单结晶体管及触发电路

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单结晶体管及触发电路,课题,1、结构,一、结构、符号及等效电路,2、符号,3、等效电路,1、 在基极电源电压,U,BB,一定时，单结管的电压电流特性可用发射极电流,I,E,和发射极与第一基极,B,1,之间的电压,U,BE1,的关系曲线来表示，该曲线又称单结管伏安特性，如下图所示。,二、特性分析,2、三个区域的分界点是,P(,称为峰点)和,V（,称为谷点）。,U,P,、I,P,分别称为峰点电压和峰点电流；,U,V,、I,V,分别称为谷点电压和谷点电流。,由等效电路图可知,式中 称单结管分压比，一般为0.50.8。上式表明峰点电压随基极电压改变而改变，实用中应注意这一点。,(1) 截止区,截止区对应曲线中的起始段(,OP)。,此段,U,E,U,D,+,U,A,后，等效二极管导通，使,R,B1,迅速减小， 增大；又进一步促使,R,B1,减小。从,E、B,1,两端看，,U,E,随 的增大而减小，即具有负阻特性，这是单结管特有的。,3、分析,(3) 饱和区,饱和区对应曲线中的,V,点以后段，过,V,点后 再继续增大，,R,B1,将变大，单结管进入饱和导通状态，又呈现正阻特性，与二极管正向特性相似。,4、综上所述，单结管具有以下特点：, 当发射极电压等于峰点电压,U,P,时，单结管导通。导通之后，当发射电压减小到,u,E,U,V,时，管子由导通变为截止。一般单结管的谷点电压在25,V。,单结管的发射极与第一基极之间的,R,B1,是一个阻值随发射极电流增大而变小的电阻，,R,B2,则是一个与发射极电流无关的电阻。, 不同的单结管有不同的,U,P,和,U,V,。,同一个单结管，若电源电压,U,BB,不同，它的,U,P,和,U,V,也有所不同。在触发电路中常选用,U,V,低一些或,I,V,大一些的单结管,三.,三、,单,单结管振荡电路,结管振荡电路,1、如下图所示，它能产生一系列脉冲，用来触发晶闸管。,（,a）,电路图 (,b),波形图,单结管振荡电路及波形,2、 当合上开关,S,后，电源通过,R,1,、R,2,加到单结管的两个基极上，同时又通过,R、RP,向电容器,C,充电，,u,C,按指数规律上升。在,u,C,（,u,C,=,u,E,）,U,P,时，单结管截止，,R,1,两端输出电压近似为0。当,u,C,达到峰点电压,U,P,时，单结管的,E、B,1,极之间突然导通，电阻,R,B1,急剧减小，电容上的电压通过,R,B1,、R,1,放电，由于,R,B1,、R,1,都很小，放电很快，放电电流在,R,1,上形成一个脉冲电压,u,o,。,当,u,C,下降到谷点电压,U,V,时，,E、B,1,极之间恢复阻断状态，单结管从导通跳变到截止，输出电压,u,o,下降到零，完成一次振荡。,3、 当,E、B,1,极之间截止后，电源又对,C,充电，并重复上述过程，结果在,R,1,上得到一个周期性尖脉冲输出电压，如图所示。,上述电路的工作过程是利用了单结管负阻特性和,RC,充放电特性，如果改变,RP，,便可改变电容充放电的快慢，使输出的脉冲前移或后移，从而改变控制角,，,控制了晶闸管触发导通的时刻。显然，充放电时间常数,=,RC,大时，触发脉冲后移，,大，晶闸管推迟导通；,小时，触发脉冲前移，,小，晶闸管提前导通。,需要特别说明的是：实用中必须解决触发电路与主电路同步的问题，否则会产生失控现象。用单结管振荡电路提供触发电压时，解决同步问题的具体办法可用稳压管对全波整流输出限幅后作为基极电源，如图所示。图中,T,S,称同步变压器，初级接主电源。,形成性评价：,1、画出单结晶体管的符号及等效电路。,2、分析三个区域的特性。,3、分析单结晶体管触发电路的原理。,