资源描述
宽禁带半导体 InN High-Indium-Content InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes High-indium-content InGaN/GaN MQW LED structures were epitaxially grown by MOVPE. With 70% indium in the InGaN well layers, it was found that the photoluminescence (PL) full-width at half maximum (FWHM) is stronger than that in the case of low-indium-content InGaN/GaN MQW LED structures. It was also found that the peak position of electroluminescence (EL) fabricated In0.7Ga0.3N/GaN LED depends strongly on injection current. As injection current increased from 1 mA to 150 mA, it was found that the output color of the In0.7Ga0.3N/GaN LED changed from orange to yellow, to yellowish green, and finally to yellowish white InGaN-Based Single-Chip Multicolor Light-Emitting Diodes A light-emitting diode (LED) driving technique to realize single-chip multicolor LEDs was proposed. The technique utilizes one of the characteristics of InGaN-based visible LEDs, the current-induced spectral blueshift. By applying pulsed current, which had two pulses of different amplitude in a cycle, to an InGaN single-quantum-well green LED, the light of two wavelengths corresponding to bluegreen and green was emitted from the same point, and the emission color of the LED was controlled continuously from bluegreen to green by adjusting only the pulse widths. 二、氮化物的用途 氮化物半导体的主要特点 GaN, AlN, InN 及其合金体系，全部为直接带隙，构成高亮度发光材料。 易于生成多层异质结构，形成MQWs，SLS, 2DEG等结构，有利于器件结构设计。 带隙范围覆盖了整个可见光到远紫外波段，特别是在短波长方面，目前是唯一最佳选择。 结构稳定，耐腐蚀，长寿命 氮化物半导体的主要用途 高亮度紫外光、蓝光、绿光和白光光发射二极管（LED），包括红光和红外光LED 近紫外（UV）光激光器（LD） 可见光盲的UV光传感器 高温大功率场效应晶体管（FET） 高温稀磁半导体、自旋电子学器件 GaN-based LED蓝 光 : 470 480nm绿 光 ： 525nm白 光 ： 465nmUV: 250-400nm LED白色光源 D65 日光点互补二色光合成 RGB三色光合成 UV-LED + 无机荧光粉 B-LED + YAG无机荧光粉 B-LED + 有机/聚合物 直接发射宽谱白光LED HP采用B-LED + YAG无机荧光粉的方法，研制的白光LED灯在CIE1931 色度坐标标称值为： x = 0.31, y = 0.32；这代表了约6500K色温；15度视角等为2000 mcd，30度视角为800 mcd。目前定价为0.9美元/个 日亚B-LED + YAG无机荧光粉推出的白光LED为2000 mcd，标准5mm封装 GaN-based LD波 长 ： 405nm 不 同 光 源 DVD容 量 比 较 GaN-based UV-detectors波 长 ： 可 见 光 盲 320nm H igh-performance AlG aN-based solar-blind ultraviolet p i ndetectors on laterally epitaxially overgrown G aN UV-detector 导 弹 监 测 系 统UV detector导 弹 跟 踪 系 统 GaN-based DMSCurie temperature: higher then room temperature Ferromagnetic, diluted magnetic and non-magnetic. Applications LED白色光源 RGB三色光合成 UV-LED + RGB荧光粉 B-LED + YAG无机荧光粉 B-LED + 有机/聚合物 直接发射宽谱白光LED 21世 纪 的 主 导 产 业 国 际 公 认 21世 纪 是 光 电 子 与 微 电 子 紧 密 结 合 发 挥 作 用 的 时 代 ,信 息 光 电 子 产 业 将 成 为 21世 纪 的 明 星 产 业 和 支 柱 产 业 。 日 本 工 业 调 查 会 总 经 理 志 村 幸 雄 指 出 ， 21世 纪 具 有 代 表 意 义 的 主 导 产 业 ： 一 是 光 电 子 产 业 、 二 是 信 息 通 信 产 业 ， 三 是 健 康 和 福 利 产 业 ， 四 是 环 境 和 新 能 源 产 业 。 氮 化 物 半 导 体 技 术半导体照明光源的基石 Nitride Semiconductor 氮化物半导体技术 二、发展趋势 氮化物研究的主要课题 物理问题的研究-原理机制的创新 新的生长技术和机理的研究-方法创新 GaN衬底材料-材料功能创新 短波长激光器 高温大功率电子器件 紫外光探测器 稀磁半导体和自旋电子学 相关技术、材料领域的研究 波 长 为 400nm时 ， 外 部 量 子 效 率 最 高由 日 亚 化 学 工 业 、 美 国 Cree公 司 和 NECD等 公 司 推 动 的 “ 21世 纪 照 明 工 程 ” 的 GaN类 LED外部 量 子 效 率 比 较 。 在 400nm附 近 ， 外 部 量 子 效 率 达 到 最 大 值 。 如 果 波 长 超 过 400nm， 外 部 量子 效 率 就 会 缓 慢 降 低 。 如 果 小 于 400nm， 外 部 量 子 效 率 则 会 急 剧 降 低 氧化条形结构 限制P型电极面积的大小来改善电流的注入侧向电流和光限制均较差光损耗大，激光器效率低属于增益导引机制。 腔镜面制备的困难 GaN与蓝宝石解理面错开30度 激光剥离，自然解理镜面 2NGaGaN 加 热小于5nm High-Indium-Content InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes High-indium-content InGaN/GaN MQW LED structures were epitaxially grown by MOVPE. With 70% indium in the InGaN well layers, it was found that the photoluminescence (PL) full-width at half maximum (FWHM) is stronger than that in the case of low-indium-content InGaN/GaN MQW LED structures. It was also found that the peak position of electroluminescence (EL) fabricated In0.7Ga0.3N/GaN LED depends strongly on injection current. As injection current increased from 1 mA to 150 mA, it was found that the output color of the In0.7Ga0.3N/GaN LED changed from orange to yellow, to yellowish green, and finally to yellowish white GaN-based LD波 长 ： 405nm 氧化条形结构 限制P型电极面积的大小来改善电流的注入侧向电流和光限制均较差光损耗大，激光器效率低属于增益导引机制。
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