光电子技术复习模板

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,考试时间：十四周星期五12月9日下午3:00-5:00,考试地点：N-228,1.一个激光器应当包含 、和 三局部。,光电子技术复习题,泵浦源,工作物质光放大器,谐振腔,2.爱因斯坦认为光和物质原子的相互作用过程包括 、和 三种过程，其中 是激光器的物理根底。,自发辐射，受激辐射，受激吸取，受激辐射,第一章,:,4.半导体激光器泵浦可承受 和,两种方式。,端面，侧面,3.引入g参数可便利描述共轴球面腔的稳定条件，假设g1=1-L/R1，g2=1-L/R2,则满足条件01的开腔称为 ,满足条件g1g2=0或g1g2=1的开腔称为 。平行平面腔属于 。,稳定腔，非稳定腔，临界腔，临界腔,5.按工作物质来分，He-Ne激光器属于 ，其中激光跃迁发生在原子的能级间，作为帮助气体来提高泵浦效率。,气体激光器，,Ne,He,6.简述激光器的根本组成及各局部所起的作用,激光的组成包括工作物质,泵浦源,谐振腔,作用,-,工作物质,:,实现粒子数反转,泵浦源,:,将粒子从低能级激发到高能级,谐振腔,:(1),延长工作物质,实现光放大,(2),使激光具有较好的方向性,(3),选频,使激光有较好的单色性,.,激光的稳定性条件,:,所以此腔为稳定腔,7.,给出激光谐振腔的稳定性条件,有一球面腔,R1=1.5m,R2=-1m,L=0.8m,通过计算说明此腔的稳定性,1.,气溶胶对光波的衰减包括气溶胶,和,。光的散射定理指出，当光波长远大于散射粒子尺寸时，产生,散射。当光的波长相当于或小于散射粒子尺寸时，产生,散射。,其次章,散射，吸取，瑞利，米氏。,2.,光波在大气中传播时，由于大气气体分子及气溶胶的,会引起光束的能量衰减；由于空气,会引起光波的振幅和相位起伏；当光波功率足够够大，持续时间极短时，,也会影响光束的特性。,吸取和散射，折射率不均匀，非线性效应,模色散,材料色散,波导色散，模色散,3.,多模光纤的色散起因主要是,三种，其中,占主要成分。,4.造成光纤衰减的主要来源有哪两种,它们产生的缘由分别是什么?,光纤衰减的主要缘由是吸取损耗和散射损耗。,吸取损耗是由于光纤材料和其中的有害杂质对光能的吸取引起的,它们把光能以热能的形式消耗于光纤中。散射损耗是由于光纤制作工艺上的不完善,如有微气泡折射率不均匀，以及有内应力等，光能在这些地方会发生散射而损耗。,6.说明光纤波导的弱导条件及其根本含义。,当光纤的相对折射率差,0.1,时,该式称为光纤的弱导条件,弱导的基本含义是指很小的折射率差就能构成良好的光纤波导结构,而且为制造提供了很大的方便。,5.依据折射率分布，可将光纤分为 和,两类；依据传播模式的数目，可将光纤分为和 两类；,阶跃光纤，梯度光纤，单模光纤，多模光纤,纵向电光效应，横向电光效应,1.依据电场方向与光束在晶体中传播方向的关系，电光效应可分为 和 两种方式。,第三章,2.要实现脉冲编码调制，必需进展 ,三个过程。,抽样，量化，编码,拉曼,纳斯衍射，布拉格衍射,3.依据声波频率的凹凸以及声波和光波作用的长度不同，可以将声光相互作用分为和,两种类型。,4.,声光调制器是由,、,、,及,等组成。,声光介质，电-声换能器，吸声反射装置，驱动电源,纵向电光调制器具有构造简洁、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。其缺点是半波电压太高，特殊是在调制频率较高时，功率损耗比较大。,5.,简述纵向电光调制和横向电光调制各有什么优缺点。,横向效应运用时，半波电压与晶体的长宽比(L/d)有关。增大L 或减小d 就可大大降低半波电压，但存在自然双折射产生的固有相位延迟，对环境温度敏感。由于需要补偿，光调制器构造简单，尺寸加工要求高，,以激光为载体，将信息加载到激光的过程，称为调制或光束调制。,光束具有振幅、频率、相位、强度和偏振等参量，可以应用某些物理的方法，使其参量之一依据调制信号的规律变化，实现光束的调制。,6.什么是光的调制？说明光束调制的根本原理和方法。,实现激光光束调制的方法依据调制器与激光器的关系，可以分为内调 制和外调制两种。内调制是指加载信号在激光振荡过程中进展的，以调制信号转变激光器的振荡参数，从而转变激光输出特性实现调制。(2分)外调制是在激光形成之后，在激光器的光路上放置调制器，用调制信号转变调制器的物理性质，当激光光束通过调制器时，使光波的某个参量受到调制。,第四章,1.依据噪声产生的物理缘由，可将光电探测器的噪声大致分为 ,和 三类。,散粒噪声，热噪声，低频噪声。,2.和 是光电池两个特别重要的工作状态，它们分别对就于RL=0和RL=的状况。,短路电流，开路电压,3.说明PIN硅光二极管中本征层I层的作用。,本征材料的电阻率委高，因此反偏电场主要集中在这一区域。高的电阻使暗电流明显减小。在这里产生的光生电子-空穴对将马上被电场分别，并作快速漂移运动。本征层的引入明显增大了P+区的耗尽厚度，这有利于缩短载流子的集中过程。耗尽层的加宽也明显地减小了结电容Cj，从而使电路的时间常数减小。由于光谱响应的长波区硅材料的吸取系数明显减小，所以耗尽层的加宽还有利于对长波区光辐射的吸取。这样PN结又供给了较大的灵敏体积，有利于量子效率的改善。,光电探测器的主要性能参数包括1积分灵敏度R，2光谱灵敏度R,3频率灵敏度Rf,(4)量子效率，(5能量阈Pth和噪声等效功率NEP,6归一化探测度D*,探测器测光的光源光谱特性必需与光电探测器的光谱响应特性匹配；考虑时间响应特性；考虑光电探测器的线性特性等。,4.,光电探测器的主要性能参数有哪些？结合这些参数总结选用光电探测器的一般原则。,第五章,1.电荷耦合器件CCD与其它器件相比，最突出的特点是它以 作为信号，而其它大多数器件是以 或者 作为信号。,电荷，电流，电压。,2.CCD,的噪声可归纳为三类：,、,和,。,3.,对红外成像系统来说，系统性能的综合量度是,和,。,散粒噪声，转移噪声，热噪声,空间区分率，温度区分率,4.一目标经红外成像系统成像后供人眼观看，在某一特征频率时，目标比照度为0.5,大气的MTF为0.9，探测器的MTF为0.5，电路的MTF为0.95，CRT的MTF为0.5，则在这一特征频率下，光学系统的MTF至少要多大？,构成CCD的根本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。正如其它电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。假设MOS构造中的半导体是P型硅，当在金属电极称为栅上加一个正的阶梯电压时衬底接地，Si-SiO2界面处的电势称为外表势或界面势发生相应变化，四周的P型硅中多数载流子空穴被排斥，形成所谓耗尽层。假设栅电压VG超过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里的势能较低，我们可以形象化地说：半导体外表形成了电子的势阱，可以用来存储电子。,5.以P型硅MOS构造为例说明CCD存贮电荷的根本原理。,当外表存在势阱时，假设有信号电子电荷来到势阱及其邻近，它们便可以聚拢在外表。随着电子来到势阱中，外表势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子渐渐填充势阱。势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即外表势的大小，而外表势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。假设没有外来的信号电荷。耗尽层及其邻近区域在肯定温度下产生的电子将渐渐填满势阱，这种热产生的少数载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下产生的载流子。因此，电荷耦合器件必需工作在瞬态和深度耗尽状态，才能存储电荷。,第六章,1.,从分子排列的有序性来，液晶可以分为,、,和,。目前显示器件的主要材料是,液晶分子。,2.,在彩色电视中，通常选用,、,、,作为三种基色光。,向列相，近晶相，胆甾相，向列相,红，绿，蓝,3.,液晶显示背光的三种方式是,、,和,。,反射式，透射式，投射式,注入电致发光是在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。高场电致发光是将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透亮电极板之间，外施电压，由电场直接鼓励电子与空穴复合而发光。,4.试说明注入电致发光和高场电致发光的根本原理。,5.,简述液晶显示器的优点。,1低压，微功耗；2平板构造；3被动显示型；4易彩色化；5信息量大；6寿命长；7无辐射，无污染,第七章,1.依据光纤在传感器中所起的作用,光纤传感器一般可分为 和 两大类。,传感型，传光型,2.目前，光纤通信正向 、,和方向进展。,超高速，大容量，远距离,1.容许频带很宽，传输容量很大,2.损耗很小，中继距离很长且误码率很小,3.重量轻、体积小,4.抗电磁干扰性能好,5.泄漏小，保密性能好,6.节省金属材料，有利于资源合理使用,3.,简述光纤通信的优点。,依据光纤在传感器中所起的作用，光纤传感器一般可分为两大类：,1传感型光纤传感器-利用光纤本身的特征把光纤直接作为敏感元件，既感知信息又传输信息也称为功能型或全光纤传感器。,2传光型光纤传感器-利用其他敏感元件感知待测量的变化，光纤仅作为光的传输介质，传输来自远处或难以接近场所的光信号非功能型或混合型。,4.,简述光纤传感器的分类及光纤在其中所起作用,