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10.110.1半导体的导电特性 第第2页页/共共49页页第1页/共49页10.1半导体的导电特性 半导体半导体的特性的特性热敏性：对温度敏热敏性：对温度敏感，如热敏电阻感，如热敏电阻光敏性：对光照敏感，光敏性：对光照敏感，如光电管、光敏电阻、如光电管、光敏电阻、光电池光电池杂敏性：对杂杂敏性：对杂质敏感，如半质敏感，如半导体器件导体器件光敏电阻光敏二极管第第3页页/共共49页页第2页/共49页10.1半导体的导电特性 本征半导体半导体硅和锗的原子结构图半导体硅和锗的原子结构图 本征半导体：纯净的、晶格完整的半导体 。这样的半导体称为晶体，用这样的材料制成的管子称为晶体管。 第第4页页/共共49页页第3页/共49页10.1半导体的导电特性 本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构价电子自由电子空穴光照光照第第5页页/共共49页页第4页/共49页10.1半导体的导电特性 说明：说明：半导体中有两种电流：自由电子电流和空穴电半导体中有两种电流：自由电子电流和空穴电流，这是和导体导电本质区别。且由于自由电子和空穴成对出流，这是和导体导电本质区别。且由于自由电子和空穴成对出现，故对外不显电性。现，故对外不显电性。填补第第6页页/共共49页页第5页/共49页10.1半导体的导电特性 N型半导体和P型半导体 在硅或锗的本征半导体中掺入微量的在硅或锗的本征半导体中掺入微量的5 5价磷（价磷（P P）元素，）元素，则形成则形成N N型半导体。型半导体。+5掺入+5自由电子1N型半导体自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子，故N型半导体也称为电子型半导体，磷原子也称为施主杂质第第7页页/共共49页页第6页/共49页10.1半导体的导电特性 2P型半导体 在硅或锗的本征半导体中掺入微量的在硅或锗的本征半导体中掺入微量的3 3价硼（价硼（B B）元素，）元素，则形成则形成P P型半导体。型半导体。+3掺入+3填补填补空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子，故P型半导体也称为空穴型半导体，硼原子也称为受主杂质第第8页页/共共49页页第7页/共49页10.1半导体的导电特性 N结1PN结的形成第第9页页/共共49页页第8页/共49页10.1半导体的导电特性 第第10页页/共共49页页第9页/共49页10.1半导体的导电特性 2PN结的特性-单向导电性第第11页页/共共49页页第10页/共49页10.1半导体的导电特性 总结：总结：PN结外加正向电压时，结外加正向电压时，PN结电阻很小，正向电结电阻很小，正向电流很大，流很大，PN结正向导通，电流方向从结正向导通，电流方向从P型区流向型区流向N型区；型区；PN结结外加反向电压时，外加反向电压时，PN结电阻很大，反向电流很小，近似为零，结电阻很大，反向电流很小，近似为零，PN结反向截止。结反向截止。PN结的这种特性称为单向导电性。结的这种特性称为单向导电性。 第第12页页/共共49页页第11页/共49页10.2半导体的二极管 基本结构整流二极管整流二极管发光二极管发光二极管稳压二极管稳压二极管开关二极管开关二极管第第13页页/共共49页页第12页/共49页10.2半导体的二极管 半导体的二极管型号说明：举例举例第第14页页/共共49页页第13页/共49页伏安特性10.2半导体的二极管 +-1.1.正向特性正向特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性（1 1）死区及死区电压）死区及死区电压 死区电压硅管：硅管：0.5V锗管：锗管：0.1V 当外加正向电压小于某值时，正向电流很小，几乎为零，此段称为死区，对应电压为死区电压。（2 2）正向导通及导通电压）正向导通及导通电压 当外加正向电压大于死区电压时，正向电流增长很快，二极管正向导通，对应电压为导通电压。导通电压硅管：硅管：0.60.7V锗管：锗管：0.20.3V第第15页页/共共49页页第14页/共49页2.2.反向特性反向特性10.2半导体的二极管 二极管的伏安特性二极管的伏安特性-+ 当二极管加反向电压并小于某电压（击穿电当二极管加反向电压并小于某电压（击穿电压）时，由少数载流子的漂移运动形成很小的反压）时，由少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流，硅管为向电流，硅管为nAnA级，锗管为级，锗管为AA级，故二极管级，故二极管反向截止。反向截止。（1 1）反向截止区）反向截止区 一、它随温度的升高增长很快；注意：反向电流的特点二、反向电流与反向电压的大小无关，基本不变称它为反向饱和电流。（2 2）反向击穿区）反向击穿区 当反向电压增加到击穿电压时，反向电流将突然增大，二极管的单向导电性被破坏，二极管反向导通，造成不可恢复的损坏。 第第16页页/共共49页页第15页/共49页10.2半导体的二极管 主要参数 为了正确使用二极管，除了理解其伏安特性之外，还要掌为了正确使用二极管，除了理解其伏安特性之外，还要掌握其相应的参数，以便选择二极管。握其相应的参数，以便选择二极管。1最大整流电流IFM IFM二极管长时间正向导通时，允许流过的最大正向平均电流。在使用二极管长时间正向导通时，允许流过的最大正向平均电流。在使用时不能超过此值，否则将因二极管过热而损坏。时不能超过此值，否则将因二极管过热而损坏。 2反向峰值电压URM URM是指二极管反向截止时允许外加的最高反向工作电压，是指二极管反向截止时允许外加的最高反向工作电压，URM的数值的数值大约等于二极管的反向击穿电压大约等于二极管的反向击穿电压UBR的一半，以确保管子安全工作。的一半，以确保管子安全工作。 3反向峰值电流IFM IRM是指在常温下二极管加反向峰值电压是指在常温下二极管加反向峰值电压URM时，流经管子的电流。它说时，流经管子的电流。它说明了二极管质量的好坏，反向电流大说明它的单向导电性差，而且受温度影明了二极管质量的好坏，反向电流大说明它的单向导电性差，而且受温度影响大响大 。硅管比锗管的反向电流小。硅管比锗管的反向电流小。第第17页页/共共49页页第16页/共49页10.2半导体的二极管 应用举例 由于半导体二极管具有单向导电性，因而得到了广泛应用。由于半导体二极管具有单向导电性，因而得到了广泛应用。在电路中，常用来作为整流、检波、钳位、隔离、保护、开关在电路中，常用来作为整流、检波、钳位、隔离、保护、开关等元件使用。等元件使用。【例例10.2-1】二极管电路如图二极管电路如图 (a)和和(b)所示，试分析二极管的工所示，试分析二极管的工作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。第第18页页/共共49页页第17页/共49页 (1) (1)在图在图(a)(a)所示电路中，移所示电路中，移开二极管，求两端电位，即开二极管，求两端电位，即【解】 【例例10.2-1】二极管电路如图二极管电路如图 (a)和和(b)所示，试分析二极管的工所示，试分析二极管的工作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。10.2半导体的二极管 112VV 26VV 二极管阳极电位高于阴极电位，是正偏，二极管处于二极管阳极电位高于阴极电位，是正偏，二极管处于导导通通状态，相当短路，使状态，相当短路，使Uo=12V，起，起钳位钳位作用。作用。 第第19页页/共共49页页第18页/共49页 (2) (2)在图在图(b)(b)所示电路中，移所示电路中，移开二极管，求两端电位，即开二极管，求两端电位，即10.2半导体的二极管 【例例10.2-1】二极管电路如图二极管电路如图 (a)和和(b)所示，试分析二极管的工所示，试分析二极管的工作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。作状态和它们所起的作用。设二极管为理想二极管。【解】 212VV 16VV 二极管阳极电位低于阴极电位，是反偏，二极管处于二极管阳极电位低于阴极电位，是反偏，二极管处于截截止止状态，相当开路，使状态，相当开路，使Uo=6V，起，起隔离隔离作用。作用。 第第20页页/共共49页页第19页/共49页 在如图所示电路中，移开两在如图所示电路中，移开两个二极管，并求它们两端阳极到阴个二极管，并求它们两端阳极到阴极的电位差，即极的电位差，即10.2半导体的二极管 【例例10.2-2】在如图所示电路中，试分析二极管在如图所示电路中，试分析二极管VD1和和VD2的工的工作状态，并求输出电压作状态，并求输出电压Uo之值。设二极管为理想二极管。之值。设二极管为理想二极管。 【解】 D115 105VUD2151025VU 由于由于VD2两端电压高于两端电压高于VD1，故其优先导通。使得故其优先导通。使得Uo= -10V，使使VD1反偏。故反偏。故VD2起钳位作用，起钳位作用，VD1起隔离作用，隔离了起隔离作用，隔离了+10V电源。电源。第第21页页/共共49页页第20页/共49页10.2半导体的二极管 【例例10.2-3】在如图所示电路中，已知在如图所示电路中，已知US = 5V，ui= 10sint V，试画出输出电压试画出输出电压uo的波形。设二极管为理想二极管。的波形。设二极管为理想二极管。【解】 VD导通起限幅作用VD截止第第22页页/共共49页页第21页/共49页 在如图所示电路中，若无二极管在如图所示电路中，若无二极管D1，则当三极管由导通到截止，在，则当三极管由导通到截止，在线圈两端产生很高的电动势，会击穿线圈并在开关两端产生火花。线圈两端产生很高的电动势，会击穿线圈并在开关两端产生火花。10.2半导体的二极管 【例例10.2-4】如图所示是用二极管保护继电器线圈的原理电路，如图所示是用二极管保护继电器线圈的原理电路，试分析该电路的工作原理。试分析该电路的工作原理。【解】 实用电路实用电路 为了保护线圈和和开关，则在线圈两端并一二极管，提供电流泄放回路。第第23页页/共共49页页第22页/共49页10.3 10.3 特殊二极管 稳压二极管是一种特殊的面接触型硅二极管，由于它在电稳压二极管是一种特殊的面接触型硅二极管，由于它在电路中与适当阻值的电阻配合后能起稳定电压的作用，故称稳压路中与适当阻值的电阻配合后能起稳定电压的作用，故称稳压管。管。稳压二极管外型外型符号符号伏安特性伏安特性比较陡应用电路应用电路主要参数 （1）UZ是稳定电压；（2）IZ是稳定电流 ；（3）IZm是最大稳定电流。 第第24页页/共共49页页第23页/共49页10.3 10.3 特殊二极管【例例10.3-1】试分析如图所示电路中稳压管试分析如图所示电路中稳压管VDZ的稳压作用。的稳压作用。【解】 在电路的实际工作中，电源电压在电路的实际工作中，电源电压U的波动、负载的变化的波动、负载的变化 都会引起输出电压都会引起输出电压UL的波动。的波动。1设电源电压波动（负载不变）2设负载变化（电源电压不变） 说明：说明：稳压管稳压电路是通过稳压管电流稳压管稳压电路是通过稳压管电流IZ的调节作用的调节作用和限流电阻和限流电阻R上电压降上电压降UR的补偿作用而使输出电压稳定的。的补偿作用而使输出电压稳定的。第第25页页/共共49页页第24页/共49页【例例10.3-2】试设计一个稳压管稳压电路，如图所示。已知：电试设计一个稳压管稳压电路，如图所示。已知：电源电压源电压U = 20V，负载电阻，负载电阻RL = 0.8k，负载所需稳定电压，负载所需稳定电压UL = 12V。选择稳压管。选择稳压管VDZ和限流电阻和限流电阻R。10.3 10.3 特殊二极管【解】 (1)负载电流IL为LL3L1215mA0.8 10UIR(2)选择稳压管VDZ 稳压管的稳定电压稳压管的稳定电压UZ = UL = 12V，可选择，可选择2CW60型硅稳压管（见型硅稳压管（见附录附录3），其），其UZ = 12V, IZ = 5mA, IZm = 19mA。(3)选限流电阻RIZ = 5mAZ320 12400(5 15) 10UURIWIZm = 19mAZ320 12235.3(1915) 10UURIW取R = 300第第26页页/共共49页页第25页/共49页10.3 10.3 特殊二极管发光二极管 发光二极管（常称为LED）也是由一个PN结组成的，常用的半导体材料是砷化镓和磷化镓。 外型外型符号符号工作电路工作电路 说明：说明：发光二极管的导通电压在发光二极管的导通电压在2V2V左右，工作电流为几左右，工作电流为几个毫安，管脚较长的为阳极。通常用做指示灯和各种仪表和设备个毫安，管脚较长的为阳极。通常用做指示灯和各种仪表和设备的数字显示。发光二极管也可用于照明和装饰照明，以及可充电的数字显示。发光二极管也可用于照明和装饰照明，以及可充电的便携式移动照明的便携式移动照明 。第第27页页/共共49页页第26页/共49页10.3 10.3 特殊二极管光电二极管 光电二极管是利用光电二极管是利用PNPN结的光敏特性制成的，它将接收到的光结的光敏特性制成的，它将接收到的光的变化转换为电流的变化。的变化转换为电流的变化。 外型外型符号符号工作电路工作电路 说明：说明：当无光照时，其反向电流很小，称为暗电流。当当无光照时，其反向电流很小，称为暗电流。当有光照时，产生较大的反向电流，称为光电流。光照愈强，有光照时，产生较大的反向电流，称为光电流。光照愈强，光电流也愈大。光电流也愈大。第第28页页/共共49页页第27页/共49页10.3 10.3 特殊二极管光耦合器光耦合器是由发光器件和光敏器件组成的。 外型即内部电路外型即内部电路原理电路原理电路 说明：说明：光耦合器是用光传输电信号的电隔离器件（两光耦合器是用光传输电信号的电隔离器件（两管之间无电的联系）。管之间无电的联系）。 第第29页页/共共49页页第28页/共49页10.4 10.4 半导体三极管基本结构各种半导体三极管的外型图各种半导体三极管的外型图按结构分类：按结构分类：NPNPNP第第30页页/共共49页页第29页/共49页载流子分配及电流放大原理10.4 10.4 半导体三极管共射极放大电路共射极放大电路放大放大条件条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度最高发射区掺杂浓度最高基区很薄基区很薄集电结面积大外部外部条件条件发射结结正偏发射结结正偏集电结反偏集电结反偏EBCVVVEBCVVVP PN NN NN NP PP P输输入入输输出出第第31页页/共共49页页第30页/共49页各极电流（各极电流（mA）测量结果测量结果IB- -0.00100.020.040.060.080.10IC0.0010.010.701.502.303.103.95IE00.010.721.542.363.184.0510.4 10.4 半导体三极管实验数据分析： IE = IC + IBC5B52.338.30.06IICB0.8400.02IIDD第第32页页/共共49页页第31页/共49页10.4 10.4 半导体三极管半导体三极管内部载流子的运动：半导体三极管内部载流子的运动：第第33页页/共共49页页第32页/共49页10.4 10.4 半导体三极管半导体三极管内部载流子运动示意图半导体三极管内部载流子运动示意图三个结论： (1)发射极电流发射极电流IE、基极电流、基极电流IB、集电极电流、集电极电流IC的关系是的关系是IE = IB + IC；载流子运动过程：载流子运动过程：发射结正偏：发射区发射电子到基区发射结正偏：发射区发射电子到基区少量电子在基区与空穴复合，大部分少量电子在基区与空穴复合，大部分运动到集电结；运动到集电结；集电结反偏：集电区收集电子。集电结反偏：集电区收集电子。(2)集电极电流集电极电流IC、基极电流、基极电流IB的关系是的关系是IC =IB ；(3)晶体管的电流放大作用，实质上为晶体管的控制作用，即较小电流晶体管的电流放大作用，实质上为晶体管的控制作用，即较小电流IB控控制大电流制大电流IC。第第34页页/共共49页页第33页/共49页10.4 10.4 半导体三极管特性曲线1输入特性曲线 输入特性曲线是指当集输入特性曲线是指当集-射极电压射极电压UCE为常数时，输入回路（基极回路）中为常数时，输入回路（基极回路）中基极电流基极电流IB与基与基-射极电压射极电压UBE之间的关系之间的关系曲线，即曲线，即 CEBBEconstantUIf U 输入特性曲线特点：特点： UCE1曲线重合；曲线重合； 当当UBE小于死区电压时，小于死区电压时，IB=0，三极管截止；，三极管截止；当当UBE大于死区电压时，三极管导通，大于死区电压时，三极管导通，IB随随UBE快快速增大。发射结导通电压为速增大。发射结导通电压为BE0.60.7VU:硅管：硅管：BE0.20.3VU:锗管：锗管： 测试电路第第35页页/共共49页页第34页/共49页10.4 10.4 半导体三极管2输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流输出特性曲线是指当基极电流IB为为常数时，输出电路（集电极回路）中集常数时，输出电路（集电极回路）中集电极电流电极电流IC与集与集-射极电压射极电压UCE之间的关之间的关系曲线，即系曲线，即 测试电路BCCEconstantIIf U 输出特性曲线特点：特点： 当当IB一定时，在一定时，在UCE = 01V区间，随着区间，随着UCE的增大，的增大，IC线性增加。当线性增加。当UCE超过超过1V后，后，当当UCE增高时，增高时，IC几乎不变，即具有恒流特几乎不变，即具有恒流特性；性； 当当IB增大时，增大时，IC线性增大，远大于线性增大，远大于IB，且，且IC受受IB控制，这就是晶体管的电流放大作用控制，这就是晶体管的电流放大作用的表现。的表现。第第36页页/共共49页页第35页/共49页饱和区：饱和区：IB增加，增加，IC小于小于 IB， IC IB， 晶体管失去电晶体管失去电流放大作用。饱和时，电压流放大作用。饱和时，电压 UCE =0.20.3V（锗管为（锗管为0.10.2V），数值很小，近似为零，晶体管的），数值很小，近似为零，晶体管的C、E极之间极之间相当于一个闭合的开关相当于一个闭合的开关 。 10.4 10.4 半导体三极管 输出特性曲线 通常把晶体管的输出特性曲线分为三个通常把晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：工作区： 输出特性曲线的三个工作区放大区：放大区：IC与与IB基本上成正比关基本上成正比关系，即系，即 IC= IB，发射结为正偏，发射结为正偏，集电结为反偏；集电结为反偏；截止区：截止区：IB=0，即，即 IC=ICEO0，发射，发射结为反偏，集电结为反偏；晶体管结为反偏，集电结为反偏；晶体管的的C、E极之间相当于一个断开的开极之间相当于一个断开的开关；关； 第第37页页/共共49页页第36页/共49页10.4 10.4 半导体三极管BCII主要参数1共射极电流放大系数共射极电流放大系数和和说明：说明：CBII共发射极静态（又称共发射极静态（又称直流）电流放大系数直流）电流放大系数 共发射极动态（又称共发射极动态（又称交流）电流放大系数交流）电流放大系数 ) 1 (2)晶体管的晶体管的b 值在值在20200之间。之间。第第38页页/共共49页页第37页/共49页10.4 半导体三极管2集-基极反向饱和电流ICBOICBO是当发射极开路（IE = 0）时的集电流IC，是由少数载流子漂移运动（主要是集电区的少数载流子向基区运动）产生的，它受温度影响很大。 注意：在室温下，小功率锗管的注意：在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几约为几微安到几十微安，小功率硅管在十微安，小功率硅管在1A以下。以下。3集-射极穿透电流ICEOICEO是基极开路（IB = 0）时的集电极电流IC ，且CEOCBO (1)II 注意：温度升高时，ICBO增大，ICEO随着增加，集电极电流IC亦增加， 且值亦不能太大，一般 为50100。 第第39页页/共共49页页第38页/共49页10.4 半导体三极管4集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时， 值要下降。ICM为晶体管 值下降到正常值2/3时的集电极电流。 5集-射极击穿电压BUCEO BUCEO为基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允为基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，当超过此值时，晶体管集电结会被击穿而损坏。许电压，当超过此值时，晶体管集电结会被击穿而损坏。 6集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM PCM为当晶体管因受热而引起的为当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率。所消耗的最大功率。PCM主要受晶主要受晶体管的温升限制，一般来说锗管允体管的温升限制，一般来说锗管允许结温为许结温为7090，硅管约为，硅管约为150。 由PCM 、ICM 和BUCEO 围成的区域称为三极管的 ICMBUCEO第第40页页/共共49页页第39页/共49页10.4 半导体三极管【例例10.4-1】放大电路中的晶体管放大电路中的晶体管VT1和和VT2如图所示，用直流如图所示，用直流电压表测得各点对地电位值是：电压表测得各点对地电位值是：V1 = 8V, V2 = 1.2V, V3 = 1.9V；V4 = -3.3V, V5 = -9V, V6 = -3.1V。(1)确定确定VT1的类型和各电极；的类型和各电极；(2)确定确定VT2的类型和各电极。的类型和各电极。 【解】 由于V1最高，故1为集电极，且为NPN型。 2是发射极 ，3是基极。 由于V5最低，故5为集电极，且为PNP型。 6是发射极 ，4是基极。(1)VT1管：V3 - V2 =1.9 -1.2 = 0.7V(2)VT2管：V4 - V6 = -3.3-(-3.1) = -0.2V第第41页页/共共49页页第40页/共49页10.5 场效应晶体管 场效晶体管是又一种性能特殊的半导体三极管，外形也与普通晶体管相似。但其工作原理却截然不同。 区别：（1）晶体管发射结在放大时是正向偏置，故其输入阻抗小）晶体管发射结在放大时是正向偏置，故其输入阻抗小（103的数量级）；场效应管输入回路的数量级）；场效应管输入回路PN结工作于反偏，或输结工作于反偏，或输入端完全处于绝缘状态，故其输入阻抗可高达入端完全处于绝缘状态，故其输入阻抗可高达1071012 。（2）晶体管有两种导电粒子参与导电：自由电子和空穴，故称为双极型。由于少数载流子参与导电，故工作点受温度影响大，不稳定；场效应管只有参与导电，故称为单极型，其噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强；（3）晶体管属于电流控制电流器件，场效应管属于电压控制电）晶体管属于电流控制电流器件，场效应管属于电压控制电流器件。流器件。第第42页页/共共49页页第41页/共49页10.5 场效应晶体管分类：场效应管结型场效应管(Junction Field Effect Transistor, JFET)绝缘栅型场效应管（MOSFET）N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 第第43页页/共共49页页第42页/共49页10.5 场效应晶体管沟道增强型场效应管1基本结构外形图外形图N沟道增强型沟道增强型MOS管的结构和符号管的结构和符号源极栅极漏极d dg gs sb bd dg gb bs s(b)增强型N沟道图4-6 增强型 MOSFET 的结构及其符号(b) 增强型MOSFET的符号s sg gd d衬底 B(a)2SiO绝缘层铝电极半导体材料(a) N沟道增强型MOSFET 的结构示意图P 衬底NN阻挡层增强型P沟道第第44页页/共共49页页第43页/共49页10.5 场效应晶体管2工作原理(1) uGS=0时，没有N型导电沟道，ID=0；工作电路工作电路(2) 当uGS0时，SiO2绝缘层会产生垂直于衬底表面的强电场，吸引衬底P型半导体中的电子到达表层，形成一个电子薄层（N型层，因与P型衬底极性相反，也称为反型层）。 uGS较小时，导电沟道没形成， ID=0；第第45页页/共共49页页第44页/共49页(3) 当uGS UGS（th） （开启电压）时，导电沟道形成， ID随着UDD的增加而增大。此类MOS管称为N沟道增强型MOS管，简称NMOS管。 3特性曲线特性曲线（1）转移特性 DSDGScons.()UIf U（2）输出特性 GSDDScons.()UIf U10.5 场效应晶体管开启电压第第46页页/共共49页页第45页/共49页10.5 场效应晶体管沟道耗尽型场效应管 耗尽型耗尽型MOS管在制造时，就在二氧管在制造时，就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量正离子，形成化硅绝缘层中掺入了大量正离子，形成强电场，使得在强电场，使得在UGS = 0也能吸引足够的也能吸引足够的电子到硅表面，形成导电沟道。电子到硅表面，形成导电沟道。 夹断电压第第47页页/共共49页页第46页/共49页10.5 场效应晶体管耗尽型增强型PMOS耗尽型增强型NMOSMOS场效应管符号工作方式结 构dBsgdBsgdBsgdBsg两种两种MOS管的工作方式及符号管的工作方式及符号 注意：表示场效晶体管放大能力的参数是跨导，用gm表示，即单位是毫西门子（mS） 第第48页页/共共49页页第47页/共49页作 业10-1 10-3 10-4 10-6 10-7 10-10第第49页页/共共49页页第48页/共49页感谢您的观看！第49页/共49页