本征半导体及其导电性

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资源描述
本文格式为Word版,下载可任意编辑本征半导体及其导电性 本征半导体化学成分纯洁的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 1. 本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与四周的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。这种结构的立体和平面示意图见图01.01。 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 图01.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 2. 电子空穴对 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度上升或受到光的照耀时,价电子能量增高,有的价电子可以摆脱原子核的束缚,而参加导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就消失了一个空位,原子的电中性被破坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电量相等,人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。可见因热激发而消失的自由电子和空穴是同时成对消失的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合,如图01.02所示。本征激发和复合在肯定温度下会达到动态平衡。 图01.02 本征激发和复合的过程 3. 空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 图01.03 空穴在晶格中的移动 第 2 页 共 2 页
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