奥氏体晶粒长大及其控制课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,9.1.4,奥氏体晶粒长大 及其控制,1,奥氏体晶粒度,2,奥氏体晶粒长大原理,3,影响奥氏体晶粒长大的因素,1,9.1.4 奥氏体晶粒长大 及其控制 1奥,奥氏体化的目的是获得,成分均匀,和,一定晶粒大小,的奥氏体组织。多数情况下希望获得细小的奥氏体晶粒，有时也需要得到较大的奥氏体晶粒。,因此，为获得所期望的奥氏体晶粒尺度，必须了解奥氏体晶粒的长大规律，掌握控制奥氏体晶粒度的方法。,2,奥氏体化的目的是获得成分均匀和一定晶粒大小的奥,Hall-Petch公式,奥氏体晶粒大小对钢的力学性能的影响,3,Hall-Petch公式奥氏体晶粒大小对钢的力学性能的影响3,1奥氏体晶粒度,可以用,奥氏体晶粒直径,或,单位面积中奥氏体晶粒数目,来表示奥氏体晶粒大小。为了方便起见，实际生产上习惯用,奥氏体晶粒度,来表示奥氏体晶粒大小。,4,1奥氏体晶粒度 可以用奥氏体晶粒直径或单位面积,奥氏体晶粒度级别,N,与奥氏体晶粒大小的关系为,式中，,n,为放大100倍视野中每平方,英寸,（6.45cm,2,）所含的平均奥氏体晶粒数目。,奥氏体晶粒愈细小，,n,就愈大，,N,也就愈大。,奥氏体晶粒度,级别,N,通常分为,8,级标准评定，,l,级最粗，,8,级最细，超过,8,级以上者称为超细晶粒,。,5,奥氏体晶粒度级别N与奥氏体晶粒大小的关系为式中，n为放大10,表9.3 晶粒度级别对照表,晶粒度级别 N,放大100倍时每平方英寸面积内晶粒数n,平均每个晶粒所占面积(mm,2,),晶粒平均直径d,(mm),弦平均长度,(mm),1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,1,2,4,8,16,32,64,128,256,512,0.0625,0.0312,0.0156,0.0078,0.0039,0.00195,0.00098,0.00049,0.000244,0.000122,0.250,0.177,0.125,0.088,0.062,0.044,0.031,0.022,0.0156,0.0110,0.222,0.157,0.111,0.0783,0.0553,0.0391,0.0267,0.0196,0.0138,0.0098,6,表9.3 晶粒度级别对照表放大100倍时每平方英寸面积内晶,起始晶粒度,:珠光体刚刚转变成奥氏体,的晶粒大小。,实际晶粒度,:热处理后所获得的奥氏体,晶粒的大小。,本质晶粒度,:度量钢本身晶粒在930,以下,随温度升高,晶粒长,大的程度。,奥氏体晶粒度,根据标准试验方法，在93010保温足够时间（38小时）后测得的奥氏体晶粒大小。此时，奥氏体晶粒度在58级者称为,本质细晶粒钢,，而奥氏体晶粒度在14级者称为,本质粗晶粒钢,。,7,起始晶粒度:珠光体刚刚转变成奥氏体奥氏体晶粒度根据标准试验,本质晶粒度,只是表示钢在一定条件下奥氏体晶粒长大的倾向性，与,实际晶粒度,不尽相同。,例如，对于本质细晶粒钢，当加热温度超过,950,1000,时也可能得到十分粗大的实际晶粒。而对于本质粗晶粒钢，当加热温度略高于临界点时也可能得到比较细小的奥氏体晶粒。,但在一般情况下，本质细晶粒钢热处理后获得的实际晶粒往往是细小的。,8,本质晶粒度只是表示钢在一定条件下奥氏体晶粒长大的倾向,图9.10 加热温度对奥氏体晶粒大小的影响,9,图9.10 加热温度对奥氏体晶粒大小的影响 9,钢的本质晶粒度示意图,10,钢的本质晶粒度示意图10,单位面积内的奥氏体晶粒数目,n,与,I,和,G,之间的关系可用下式表示：,式中，,K,为系数。可见，,I,G,值愈大，,n,就愈大，即奥氏体晶粒就愈细小。,这说明增大形核率,I,或降低长大速度,G,是获得细小奥氏体晶粒的重要途径。,11,单位面积内的奥氏体晶粒数目n与I和G之间的关系可用下式表示：,2奥氏体晶粒长大原理,为了减少总的晶界面积，在一定温度条件下奥氏体晶粒会发生相互吞并而使晶粒长大的现象。所以，奥氏体晶粒长大在一定条件下是一个自发过程。奥氏体晶粒是晶粒长大动力和晶界推移阻力相互作用的结果。,12,2奥氏体晶粒长大原理 为了减少总的晶界面积，在一定,（1）晶粒长大动力,奥氏体晶粒的长大动力是奥氏体晶粒大小的,不均匀性,。,理想状态,的晶界如图9.11所示。,晶粒呈六边形，晶界成直线，三条晶界相交于一点并且互成,120,o,角，在二维平面上每个晶粒均有六个邻接晶粒。处于这种状态下的奥氏体晶粒不易长大。,13,（1）晶粒长大动力 奥氏体晶粒的长大动力是奥氏体,实际上，奥氏体晶粒的大小是不均匀的。因此，直径,小于,平均晶粒直径的晶粒，其邻接晶粒数可能,小于,6,；而直径,大于,平均晶粒直径的晶粒，其邻接晶粒数可能,大于,6,。,为了保持界面张力平衡，相交于一点的三条晶界应互成,120,o,角。,14,实际上，奥氏体晶粒的大小是不均匀的。因此，直径小于平,因此，在一定温度条件下，由于界面张力平衡作用，凡邻接晶粒数,小于,6,的晶粒的晶界将弯曲成,正曲率弧,，使晶界面积增大，界面能升高。而为了减少晶界面积以降低界面能，晶界有由曲线（曲面）变成直线（平面）的自发趋势，因此，将导致该,晶粒缩小,，直至消失；而邻接晶粒数,大于,6,的晶粒的晶界也因界面张力平衡而弯曲成,负曲率弧,，同样为了减少界面面积，降低界面能，该晶粒将,长大,，从而吞并小晶粒。,15,因此，在一定温度条件下，由于界面张力平衡作用，凡邻接,聚集再结晶,进一步提高加热温度或延长保温时间，大晶粒将继续长大。所以，奥氏体晶粒长大就是这种无数个小晶粒被吞并和大晶粒长大的综合结果。这种长大过程称为奥氏体的,聚集再结晶,。,16,聚集再结晶 进一步提高加热温度或延长保温时间，大晶粒将,奥氏体晶粒的长大驱动力,F,与晶粒大小和界面能大小有关，可用下式表示,式中，为单位面积晶界界面能（比界面能）；,R,为晶界曲率半径，若晶粒为球形时,R,即为其半径。,可见，,若比界面能愈大，晶粒尺寸愈小，则奥氏体晶粒长大的驱动力,F,就愈大，即晶粒长大的倾向性就愈大，晶界愈容易迁移。,17,奥氏体晶粒的长大驱动力F与晶粒大小和界面能大小有关，可用下式,（2）晶界推移阻力,在实际材料中，在晶界或晶内往往存在很多细小难溶的第二相沉淀析出粒子。推移中的,晶界遇到第二相粒子时将发生弯曲（,与第二相界面保持垂直,界面力平衡,），导致晶界面积增大，界面能升高，因此这些,第二相粒子将阻碍晶界迁移,，起着钉扎晶界的作用。如图9.12所示。,图9.12 晶界移动时与第二相粒子的交互作用示意图,18,（2）晶界推移阻力 在实际材料中，在晶界或晶内往往存在,在第二相粒子附近的晶界发生弯曲，导致晶界面积增大，界面能升高。弥散析出的第二相粒子,愈细小,，粒子附近晶界的,弯曲曲率就愈大,，晶界面积的增大就愈多，因此,界面能的增大,也就愈多。这个使系统自由能增加的过程是不可能自发进行的。所以，沉淀析出的第二相粒子的存在是晶界推移的阻力。,19,在第二相粒子附近的晶界发生弯曲，导致晶界面积增大，界,第二相粒子对晶界推移的最大阻力,F,m,与粒子半径,r,及单位体积中粒子的数目,f,之间有如下关系：,可见，当第二相粒子的体积百分数一定时，粒子,尺寸愈小,，单位体积中粒子,数目愈多,（即分散度愈大），则其对晶界推移的,阻力就愈大,。,20,第二相粒子对晶界推移的最大阻力Fm与粒子半径,由上述可知，在有第二相粒子存在的情况下，奥氏体的长大过程要受到弥散析出的第二相粒子的阻碍作用。随奥氏体晶粒长大过程的进行，奥氏体总的晶界面积逐渐减小，晶粒长大动力逐渐降低，直至,晶粒长大动力和第二相弥散析出粒子的阻力,相平衡时奥氏体晶粒便停止长大。,21,由上述可知，在有第二相粒子存在的情况下，奥氏体的长大,在,一定温度,下，奥氏体晶粒的平均极限半径,R,Lim,取决于第二相沉淀析出粒子的半径,r,及其单位体积中的数目,f,，即,当,温度过高,时，阻止晶粒长大的难溶第二相粒子发生聚合长大或溶解于奥氏体中，失去了抑制晶粒长大的作用，奥氏体晶粒便迅速长大。,22,在一定温度下，奥氏体晶粒的平均极限半径RLi,由于沉淀析出粒子的分布是不均匀的，所以晶粒长大的阻力亦是不均匀的，往往可能在局部区域晶界推移阻力很小，晶粒异常长大，出现晶粒大小极不均匀的现象，即所谓的“,混晶,”。,由于混晶造成的晶粒大小不均匀，又导致晶粒长大,驱动力的增大,，当晶粒长大驱动力超过晶界推移阻力时，其中较大的晶粒将吞并周围较小的晶粒而长大，形成更为粗大的晶粒。,23,由于沉淀析出粒子的分布是不均匀的，所以晶粒长大,总之，奥氏体晶粒长大是一种自发过程，其主要表现为晶界的推移，高度弥散的难溶第二相粒子对晶粒长大起很大的抑制作用。,为了获得细小的奥氏体晶粒，,必须保证钢中含有足够数量和足够细小的难溶第二相粒子。,24,总之，奥氏体晶粒长大是一种自发过程，其主要表现,3影响奥氏体晶粒长大的因素,形核率,I,与长大速度,G,之比值,I/G,愈大，奥氏体的,起始晶粒,就愈细小。,在起始晶粒形成之后，,实际晶粒度,则取决于奥氏体晶粒在继续保温或升温过程中的长大倾向。而,起始晶粒愈细小，大小愈不均匀，界面能愈高，则奥氏体晶粒长大的倾向就愈大,。,晶粒长大主要表现为,晶界迁移,，实质上是原子在晶界附近的扩散过程，它将受到诸多因素的影响。,25,3影响奥氏体晶粒长大的因素 形核率I与长大速度,（1）加热温度和保温时间的影响,加热温度愈高，保温时间愈长，奥氏体晶粒将愈粗大，如图9.13所示。,由图中可见，在每个温度下都有一个加速长大期，当奥氏体晶粒长到一定尺寸后，长大过程将减慢直至停止长大。加热温度愈高，奥氏体晶粒长大进行得就愈快。,保温时间,26,（1）加热温度和保温时间的影响 加热温度愈高，,奥氏体晶粒长大速度,u,与晶界迁移速率及晶粒长大驱动力成正比，即,式中，,K,为常数；,R,为气体常数；,T,为绝对温度；,Q,m,为晶界移动激活能或原子扩散跨越晶界激活能，为比界面能，,D,为奥氏体晶粒直径。,（9.10）,27,奥氏体晶粒长大速度u与晶界迁移速率及晶粒长大,可见，随着,加热温度升高,，晶粒长大速度,u,呈指数函数关系迅速增大。同时，,晶粒愈细小,，界面能愈高，晶粒长大速度,u,就愈大。但当晶粒长大到一定程度后，由于,D,增大（奥氏体晶粒直径），,晶粒长大速度将减慢，这与图9.13的结果一致。,28,可见，随着加热温度升高，晶粒长大速度u呈指数函数关系,（2）加热速度的影响,加热速度愈大，过热度就愈大，即奥氏体实际形成温度就愈高，奥氏体的形核率与长大速度之比值,I/G,增大（表9.1）,，所以快速加热时可以获得细小的奥氏体起始晶粒。而且，,加热速度愈快，奥氏体起始晶粒就愈细小,。,29,（2）加热速度的影响 加热速度愈大，过热度就愈大,表9.1 奥氏体的形核率I、长大速度G与温度的关系,转变温度,（,）,形核率,I,（1/mm,3,s）,长大速度,G,（mm/s）,转变一半所需时间,（s）,740,2280,0.0005,100,760,11000,0.010,9,780,51500,0.026,3,800,616000,0.041,1,30,表9.1 奥氏体的形核率I、长大速度G与温度的关系转变温,但由于起始晶粒细小，加之温度较高，奥氏体晶粒很容易长大，因此,不宜长时间保温,，否则晶粒反而更加粗大。所以，在保证奥氏体成分均匀的前提下，,快速加热,并短时保温能获得细小的奥氏体晶粒。,悬挂式热处理生产线,31,但由于起始晶粒细小，加之温度较高，奥氏体晶粒很容易长,（3）钢中碳含量的影响,在钢中碳含量,不足以形成过剩碳化物,的情况下，加热时奥氏体晶粒,随钢中碳含量增加而增大,。,这是因为，,钢中碳含量增加时，,C,原子在奥氏体中的扩散速度及,Fe,原子的自扩散速度均增大，,故奥氏体晶粒长大的倾向增大。,32,（3）钢中碳含量的影响 在钢中碳含量不足以形成过剩碳,但是，,当,碳含量超过一定限