晶体管参数解释大全

晶体管的参数解释大全符号解释入光谱半宽度 VF正向压降差 Vz稳压范围电压增量av电压温度系数a温度系数BV cer基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo基极开路，CE结击穿电压BVces基极与发射极短路 CE结击穿电压BVebo集电极开路EB结击穿电压Cib共基极输入电容Cic集电结势垒电容Cieo共发射极开路输入电容Cies共发射极短路输入电容Cie共发射极输入电容Cjo/Cj n结电容变化Cjo零偏压结电容Cjv偏压结电容Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下 ，锗检波二极管的总电容CL负载电容（外电路参数）Cn中和电容（外电路参数）Cob共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo共发射极开路输出电容Coe共发射极输出电容Co零偏压电容Co输出电容Cp并联电容（外电路参数）Cre共发射极反馈电容Cs管壳电容或封装电容CTC电容温度系数CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct总电容Cvn标称电容di/dt通态电流临界上升率dv/dt通态电压临界上升率D占空比ESB二次击穿能量fmax最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率fT特征频率f频率hRE共发射极静态电压反馈系数hFE共发射极静态电流放大系数hfe共发射极小信号短路电压放大系数hlE共发射极静态输入阻抗hie共发射极小信号短路输入阻抗hOE共发射极静态输出电导hoe共发射极小信号开路输出导纳hre共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC正向自动控制电流IB2单结晶体管中的基极调制电流IBM在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的 取大干均值IB基极直流电流或交流电流的平均值Icbo基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer基极与发射极间串联电阻 R，集电极与发射极间的电压 VCE为规定值时，集电极与发射 极之间的反向截止电流Ices发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP集电极最大允许脉冲电流ICM集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。ICM最大输出平均电流Ic集电极直流电流或交流电流的平均值IDR晶闸管断态平均重复电流ID暗电流IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流IEM发射极峰值电流IE发射极直流电流或交流电流的平均值IF (AV)正向平均电流IF(ov)正向过载电流IFM (IM)正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。 发光二极管极限电流。IFMP正向脉冲电流IFRM正向重复峰值电流IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流）IF正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下， 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电 参数时给定的电流iF正向总瞬时电流IGD晶闸管控制极不触发电流IGFM控制极正向峰值电流IGT晶闸管控制极触发电流IH恒定电流、维持电流。Ii发光二极管起辉电流IL光电流或稳流二极管极限电流IOM最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流lop工作电流Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP峰点电流IR (AV)反向平均电流IR (In)反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻 性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压 VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最咼 反向工作电压下的漏电流。IRM反向峰值电流Irp反向恢复电流IRRM反向重复峰值电流IRR晶闸管反向重复平均电流IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）ir反向恢复电流iR反向总瞬时电流ISB二次击穿电流Is稳流二极管稳定电流IV谷点电流Izk稳压管膝点电流IZM最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM稳压二极管浪涌电流Iz稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流n电容变化指数；电容比PB承受脉冲烧毁功率PCM集电极最大允许耗散功率Pc集电极耗散功率PC控制极平均功率或集电极耗散功率Pd耗散功率PFT (AV)正向导通平均耗散功率PFTM正向峰值耗散功率PFT正向导通总瞬时耗散功率PGM门极峰值功率PG门极平均功率Pi输入功率PK最大开关功率PMP最大漏过脉冲功率PMS最大承受脉冲功率PM额定功率。硅二极管结温不咼于150度所能承受的最大功率Pn噪声功率Pomax最大输出功率Posc振荡功率Po输出功率PR反向浪涌功率Psc连续输出功率PSM不重复浪涌功率Ptot总耗散功率PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q优值（品质因素）r S衰减电阻R(th)ja结到环境的热阻R(th)jc结到壳的热阻r(th)瞬态电阻rbb分钟Cc基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟基区扩展电阻（基区本征电阻）RBB双基极晶体管的基极间电阻RBE外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RB外接基极电阻（外电路参数）Rc外接集电极电阻（外电路参数）RE射频电阻RE外接发射极电阻（外电路参数）RF (r)正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一 正向电压下，电压增加微小量 V，正向电流相应增加1，则 V/ I称微分电阻RG信号源内阻rie发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RL负载电阻roe发射极接地，在规定 VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻Rz(ru)动态电阻Ta环境温度Tc管壳温度td延迟时间tfr正向恢复时间tf下降时间tgt门极控制极开通时间tg电路换向关断时间Tjm最咼结温Tj结温Ts结温toff关断时间ton开通时间trr反向恢复时间tr上升时间tstg温度补偿二极管的贮成温度Tstg贮存温度ts存贮时间V n噪声电压V v谷点电压V (BR)击穿电压VAGC正向自动增益控制电压VB2B1基极间电压VBB基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE(sat)发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VBE10发射极与第一基极反向电压VBE基极发射极（直流）电压VB反向峰值击穿电压VCBO基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB集电极-基极（直流）电压Vcc集电极（直流）电源电压（外电路参数）。VCE(sat)发射极接地，规定lc、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高 耐压VCE集电极-发射极（直流）电压Vc整流输入电压VDRM断态重复峰值电压VEBO基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB饱和压降VEE发射极（直流）电源电压（外电路参数）。VF (AV)正向平均电压VFM最大正向压降（正向峰值电压）VF正向压降（正向直流电压）VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGT门极触发电压Vk膝点电压（稳流二极管）VL极限电压Vn (p-p)输入端等效噪声电压峰值Vn中心电压VOM最大输出平均电压Vop工作电压Vo交流输入电压Vp峰值电压VRM反向峰值电压（最高测试电压）VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM反向工作峰值电压VR反向工作电压（反向直流电压）VSB二次击穿电压Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vth阀电压（门限电压）Vz稳定电压S vz稳压管电压漂移n单结晶体管分压比或效率入P发光峰值波长