PNP型三极管

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,第5章,半导体器件,.1 晶体二极管,.晶体三极管,.,场效应管,.晶闸管,第5章,半导体器件,学习要点,二极管的工作原理、伏安特性、主要参数,三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数,晶体二极管、三极管的识别与简单測試,场效应管和晶闸管的工作原理、伏安特性、主要参数,5.1 晶体二极管,概述,导体：,很容易导电的物体，如金、银、铜、铁等。,绝缘体：,不容易导电或者完全不导电的物体，如塑料、橡胶、陶瓷、玻璃等。,半导体,：,导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(,Si),、,锗(,Ge,)、,金属氧化物等。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子,。,5.1.1半导体的特性,、,半导体的特性：,掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，使其导电能力明显改变。,光敏性：,当受到光照时，其导电能力明显变化。,(可制成各种光敏元件，如光敏电阻、,光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。,热敏性：,当环境温度升高时，导电能力明显増强。,在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入,磷、砷,等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，,这种半导体主要靠自由电子导电,，称为,电子,半导体或,N,型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。,（1）,N,型半导体,自由电子,多数载流子（简称多子）,空 穴,少数载流子（简称少子）,2、型半导体和型半导体,（2）,P,型半导体,在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入,硼、铝,等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的,半导体其导电作用主要靠空穴运动，,称为空穴半导体或,P,型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。,自由电子,多数载流子（简称多子）,空 穴,少数载流子（简称少子）,无论是,P,型半导体还是,N,型半导体都是中性的，通常对外不显电性。,掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。,只有将两种杂质半导体做成,PN,结后才能成为半导体器件,。,半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为,漂移运动,。,在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为,扩散运动,。,将一块半导体的一侧掺杂成,P,型半导体，另一侧掺杂成,N,型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层,PN,结,。,（1）,PN,结的形成,、,PN,结及其单向导电性,多子扩散,形成空间电荷区产生内电场,少子漂移,促使,阻止,扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的,PN,结,外加正向电压（也叫正向偏置）,外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，,N,区电子不断扩散到,P,区，,P,区空穴不断扩散到,N,区，形成较大的正向电流，这时称,PN,结处于低阻,导通,状态。,2,PN,结的单向导电性,. PN 结加反向电压（反向偏置）,外电场,内电场,P,N,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,一个,PN,结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。符号用,VD,表示。,半导体二极管按其结构不同可分为,点,接触型和,面,接触型两类。,点,接触型二极管,PN,结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。,面,接触型二极管,PN,结面积大，结电容也小，允許通过电流大，多用在低频整流、检波等电路中。,5.1.2,晶体二极管的结构与类型,（1）正向特性（导通）,外加正向电压小于开启电压（阈值电压）时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，,PN,结处于截止状态 。正向电压大于阈值电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常阈值电压硅管约为0.5,V，,导通时电压0.6,V；,锗管阈值电压约为0.2,V，,导通时电压0.3,V,。,外加反向电压时，,PN,结处于截止状态。,1、温升使反向电流增加很快；2、反向电流,很小且稳定。,（2）反向特性（截止）,5.1.3 晶体二极管的伏安特性,（3）反向击穿,反向电压大于击穿电压（,U,BR,）,时，反向电流急剧增加。原因为,电击穿,。1、强外电场破坏键结构；2、获得大能量的載流子碰撞原子产生新的电子空穴对。如无限流措施，会造成,热击穿,而损坏。,（1）最大整流电流,I,M,：,指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。,（2）反向击穿电压,U,BR,：,指管子反向击穿时的电压值。,（3）最大反向工作电压,U,RM,：,二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为,U,BR,的一半）。,（4）最大反向电流,I,RM,：,指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。,（5）最高工作频率,f,m,：,主要取决于,PN,结结电容的大小。,理想二极管,：,正向导通时为,短路,特性，,正向电阻为零,，正向压降忽略不计；反向截止时为,开路,特性，,反向电阻为无穷大,，反向漏电流忽略不计。,5.1.4 半导体二极管的主要参数,电路如图，求：,U,AB,V,阳,=6 V,V,阴,=12 V,V,阳,V,阴,二极管导通,若忽略管压降，二极管可看作短路，,U,AB,= 6V,否则，,U,AB,低于6V一个管压降，为6.3或6.7V,例1：,取,B,点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,在这里，二极管起钳位作用。,D,6V,12V,3k,B,A,U,AB,+,稳压管的主要参数：,（1）稳定电压,U,Z,。,反向击穿后稳定工作的电压。,（2）稳定电流,I,Z,。,工作电压等于稳定电压时的电流。,（3）动态电阻,r,Z,。,稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：,r,Z,=U,Z,/I,Z,（4）额定功率,P,Z,和最大稳定电流,I,ZM,。,额定功率,P,Z,是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流,I,ZM,是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是：,P,Z,=U,Z,I,ZM,稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是,反向击穿电压,。稳压管的稳压作用在于：,电流增量很大，只引起很小的电压变化。稳压管的反向击穿应是可逆的，工作电流能控制在一定范围内。,5.1.5,稳压管和发光二极管,符号：,、,稳压管,、,发光二极管（,LED）,当发光二极管的,PN,结加上正向电压时，电子与空穴复合过程以光的形式放出能量。,不同材料制成的发光二极管会发出不同颜色的光。,发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低（1.53,V）、,反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的半导体器件，常用于信号指示、数字和字符显示。,6.1.7 半导体二极管的主要参数,半导体器件品种繁多，特性不一，为,了便于分类和识别，,对不同类型的半导体器件应用不同的符号来表示。,（按照国家标准GB249 74规定，国产二极管的型,号由五部分组成，见表,5,.1）,5.1.6晶体二极管的型号命名,第一部分（数字）,第二部分（拼音）,第三部分（拼音）,第四部分（数字）,第五部分（拼音）,电极数目,材料和极性,二极管类型,二极管序号,规格号,2二极管,AN型锗,BP型锗,CN型硅,DP型硅,P普通管,Z整流管,W稳压管,K开关管,F发光管,L整流堆,表示某些性能与参数上的差别,表示同型号中的档别,表,5,.1 晶体二极管的型号命名,例如：表示开关硅二极管,5.2 晶体三极管,5.2.1,三极管的结构原理,半导体三极管是由两个背靠背的,PN,结构成的。,重要特性是具有电流放大作用和开关作用,，常见的有平面型和合金型两类。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为,双极型晶体管,，简称晶体管或三极管。,两个,PN,结，把半导体分成三个区域（三区二结）。这三个区域的排列，可以是,N-P-N，,也可以是,P-N-P。,因此，双极型三极管有两种类型：,NPN,型,和,PNP,型,。,NPN,型,PNP,型,基区：最薄，,掺杂浓度最低,发射区：掺,杂浓度最高,发射结,集电结,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,结构特点：,集电区：,面积最大,5.2.2 晶体三极管三个电极间的电流关系,和电流放大作用,1,. 各电极电流关系,I,B,(mA),I,C,(mA),I,E,(mA),0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.001,0.70,1.50,2.30,3.10,3.95,0.001,0.72,1.54,2.36,3.18,4.05,结论:,1）三电极电流关系,I,E,=,I,B,+,I,C,2）,I,C,I,B,，,I,C,I,E,3）,I,C, ,I,B,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的,电流放大作用。,实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是,CCCS,器件,。,实验表明,I,C,比,I,B,大数十至数百倍，因而有,I,C,近似等于,I,E,。,I,B,虽然很小，但对,I,C,有控制作用，,I,C,随,I,B,的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。,5.2.3,三极管的特性曲线（,NPN）,1,输入特性曲线,与二极管加正向电压类似,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,I,C,E,B,mA,A,V,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,V,+,+,+,+,2,输出特性曲线,（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置,（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置,（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置,I,B,0,时会产生垂直于衬底表面的电场。,P,型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层，,U,GS,增加，负电荷数量增多，积累的负电荷足够多时，两个,N+,区沟通，形成导电沟道，在一定的漏、源电压,U,DS,下，漏、源极之,1、,N,沟道增强型场效应管的特性曲线,按场效应管的工作情况可将漏极特性曲线分为两个区域。在虚线左边的区域内，漏、源电压,U,DS,相对较小，漏极电流,I,D,随,U,DS,的增加而增加，输出电阻,r,o,较小，且可以通过改变栅、源电压,U,GS,的大小来改变输出电阻,r,o,的阻值，这一区域称为非饱和区（可变电阻区）。在虚线右边的区域内，当栅、源电压,U,GS,为常数时，漏极电流,I,D,几乎不随漏、源电压,U,DS,的变化而变化，输出电阻,r,o,很大，,U,GD,使沟道夹断，曲线趋于与横轴平行，在栅、源电压,U,GS,增大时，漏极电流,I,D,随,U,GS,线性增大，这一区域称为饱和区（放大区）。,综上所述，场效应管的漏极电流,I,D,受栅、源电压,U,GS,的控制，即,I,D,随,U,GS,的变化而变化，所以场效应管是一种电压控制器件。场效应管栅、源电压,U,GS,对漏极,I,D,控制作用的大小用跨导,g,m,表示：,间有,I,D,出现。使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压,U,GS(th),。,U,GS,U,GS(th),时，随,U,GS,的增加,I,D,增大。,2、,N,沟道耗尽型场效应管的特性曲线,耗尽型场效应管存在原始导电沟道，,U,GS,=0,时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压,U,DS,作用下的漏极电流称为漏极饱和电流,I,DSS,。,U,GS,0,时沟道内感应出的负电荷增多，沟道加宽，沟道电阻减小，,I,D,增大。,U,GS,I,G1,I,G0,U,BR,I,F,U,BO,正向转折电压,I,H,o,U,I,I,G0,I,G1,I,G2,+,_,+,_,反向转折电压,正向平均电流,维持电流,U,5,.,4,.3 伏安特性,5,.,4,.4,主要参数,U,FRM,:,正向重复峰值电压（,晶闸管,耐压值）,晶闸管,控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在,晶闸管,两端的正向峰值电压。,一般取,U,FRM,=,80%,U,B0,。,普通,晶闸管,U,FRM,为,100V,3000V,反向重复峰值电压,控制极开路时,允许重复作用在,晶闸管,元,件上的反向峰值电压。,一般取,U,RRM,= 80%,U,BR,普通,晶闸管,U,RRM,为,100V,3000V,U,RRM,：,正向平均电流,环境温度为40,C及,标准散热条件下，,晶闸管处于,全导通时,可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。,I,F,：,I,F,t,2,如果正弦半波电流的最大值为,I,m,则,普通晶闸管,I,F,为,1A 1000A,。,U,F,:,通态平均电压（管压降）,在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，,晶闸管阳、阴极间的电压平均值。,一般为,1V,左右。,I,H,:,维持电流,在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导,通状态所必须的最小电流。,一般,I,H,为几十,一百多毫安。,U,G,、,I,G,：,控制极触发电压和电流,室温下，阳极电压为直流,6V,时，使晶闸管完,全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。,一般,U,G,为,1,到,5V,，,I,G,为几十到几百毫安。,晶闸管型号及其含义,导通时平均电压组别,共九级, 用字母AI表示0.41.2V,额定电压,用百位或千位数表示,取,U,FRM,或,U,RRM,较小者,额定正向平均电流,(,I,F,),（晶闸管类型）,P,-,普通晶闸管,K,-,快速晶闸管,S,-,双向晶闸管,晶闸管,K,P,普通型,如KP5-7表示,额定正向平均电流为,5A,额定电压为,700V,。,5,.,4,.,5,晶闸管的保护,晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。,晶闸管的热容量很小,，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只,100A,的,晶闸管,过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏；,晶闸管耐受过电压的能力极差，,电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。,一、,晶闸管的过流保护,1.,快速熔断器保护,电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。,与晶闸,管串联,接在输入端,接在输出端,快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。,2.,过流继电器保护,3.,过流截止保护,在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。,在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。,当电路发生过流故障时，,检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。,2.,硒堆保护,二、,晶闸管的过压保护,1. 阻容保护,C,R,利用电容吸收过压。,其实质就是将造成过电压,的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电,阻中消耗掉。,R,C,R,C,硒堆保护,(硒整流片),C,R,R,L,晶闸管元件,的阻容保护,知识链接,1. 二极管、三极管的测量,2. 电子元件的识别,1,.,1,二极管,的测量,1. 二极管、三极管的测量,根据二极管的单向导电性可知，二极管正向电阻小，反向电阻大。利用这一特点，可以用万用表的电阻挡大致测量出二极管的好坏和正负极性,、好坏判别,将万用表拨到,档的,R100,或,R1K,档，用万用表的两个表笔分别接到二极管的两个管脚，测其阻值，然后将表笔对换，再进行测试。,若前后两次所测阻值差别较大，则说明二极管是好的。,若前后两次所测阻值为无穷大，说明二极管内部已断路,若两次所测阻值都很小或为零，说明二极管内部已短路或被击穿,、极性判断：,将万用表拨到,档的,R100,或,R1K,档，用万用表的两个表笔分别接到二极管的两个管脚，测其阻值，电阻较小时，黑表笔所接端是二极管正极，红表笔所接是二极管的负极；反之，如果测的电阻较大时，黑表笔所接端是二极管负极，红表笔所接是二极管的正极,基极及管型的判别：,具体测试方法如图（,a）,所示。, 集电极和发射极的判别：,具体测试方法如图（,b）,所示，在实际测试中，常用手指代替100,k,的电阻。,(,a),基极的测试 (,b),集电极和发射极的测试,三极管管脚的测试,1,.,2,三,极管,的测量,判别,I,CEO,的大小,对于,NPN,管，将万用表置于电阻档的,R100,或,R1K,档后，将黑表笔接,c,极，红表笔接,e,极，测量阻值，所测阻值越大，表明,I,CEO,越小。,PNP,管的接法与之相反。,(),判别,的大小,将万用表置于,h,FE,档，将三极管的,c、b、e,管脚插入面板上相映的插孔中，利用表头读数即可。,（5）,管子好坏的粗略判别,根据三极管内结的单向导电性，可以分别测量,、,极间和,、,极间结正,、反向电阻如果两个测量值相差较大，说明管子基本是好的如果两个测量值都很大说明管子内部有断路；如果两个测量值都很小或者为零，说明管子极间短路或击穿,2.,1,电阻,2.,2 电容,2.,3 电感,2.,4 二极管,2.,5 三极管,2.,6,场效应晶体管,2. 电子元件的识别,2.,1 电阻,电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。,1、参数识别：,电阻的单位为欧姆（），倍率单位有：千欧（K），兆欧（M）等。换算,方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧,电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。,a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：,472 表示 47100（即4.7K）； 104则表示100K,b、色环标注法使用最多，现举例如下：,四色环电阻 五色环电阻（精密电阻）,2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：,颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%）,银色 / x0.01 10,金色 / x0.1 5,黑色 0 +0,棕色 1 x10 1,红色 2 x100 2,橙色 3 x1000,黄色 4 x10000,绿色 5 x100000 0.5,蓝色 6 x1000000 0.2,紫色 7 x10000000 0.1,白色 9 x1000000000 /,2.,2,电容,1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2f c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。,2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V,容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率,3、电容容量误差表,符 号 F G J K L M,允许误差 1% 2% 5% 10% 15% 20%,如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为5%。,1常见表示,：,电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。,2.,3 电感,电感结构,：,电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。,电感特点,：,直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡,电路。,电感标识：,电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。,电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。,晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。,2.,4 二极管,1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如,1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等,。,2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有,采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。,3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。,4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：,型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007,耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000,电流（A） 均为1,2.,5 三极管,晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。,1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。,它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。,电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。,2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。,2.,6 场效应管,1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。,2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。,3、场效应管与晶体管的比较,（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。,（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。,（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。,（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把,很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。,知识拓展,2,.,信号发生器的使用,1,. 示波器的使用,一、示波器的结构和原理,1,. 示波器的使用,电子枪,：,发射电子并形成很细的高速电子束,灯丝通电后加热阴极发射电子。,控制栅极上加有比阴极更低的负电压，用来控制阴极发射的电子数，从而控制荧光屏上显示光点的亮度（辉度）。,第一阳极和第二阳极加有直流电压，使电子在电场作用下加速，并具有静电透镜的作用，能把电子束会聚成一点（聚焦）。,灯丝,阴极,控制栅极,第一阳极,第二阳极,偏转系统,：,控制电子束在垂直方向和水平方向偏转,在偏转板上加以适当电压，电子束通过时，其运动方向发生偏转，从而使电子束在荧光屏上的光斑位置也发生改变。,容易证明，光点在荧光屏上偏移的距离与偏转板上所加的电压成正比。因而可将电压的测量转化为屏上的光斑偏离距离的测量，这就是示波器测量电压的原理。,U,Y,CS-4125双踪示波器,显示屏,垂直偏向,水平偏向,触发,二,、示波器的,使用,显示屏,电源,聚焦,辉度,光迹旋转,（使水平亮线与水平轴平行）,垂直偏向,输入信号耦合选择开关,CH1(Y)通道输入端,CH2(X)通道输入端,垂直移位旋钮,垂直灵敏度,（V/DIV),AC：交流耦合,DC：直流耦合,GND：输入端接地,微调旋钮,进行幅度测量时，应调到“校准（CAL）”位置，此时灵敏度为V/DIV标定值,使光点沿垂直方向偏转一格需要加在Y输入端的电压值,Y方式：选择垂直系统的工作方式,交替,断续,相加,X-Y显示方式,CH1,Y轴，CH2X轴,水平偏向,微调旋钮,进行幅度测量时，应调到“校准（CAL）”位置，此时灵敏度为V/DIV标定值,水平移位旋钮,时间轴灵敏度,（mS/DIV),使光点沿水平方向偏转一格需要所代表的时间,校准信号输出端,方波：1V,P-P,（幅值）,1kHz（频率）,触发,触发电平调整钮，以同步波形,触发方式选择开关,内、外触发源选择器,2.,FG-273A函数信号发生器,可输出正弦、锯齿、方波信号。,输出信号频率和幅度连续可调。,