干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案

上传人:痛*** 文档编号:41369820 上传时间:2021-11-20 格式:DOC 页数:2 大小:26.51KB
返回 下载 相关 举报
干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案_第1页
第1页 / 共2页
干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案_第2页
第2页 / 共2页
亲,该文档总共2页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述
文章来源 毕业论文网 干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案文章来源 毕业论文网 全部作者: 赵弘鑫 程秀兰 第1作者单位: 中芯国际集成电路制造有限公司 论文摘要: 在半导体制造工艺的干法刻蚀(Dry Etching)中,对于刻蚀薄膜表面面积大小的差异性会造成负载效应(Loading effect)。然而这种负载效应影响到干刻蚀的蚀刻率(Etch Rate)和选择比(Selectivity)而在产品上出现严重的缺陷。本文阐述了负载效应的基本原理和造成选择比差异性的成因以及对于由此产生产品缺陷的具体解决方案。 关键词: 半导体制造,干法刻蚀,负载效应,选择比,缺陷 (浏览全文) 发表日期: 2008年04月30日 同行评议: (暂时没有) 综合评价: (暂时没有) 修改稿:
展开阅读全文
相关资源
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 办公文档


copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!