西安电子科技大学基础实验期末考试试题答案

1、学习中心函授站姓 名学 号西安电子科技大学网络与继续教育学院2019 学年下学期基础实验期末考试试题综合大作业题号一总分题分100得分考试说明：1大作业试题于 2019 年 10 月 17 日公布，2019 年 10 月 18 日至 201。

2、电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理 课程考试题 B卷120分钟 考试形式：闭卷考试日期2010年丄月18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15分， 期末 70 分一二二三四五六七八九十合计复核人。

3、精选优质文档倾情为你奉上电子科技大学二零零 六 至二零零 七 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 卷 120分钟 考试形式： 闭卷 考试日期 200 7年 1 月 14日注：1本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩。

4、精选优质文档倾情为你奉上电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试1对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与D A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡。

5、精选优质文档倾情为你奉上半导体期末考试 课程考试题 B卷 120分钟 考试形式：闭卷 考试日期 2011年 月 日课程成绩构成：平时 15 分， 期中 5 分， 实验 10 分， 期末 70 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名得 。

6、精选优质文档倾情为你奉上2012半导体物理学期末试题一选择填空22分1在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带 B ，对应的有效质量 C ，称该能带中的空穴为 E 。A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大；D。

7、精选优质文档倾情为你奉上电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A卷 120分钟 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 1。

8、精选优质文档倾情为你奉上电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 课程考试题 B卷 120分钟 考试形式：闭卷 考试日期 2011年 月 日课程成绩构成：平时 15 分， 期中 5 分， 实验 10 分， 期末 70 分一二三四五。

9、西安电子科技大学网络与继续教育学院答题纸 学习中心函授站：西安电子科技大学校本部 考试科目：网络程序设计 姓 名 耿磊 学 号： 5001130092006 西安电子科技大学网络与继续教育学院 2014学年下学期 网络程序设计期末考试试题 。