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,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,可编辑,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,可编辑,*,LLC,谐振电路,姜礼节,LLC谐振电路姜礼节,LLC,谐振变换器属于半桥结构,电感,Lr,Lm,和电容,Cr,组成,LLC,谐振网络。,两个谐振频率:,LLC,谐振变换器,LLC 谐振变换器属于半桥结构,电感Lr,Lm和电容Cr组成,在,t0,时刻,,Q2,关断,原边电流流过,Q1,体二极管。,原边电流,I_Lr,比,I_Lm,上升快。,Lr,与,Cr,之间开始串联谐振。输出电流开始上升。,由于,Q1,的体二极管导通,,Q1,能够零电压导通。,阶段,1(t0 to t1):,在t0时刻,Q2关断,原边电流流过Q1体二极管。阶段1(t,由于副边二极管,D1,导通,励磁电感,Lm,的电压被输出电压嵌位。,在,t2,时刻,谐振电流,I_Lr,等于励磁电流,I_Lm,,输出电流为,0,。,这个阶段持续了半个,Lr,与,Cr,谐振周期。,阶段,2(t1 to t2):,由于副边二极管D1导通,励磁电感Lm的电压被输出电压嵌位。阶,在,t2,时刻,由于,I_Lr,和,I_Lm,相等,输出侧电流,Io,下降到零,二极管零电流关断,。,同时输出电压不再对变压器嵌位,,Lm+Lr,与,Cr,一起谐振,谐振周期比,Lr,Cr,谐振周期大得多。,I_Lm,近似一个恒流源。,在,t3,时刻,通过,Q2,的电流很小,故关断损耗也很小。,阶段,3(t2 to t3):,在t2时刻,由于I_Lr和I_Lm相等,输出侧电流Io下降到,MOSFETs ZVS,开通,.,MOSFET t3,和,t6,时刻关断时,电流远小于负载电流,所以能减小 关断损耗。,副边二极管零电流关断,几乎没有反向恢复过程。,LLC,电路的开关损耗非常小,故工作频率可以设计的很高。,.,LLC,电路特性,MOSFETs ZVS 开通.LLC电路特性,THANK YOU,SUCCESS,2024/11/15,7,可编辑,THANK YOUSUCCESS2023/10/87,LLC,电路等效模型,LLC电路等效模型,DC/DC,变换,vs.K,DC,变换率,:,DC/DC 变换vs.KDC 变换率:,最大变换率时的频率:,感性阻抗和,ZVS,最大变换率时的频率:感性阻抗和ZVS,增益最大值随负载变化。轻载时,最大值与,Lm+Lr,与,Cr,的谐振频率接近。负载变重时,最大值向,Lr,与,Cr,的谐振频率接近。,开关频率在,f1,附近时,增益几乎不随负载变化。,增益特性可以是升压模式或降压模式。,当负载变轻时,电路特性更像,PRC,负载加重时,将向,SRC,变化。,直流特性,增益最大值随负载变化。轻载时,最大值与Lm+Lr与Cr的谐振,工作区域可分为两个,:ZCS,和,ZVS,。,当开关频率比,f1,高时,变换器总是工作在,ZVS,条件下。,当开关频率比,f2,低时,变换器总是工作在,ZCS,条件下。,当开关频率在,f1,和,f2,之间时,负载将决定电路在哪个区域。,工作在,f1,和,f2,之间时,开关损耗低。,直流特性,工作区域可分为两个:ZCS 和ZVS。直流特性,在整个负载范围内均可实现,ZVS,和低的,MOSFET,关断电流,所以变换器的开关损耗很小。,电路在输入电压最高时效率最高。故能够在正常工作条件下优化电路。,由于没有二次侧滤波电感,故副边二极管的电压应力小。,LLC,电路总结,在整个负载范围内均可实现ZVS和低的MOSFET关断电流,所,THANK YOU,SUCCESS,2024/11/15,14,可编辑,THANK YOUSUCCESS2023/10/81,
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