会计学1CMOS模拟集成电路设计模拟集成电路设计 复习题一复习题一1. 以N型MOSFET为例,画出相应的IV特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件 2. 画出一个典型P阱C,1. 以N型MOSFET为例,画出相应的IV特性曲线,即I
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1、会计学1CMOS模拟集成电路设计模拟集成电路设计 复习题一复习题一1. 以N型MOSFET为例,画出相应的IV特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件 2. 画出一个典型P阱C。
2、1. 以N型MOSFET为例,画出相应的IV特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件 2. 画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图,要求器件的各个端口正确连接输入输。
3、会计学1CMOS模拟集成电路设计模拟集成电路设计 复习题一复习题一1.以N型MOSFET为例,画出相应的IV特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件 2.画出一个典型P阱CMO。