ds1302时钟芯片介绍

标题,第二级,第三级,第四级,第五级,第,12,章 时钟芯片,1302,*,泉州信息职业技术学院,第,*,页,DS1302,时钟芯片介绍,一,DS1302,的主要性能指标,（,1,）,DS1302,实时时钟具有能计算,2100,年之前的秒、分、时、日、日期、星期、月、年的能力，还有闰年调整的能力。,（,2,）内部含有,31,个字节静态,RAM,，可提供用户访问。,（,3,）采用串行数据传送方式，使得管脚数量最少，,简单,SPI 3,线接口,。,（,4,）工作电压范围宽：,2.0,5.5V,。,（,5,）工作电流：,2.0V,时，小于,300nA,。,（,6,）时钟或,RAM,数据的读,/,写有两种传送方式：单字节传送和多字节传送方式。,（,7,）采用,8,脚,DIP,封装或,SOIC,封装。,（,8,）与,TTL,兼容，,Vcc,=5V,。,（,9,）可选工业级温度范围：,-40,C,+85,C,。,（,10,）具有涓流充电能力。,（,11,）,采用主电源和备份电源双电源供应,。,（,12,）备份电源可由电池或大容量电容实现。,二引脚功能,DS1302,的引脚图,其中：,X1,、,X2,：,32.768KHz,晶振接入引脚。,GND,：地。,：,复位引脚，低电平有效,操作时高电平,。,I/O,：,数据输入,/,输出引脚，具有三态功能,。,SCLK,：,串行时钟输入引脚,。,Vcc1,：工作电源引脚。,Vcc2,：备用电源引脚。,DS1302,内部结构,三,DS1302,的寄存器及片内,RAM,DS1302,有一个控制寄存器、,12,个日历、时钟寄存器和,31,个,RAM,。,可读写,（一）控制寄存器,控制寄存器用于存放,DS1302,的控制命令字，,DS1302,的,RST,引脚回到高电平后写入的第一个字就为控制命令。它用于对,DS1302,读写过程进行控制，它的格式如下：,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,1,RAM/CK,A4,A3,A2,A1,A0,R/W,其中：,D7,：固定为,1,D6,：,RAM/CK,位。,=1:,片内,RAM,；,=0:,日历、时钟存器选择位。,D5D1,：地址位，用于选择进行读写的日历、时,钟寄存器或片内,RAM,。对日历、时钟,寄存器或片内,RAM,的选择见表。,D0,：读写选择，,=0,写，,=1,读,寄存器名称,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,1,RAM/CK,A4,A3,A2,A1,A0,R/W,秒寄存器,1,0,0,0,0,0,0,0,或,1,分寄存器,1,0,0,0,0,0,1,0,或,1,小时寄存器,1,0,0,0,0,1,0,0,或,1,日寄存器,1,0,0,0,0,1,1,0,或,1,月寄存器,1,0,0,0,1,0,0,0,或,1,星期寄存器,1,0,0,0,1,0,1,0,或,1,年寄存器,1,0,0,0,1,1,0,0,或,1,寄存器名称,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,1,RAM/CK,A4,A3,A2,A1,A0,R/W,写保护寄存器,1,0,0,0,1,1,1,0,或,1,慢充电寄存器,1,0,0,1,0,0,0,0,或,1,时钟突发模式,1,0,1,1,1,1,1,0,或,1,RAM0,1,1,0,0,0,0,0,0,或,1,1,1,0,或,1,RAM30,1,1,1,1,1,1,0,0,或,1,RAM,突发模式,1,1,1,1,1,1,1,0,或,1,（二）,日历、时钟寄存器,DS1302,共有,12,个寄存器，其中有,7,个与日历、时钟相关，存放的数据为,BCD,码形式。日历、时钟寄存器的格式如表。,寄存器名称,取值范围,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,秒寄存器,00,59,CH,秒的十位,秒的个位,分寄存器,00,59,0,分的十位,分的个位,小时寄存器,01,12,或,00,23,12/24,0,A/P,HR,小时的个位,日寄存器,01,31,0,0,日的十位,日的个位,寄存器名称,取值,范围,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,月寄存器,01,12,0,0,0,1,或,0,月的个位,星期寄存器,01,07,0,0,0,0,星期几,年寄存器,01,99,年的十位,年的个位,写保护寄存器,WP,0,0,0,0,0,0,0,慢充电寄存器,TCS,TCS,TCS,TCS,DS,DS,RS,RS,时钟突发寄存器,说明：,（,1,）数据都以,BCD,码,形式。,（,2,）小时寄存器的,D7,位为,12,小时制,/24,小时制的选择位，当为,1,时选,12,小时制，当为,0,时选,24,小时制。当,12,小时制时，,D5,位为,1,是上午，,D5,位为,0,是下午,，,D4,为小时的十位。当,24,小时制时，,D5,、,D4,位为小时的十位。,（,3,）秒寄存器中的,CH,位为时钟暂停位,，当为,1,时钟暂停，为,0,时钟开始启动。,4,）写保护寄存器中的,WP,为写保护位，当,WP=1,，写保护，,当,WP=0,未写保护,，当对日历、时钟寄存器或片内,RAM,进行写时,WP,应清零，,当对日历、时钟寄存器或片内,RAM,进行读时,WP,一般置,1,。,（,5,）慢充电寄存器的,TCS,位为控制慢充电的选择，当它为,1010,才能使慢充电工作。,DS,为二极管选择位。,DS,为,01,选择一个二极管，,DS,为,10,选择二个二极管，,DS,为,11,或,00,充电器被禁止，与,TCS,无关。,RS,用于选择连接在,V,CC2,与,V,CC1,之间的电阻，,RS,为,00,，充电器被禁止，与,TCS,无关，电阻选择情况见表,.,RS,位,电阻器,阻值,00,无,无,01,R1,2K,10,R2,4K,11,R3,8K,（三）,片内,RAM,DS1302,片内有,31,个,RAM,单元，对片内,RAM,的操作有两种方式：单字节方式和多字节方式。当控制命令字为,C0HFDH,时为单字节读写方式，命令字中的,D5D1,用于选择对应的,RAM,单元，其中,奇数为读操作，偶数为写操作,。,当控制命令字为,FEH,、,FFH,时为多字节操作（表中的,RAM,突发模式），多字节操作可一次把所有的,RAM,单元内容进行读写。,FEH,为写操作，,FFH,为读操作。,置,RST,高电平启动输入输出过程，,在,SCLK,时钟的控制下，控制命令字写入,DS1302,的控制寄存器，,根据写入的控制命令字，依次读写内部寄存器或片内,RAM,单元的数据，,对于日历、时钟寄存器，根据控制命令字，一次可以读写一个日历、时钟寄存器，也可以一次读写,8,个字节，对所有的日历、时钟寄存器写的控制命令字为,0BEH,，读的控制命令字为,0BFH,；,对于片内,RAM,单元，根据控制命令字，一次可读写一个字节，一次也可读写,31,个字节。当数据读写完后，,RST,变为低电平结束输入输出过程。,（四）,DS1302,的输入输出过程,四、,DS1302,与单片机的接口,VCC2,X1,X2,GND,VCC1,SCLK,I/O,RST,+5V,8051,P1.0,P1.2,P1.3,+5V,DS1302,与单片机的连接仅需要,3,条线：时钟线,SCLK,、数据线,I/O,和复位线,RST,。连接图如上图。,