资源描述
LED静电击穿原理以PN结结构为主的LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若得不到及时释放，LED的两个电极上形成的较高电压将直接加上led芯片的PN结两端。LED芯片的两PN发光层的局部形当电压超过LED的最大承受值后，静电电荷将以极短的瞬间（纳秒级别）在个电极之间进行放电，功率焦耳的热量将使得LED芯片内部的导电层、成高温，高温将会把这些层熔融成小孔，从而造成漏电以及短路的现象。ESD:ElectrostaticDischarge,即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识。为了定量表征ESD特性，一般将ESD转化成模型表达方式，ESD的模型有很多种，下面介绍最常用的三种。1 .HBM:HumanBodyModel,人体模型：该模型表征人体带电接触器件放电,Rb为等效人体电阻,Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。HiiininiBoil、IodelChC3VChisLA1%Vtc1350CVTIOWVCMIC.10COV2CGi?Vm2MK)Via4CVCIam3A40COCwSOQOVC53：；$口时一ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2 .MM:MachineModel,机器模型：机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容（Cb）是200pF,等效电阻为0,机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pFo由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。rESD22All?2SourcePt-ak C uirrtK SATe 5hSPrak Current 5-35Cla鸣a200vB-001忙400VCii5C二4C0VESD机器模型等效电路图及其ESD等级3 .CDM:ChargedDeviceModel,充电器件模型：半导体器件主要采用三种封装型式（金属、陶瓷、塑料）。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料（如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等）相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：(hnrwtul=；=I=一：r-JESD22-C10PChsiL2D&VClo11汹Vto00VCL母tilSWrc1000VClassW:21000工ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的ESD等级一般按以上三种模型测试，大部分ESD敏感器件手册上都有器件的ESD数据，一般给出的是HBM和MMoIEC模式与上面几种模式相似，只是放电电阻、储能电容规格暗IEC标准，具体如下静电放电发生糖的特性规范工储能电容放电电阻（&）充电电阻UO16出电压（见注】）150 pF10J3M n-io%SO MH9100 之间接触放电8kV（标戟值）空气放电15 kV（林弥值MM、HBM、IEC放电模式比较模式放电电路图静电等级A2MVBOViq100VCJiHt4OTV.校电电电ISiiJOHttMM匚匕斯?A:CIjmSBJflOVl#IQWV100QV2：OTV200QVte4X0VJXOVftSOMA*2SX0VIE嚷式可单用luaaCZF1S0F1
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