泛，（A，B，C，D ）等领域都有硅材料的应用A. 陶瓷工艺 B. 现代光纤通信 C. 宇航 D. 电子57我们公司的成品片有 （A B ）A. 多晶片 B. 单晶片 C. 电池片 D.镀膜片 E. 刻字片58坩埚译成英文是指 ( D )A.KILN B.Resistivity C.lifetime D.crucible59以下属于硅料国标中颗粒料的标准范围为（A，B）A. 1mm B. 2mm C. 4mm D. 8mm60 以下硅料国标（A，B，C）级可使用于单晶生产A. 1级 B. 2级 C. 3级 D. 4级61. 以下硅锭编号有误的是( A C D )A.0310220 B.0322201 C.0315919 D.131800162. 以下是正确的出炉至交锭间隔时间：（C D E）A.12小时 B.18小时 C.24小时 D.30小时 E.26小时63. 坩埚检验应无(ABCDE)等不良现象，在眼睛距等级面得标准处以3m/min速度扫视检查A.气泡 B.龟裂 C.针孔 D.皱皮 E.剥离64. 以下哪些供应商是生产颗粒纯料（A B D）A.MEMC B.WACKER C.LDK D.SILEX E.洛阳中硅65. 以下哪些不规范操作会造成漏埚异常（ A B C E ）A.坩埚内砸料 B.边料间距未达标准 C.各类型硅料摆放未按标准摆放D.铸锭装料时硅料摆放位置不符合标准 E.硅料存在药液残留66. 断电后DSS炉程序弹出的掉电报警窗口中包括哪些参数？（ABCD）A、 断电时功率百分比 B、断电时的温度C、 断电后退出自动运行的温度值 D、断电的累计时间值67. DSS炉重要组成部分有（ABCDE）A、上、下炉体 B、 电源控制柜 C、电源配电柜 D、变压器E、冷却系统68. 公司的回收料有( A、B、C、D、E) A.边料 B.尾料 C.T2料 D.硅块 E.碎片69. 多晶硅锭检测项目为(ABCE)A电阻率 B少子寿命 C PN型 D TTV E IR70. 人类直接利用太阳能有三大技术领域，即( ABC )A光热转换 B光电转换 C光化学转换 D数模转换 E风电转换71. 最常见的元素半导体材料有（AB）A硅 B锗 C砷化镓 D锑化铟 E铁 72. 太阳电池的应用范围很广，可应用于（ A B C D E ）等。A无人气象站 B 人造卫星 C太阳能路灯 D电视中继站 E通讯站73. 自然界的物质通常以三种形态存在：（A C D）A固体 B熔化 C液体 D气体 E金刚石74. 晶体具有（ A B C ）A 规则的外形 B一定的熔点 C各向异性 D各向同性 E不规则的外形75. 在运行过程中有 ( A B C D E ) 五个步骤A加热 B溶解 C长晶 D退火 E冷却76. 氮化硅制备方法有（ABCDE）A硅粉直接氮化法 B碳热还原二氧化硅法 C自蔓燃法 D高温气相反应法 E等离子体气相反应法四、判断题77硅料国标中有对表面金属含量要求。 （） 78. 156型开方后产生20块硅块，20块边料。 （） 79. 一个锭在开方后A区N型最长，C区N型最短。 （）80. 隔热笼调零要用到CB6。 （）81. 我们配料时杂质可以放进去，因为DSS可以提纯。 （）82. 坩埚的刷边刷底是没有顺序的。 （）83. 中材坩埚的性能指标中，二氧化硅的含量要达到99.7%以上 （）84. 氮化硅是一种非常活泼的物质，常温下可与空气中的氧发生反应 （）85. 纯料碎块（fines）不需检测电阻率。 （）86. 少子寿命的英文为:Liftine。 （）87. 太阳能电池片的电阻率一般要求在2.6.cm左右。 （）88. 经过物料部分选的所有硅料都可以直接使用 （）89. 多晶料晶格排列复杂(有花纹) （）90. DSS炉有杂质提纯功能 （） 91. 配好的两埚料的掺杂可以互换装埚。 （）92. 员工为了加快行走速度，可以站在叉车上滑行。 （）93. DSS断水后，炉子会自动进入E-COOL。 （）94. 形容氮化硅规格使用“目”来表示的。 ()95. 在装料操作中，由于硅料积压，所以可以同时几埚料一起装 ()五、简答题96 简述硅块少子寿命硅块体少子寿命与硅块体少子寿命的区别？硅块少子寿命：硅块未经过任何处理后的硅块少子寿命值硅块体少子寿命：硅块经过去除头尾不良后的硅块少子寿命值97半导体材料的共性有什么?对热敏感,导电性能随温度变化而急剧变化.与金属的导电机制不同.对光、压力、磁等敏感.98说明DSS为什么采用AR，而不是用氧气、氮气和氦气？氩气为惰性气体，化学性能不活泼，在高温条件下，不易与硅和DSS其他备件反映。氧气：化学性能活泼，易与硅和DSS其他备件反映。氮气：高温条件下，容易与硅产生氮化硅。氦气：价格高昂，且属于不可再生气体，不容易通过化工等技术手段得到99对金属杂质含量而言,多晶硅的纯度高于多少?单晶硅的纯度高于多少?制作太阳能电池多晶硅的纯度应大于多少?冶金级硅的纯度是多少?多晶硅的纯度高于9个”9”单晶硅的纯度高于11个”9”制作太阳能电池多晶硅的纯度大于6个”9”冶金级硅的纯度2至3个”9”100 TC1失效，如何处理？可复位：则复位，记得 P./T转换，检查参数是否与配方一致。不可复位：调用以前相同配方相同重量的正常功率曲线控制，并注意压力（温度）变化。如压力升高，可能存在泄露（改造后泄露的可能性小得多）。如温度高于1575度可能会自动关闭加热器，我们可以拔掉TC1运行。如曲线不同步时可先重新调用新的相同配方相同重量正常的功率曲线，若还不行可往下跳一步试试，如再不行我们可以重启LCM4（要遵循重启LCM4操作规程）。101. 断水情况下，你主要关注什么？如何处理？主要关注：压力、水流、温度变化、断水前的功率温度值；断水时间过长可手动进入紧急冷却，如果断水时间较短，温度变化没有超过参数值，可等待水恢复连接电源，同时加上功率使温度升到当前值再恢复运行。102. 运行中如何处理M阶段时功率曲线波动大？运行中功率波动大是由于TC1温度探测组件引起，它不会对DSS炉运行造成太大的危害。但功率一旦波动到一定程度会引发温度误差报警。遇到这种情况我们可以手动控制一下，方法为：暂停模式下选择P控制，设定功率28%左右，等温度稍微稳定后（大概需要7-8分钟）转为T控制运行即可103. 在装料和运行前，我们要做哪些检查？水系统、真空泵、Ar、CDA、热区、溢流棉、溢流线、配方、叉车、护板、螺杆、螺帽、蜂鸣器（包括SPILL及TCOT报警器）、在维护窗口中的电压电流值等。104. 硅锭编号定义是什么？如下硅锭号0102201是否正确，如不正确请解释，如正常请说明代表意义。正确。硅锭编号定义如下: 0 1 022 01 出锭年份 出锭月份 出锭DSS号 当月该炉出锭数 105. TC1、TC2和TCOT的作用是什么TC1：测炉腔内实际温度.TCOT：超高温报警.TC2：用于测量DS-BLOCK温度106. 坩埚喷氮化硅在DSS运行中的作用是什么？隔离硅液与坩埚直接接触以防发生溢流；硅锭出炉后更容易与坩埚分开。计算/分析题107. 计算480KG硅锭在合格率为96%的条件下出材率。理论高度=480 /2.33/0.84/0.84=292mm有效高度=292-45=247mm有效重量=0.156*0.156*2.33*247*25*0.96/480=70.03%108. 在硅材料中，简述PPBA及PPBW的含义，计算PPBA和PPBW的关系（百万分之一），ppb（十亿分之一） a 是原子数 w是质量ppba 是以原子个数的十亿分之一ppbw是以质量分数的十亿分之一杂质原理量为N，PPBA系数为MPPBW=（M*N）/28110. 一个508KG硅锭，如果该锭的合格率为100%，则该锭单个硅块的理论可切片长度是多少？（坩埚尺寸为845mm*845mm） 硅块长度：508/0.845/0.845/2330=305.3475mm 100%合格率硅块可切片长度：305.3475-45=260.3475mm111 一个508KG硅锭，如果该锭的合格率为90%，则该锭头尾料的理论重量是多少？（坩埚尺寸为845mm*845mm，不算边料重量） 硅块长度：508/0.845/0.845/2330=305.3475mm 该锭头尾料的理论重量：0.3053475*0.1*0.156*0.156*25*2330=43.2852KG112. 切片车间收集了120KG的硅粉，按当前工艺回收率30%，问每个硅锭按800g硅粉刷涂量，切片车间120KG的硅粉可用于刷多少个硅锭？ 回收后可使用于刷涂的硅粉总量：120*0.3=36KG 可刷涂硅锭个数：36/0.8=45个113. 有方形坩埚一个，型号为720型坩埚，内尺寸的长宽为690mm，内高度为400mm，在离坩埚顶部5cm的位置以上不喷涂氮化硅涂层，现提供300g氮化硅，求出此坩埚需喷涂的面积和单位面积上需喷涂的氮化硅重量。（损耗忽略不计）114. 270KG（或450KG）固态和液态硅的高度为多少？答：公式:MP.V=P.S.H H270固=m/p.s=270kg/（2.33*1000kg/m3*0.69m*0.69m）=0.243mH270液=m/p.s=270kg/（2.53*1000kg/m3*0.69m*0.69m）=0.224mH450固=m/p.s=270kg/（2.33*1000kg/m3*0.84m*0.84m）=0.274m115. 有个硅锭，硅块长度分布如下：A1235C14248B2236B15255B3237B16213B4238C17240A5222C18242B6240C19236C7241B20248C8242A21239C9246B22245B10244B23248B11249B240C12250A25250C13252求该硅锭的硅块长度合格率。取硅块长度在235-250之间硅块个数，除以硅块总个数20/25=80%115. 假如你是项目负责人，请对于你所在的技术工作出现的技术难题企划一份技术难题解决项目方案，内容包括技术难题的背景影响、技术创新，实验计划及推广计划。关于底部微晶的实验验证改善方案微晶不良一直是困扰铸锭良品率的一大难题，大面积的微晶后期将直接影响终极产品的品质，引起客户投诉。尾部微晶的切除也造成在生产成本的极大浪费。技术创新：根据配方调整长晶速率以期达到彻底解决尾部微晶实验计划：第一期安排两台实验炉进行前期长晶速率放缓的实验，主要调整铸锭长晶配方前期步骤，增加长晶温度延长长晶时间，每台实验炉铸3个实验锭总计6个，8