第八章光刻课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第八章 光刻与刻蚀工艺,第八章 光刻与刻蚀工艺,1,光刻是集成电路工艺中的关键性技术，由于光刻技术的不断更新，推动了ULSI的高速发展。,光刻是集成电路工艺中的关键性技术，由于光刻技术的不断更新，推,2,1958年，光刻技术的发明，研制成功平面晶体管，推动了集成电路的发明。,由1959年集成电路发明至今的40多年里，集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小。这个时期中，集成电路图形的线宽缩小了4个数量级，集成度提高了6个数量级，这一切都归功于光刻技术的进步。,1958年，光刻技术的发明，研制成功平面晶体管，推动了集成电,3,光刻技术处于半导体制造技术的核心，被认为是IC制造中最关键的步骤。,光刻技术处于半导体制造技术的核心，被认为是IC制造中最关键的,4,光刻的目的,光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的,光刻,是一种复印图像同化学腐蚀相结合的综合性技术。,光刻的定义,光刻的目的光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜,5,ULSI对光刻的基本要求,高分辨率,高灵敏度的光刻胶,低缺陷,精密的套刻对准,对大尺寸晶片的加工,ULSI对光刻的基本要求高分辨率,6,8.1光刻的工艺流程,在光刻过程中，光刻胶在受到光辐照之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光与未感光部分的溶解度速度相差非常大！,8.1光刻的工艺流程在光刻过程中，光刻胶在受到光辐照之后发生,7,8.1光刻的工艺流程,1,涂胶,2,前烘,3,曝光,4,显影,5,坚膜,6,腐蚀,7,去胶,1基片,光刻胶膜,iO,2,掩膜,光刻窗口,8.1光刻的工艺流程 1 涂胶 2 前烘 3 曝光 4,8,光刻的工艺流程,1涂胶：是在Si片或其它薄膜表面，涂上一层粘附良好，厚度适当，均匀的光刻胶膜。,脱水烘焙,方法：旋转法,步骤：喷胶加速保持,光刻的工艺流程1涂胶：是在Si片或其它薄膜表面，涂上一层粘附,9,前烘：,是使胶膜体内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥以增加胶膜与SiO,2,膜（或金属膜）的粘附性和胶膜的耐磨性，即在曝光对准时允许胶膜与掩模版有一定紧贴而不磨损胶膜，不沾污掩模版；同时，只有光刻胶干燥，在曝光时才能充分进行光化学反应。,严格控制时间和温度,条件：80, 20min,前烘：是使胶膜体内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥以增加胶膜与Si,10,曝光：,就是对涂光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使曝光部分的光刻胶改变在显影液中的溶解性，经显影后的光刻胶膜上得到和“掩模”相对应的图形。,曝光：就是对涂光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使曝光部分,11,是把曝光后的基片放在显影液里，将应去除的光刻胶膜溶除干净，以获得腐蚀时所需要的抗蚀剂膜的保护图形。,显影：,是把曝光后的基片放在显影液里，将应去除的光刻胶膜溶除干净，,12,坚膜:,就是在一定的温度下，将显影后的片子进行烘焙，除去显影时进胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善胶膜与基片间粘附性，增强胶膜的抗蚀能力，以及消除显影时所引起的图形变形。,条件：200, 20min,坚膜:就是在一定的温度下，将显影后的片子进行烘焙，除去显影时,13,腐蚀:,就是用适当的腐蚀剂，对未被胶膜覆盖的SiO2或其它薄膜进行腐蚀，按照光刻胶膜上已显示出来的图形，完整、清晰、准确地腐蚀，供选择性扩散或达到金属布线的目的。它是影响光刻精度的重要环节。,腐蚀: 就是用适当的腐蚀剂，对未被胶膜覆盖的SiO2或其它,14,去胶：,把覆盖在图形表面的光刻胶膜从硅片表面去掉。,包括：干法和湿法去胶,湿法去胶分为有机溶液和无机溶液,去胶：把覆盖在图形表面的光刻胶膜从硅片表面去掉。,15,8.2 分辨率,分辨率R是对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述。,R是表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数。,R定义,R=1/2L（mm,-1,） L为线宽,分辨率为每mm内包含有多少个可分辨的线对数,例 线宽和间距均为1,m,R为多少？,分辨率为500 线对,8.2 分辨率分辨率R是对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺,16,8.3 光刻胶的基本属性,分类：正胶和负胶,正胶的感光区在显影时可以溶解掉，而没有感光的区域在显影时不溶解，因此所形成的光刻胶图形时掩模版图形的正映像，因而称为正胶,负胶的感光区在显影时不可以溶解，而没有感光的区域在显影时溶解，因此所形成的光刻胶图形时掩模版图形的负映像，因而称为负胶,8.3 光刻胶的基本属性分类：正胶和负胶,17,因此当采用正胶进行光刻时，可在衬底表面得到与光刻掩膜板遮光图案完全相同的保护胶层。,正光刻胶必须采用正版（版式上的图案与光刻后衬底的表面腐蚀出来的图案相一致）,掩蔽膜,衬底,因此当采用正胶进行光刻时，可在衬底表面得,18,负胶的特点,：,由可溶性转变为不可溶性,即是原来的胶膜可被某些溶剂溶解，当受到适当波长的光照后发生聚合反应，硬化成为不可溶解的物质,。,负胶的特点：由可溶性转变为不可溶性即是原来的胶膜可被某些溶剂,19,因此采用负胶进行光刻时，在衬底表面将得到与掩模板遮光图案完全相反的保护胶层。,负胶时必须采用负版（版子上的图案与光刻后衬底的表面腐蚀出来的图案相反） 。,因此采用负胶进行光刻时，在衬底表面将得到与掩模板遮光图案完全,20,正胶与负胶的比较,从光刻技术的发明到20世纪70年代中期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI集成电路发展和2m到5m图形尺寸的出现使负胶的分辨率变得吃紧。,正胶存在了20年，但它的缺点是黏附性差，优点是分辨率高，它们良好的分辨率和防止针孔能力在那时也并不是很重要，所以一直没有引起人们的重视。直到20世纪80年代，正胶逐渐被接受。,正胶与负胶的比较从光刻技术的发明到20世纪70年代中期，负胶,21,正胶与负胶的比较,参数,负胶,正胶,纵横比(分辨率),更高,黏结力,更好,针孔数量,更少,阶梯覆盖度,更好,成本,更高,显影剂,有机溶剂,丙酮 丁酮,水溶性溶剂,碱性,光刻去除剂,容易,曝光 速度,更快515s,34倍的时间,正胶与负胶的比较参数负胶正胶纵横比(分辨率)更高黏结力更好针,22,光刻胶的组成（正胶）,光刻胶是由感光剂、溶剂和聚合物(树脂),所组成。,感光剂,是一种对光敏感的高分子化合物，当它受适当波长的光照射之后，就能吸收一定波长的光能量，发生交联，聚合成分解等光化学反应，使光刻胶改变性质。,溶剂,是使光刻胶在涂到硅片表面之前保持为液态。,聚合物(树脂),在光照时，不发生化学反应，其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性。,光刻胶的组成（正胶）光刻胶是由感光剂、溶剂和聚合物(树脂),23,8.3 光刻胶的基本属性（,对比度,）,对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽,理想的曝光过程中，投到光刻胶层的辐照区域应该等于掩模版 上的透光图形区域，在其他区域应该没有辐照能量。,实际的曝光过程中，由于衍射和散射的影响，光刻胶中所接受的辐照具有一定的分布。对于正胶，大于最小曝光剂量的光刻胶区域，在显影中除掉；小于最小曝光剂量大于不发生曝光所允许的最大曝光剂量时，在显影时只有部分溶解，因此显影后光刻胶的侧面都有一定的斜坡。,8.3 光刻胶的基本属性（对比度）对比度会直接影响到曝光后光,24,光刻胶的对比度越高，光刻胶层的侧面越陡,第八章光刻课件,25,8.3 光刻胶的基本属性（膨胀）,在显影过程中，如果显影液进入光刻胶中，光刻胶发生膨胀，将导致图形尺寸发生变化，主要发生在负胶中。,8.3 光刻胶的基本属性（膨胀）在显影过程中，如果显影液进入,26,8.3 光刻胶的基本属性（光敏度）,光敏度,是一个表征光刻胶对光敏感度的性能指标。是指完成所需图形曝光的最小曝光量,光敏度不同，表示它对光的敏感度不同即光化学反应所需的曝光量不同。,正胶的光敏度大，曝光效果好,提高光敏度可以减小曝光时间,8.3 光刻胶的基本属性（光敏度）光敏度是一个表征光刻胶对光,27,8.3 光刻胶的基本属性（抗蚀能力和热稳定性）,光刻胶的抗蚀能力是指在图形转移的过程中，光刻胶抵抗刻(腐)蚀的能力。通常光刻胶对湿法腐蚀有比较好的抗腐蚀能力。对于干法刻蚀，大部分光刻胶的抗腐蚀能力较差。,要求光刻胶对酸，碱化学腐蚀液具有很好的抗蚀能力,。利用光刻胶的保护作用，进行选择性化学腐蚀。,对负性光刻胶要求其在30以上的环境温度中，能够经受较长时间的酸，碱腐蚀的浸蚀。实际上对光刻胶（包括光刻胶薄膜）,只有在针孔密度小，及其粘附性能好的情况下，才可能有好的抗蚀能力。,8.3 光刻胶的基本属性（抗蚀能力和热稳定性）光刻胶的抗蚀能,28,热稳定性：要能承受200以上的温度,光刻胶不发生热交联.,热稳定性：要能承受200以上的温度,光刻胶不发生热交联.,29,8.3 光刻胶的基本属性(黏附力),黏附力是指光刻胶与衬底的黏附程度。,在刻蚀过程中，黏附不牢将发生钻蚀和浮胶，直接影响光刻的质量，甚至图形的消失。,影响因素：衬底材料的性质、表面图形情况、工艺条件,以SiO2为例,平整，致密，清洁，干燥的SiO2表面利于光刻胶的粘附。,湿氧氧化生长的SiO2,表面有硅烷醇(Si-OH)所以吸水性很强，影响光刻胶的粘附。,含有高浓度P的SiO2表面，使光刻胶粘附变差,在P扩散后进行光刻时容易出现浮胶或钻蚀。,增强黏附方法：对硅片进行脱水处理、使用增黏剂、提高坚膜的温度,8.3 光刻胶的基本属性(黏附力)黏附力是指光刻胶与衬底的黏,30,8.3 光刻胶的基本属性(溶解度和黏滞度),光刻胶由溶剂溶解了固态物质所形成的液体，其中溶解的固态物质所占的比重为溶解度,溶解度决定甩胶后所形成的光刻胶的厚度以及光刻胶的流动性。,8.3 光刻胶的基本属性(溶解度和黏滞度)光刻胶由溶剂溶解了,31,黏滞度是影响光刻胶膜厚的因素之一,光刻胶越浓，它的粘度就越大(即越稠)在相同涂胶条件下所得到的胶膜就越厚；反之，则粘度小，胶膜薄。,可以通过改变胶液的浓度来调节胶的粘度，进而控制胶膜厚度。例如光刻细小图形时，为了提高分辨率，胶层必须相对地薄些，故必须采用浓度较稀的胶液,黏滞度是影响光刻胶膜厚的因素之一,32,8.3 光刻胶的基本属性(微粒数量和金属含量),光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关。,8.3 光刻胶的基本属性(微粒数量和金属含量)光刻胶的纯净度,33,8.4 多层光刻工艺,减小光刻胶的厚度可以提高分辨率，但又需要有足够的厚度保护光刻胶下面的图形，同时还需克服由于各处光刻胶厚度不均匀所引起的线宽差异。,而只考虑形成清晰的线条还是不够的，曝光后的光刻胶图形还需要有足够的致密度以满足其后的工艺条件要求（干法刻蚀和离子注入）,为了得到即薄而又致密的光刻胶层，在成像工艺中采用,多层光刻胶技术,采用多层光刻胶技术，利用性质不同的多层光刻胶，满足抗蚀性、平坦化等各种要求。,8.4 多层光刻工艺减小光刻胶的厚度可以提高分辨率，但又需要,34,双层光刻胶工艺,顶层光刻胶经过曝光和显影形成曝光图形，并在作为刻蚀掩蔽膜。底层用来形成平坦化平面，需奥通过干法刻蚀去掉。,在某些光刻胶工艺中，需要在顶层光刻胶中加入硅，当底层光刻胶在氧气氛中进行等离子刻蚀时，顶层光刻胶中的硅与氧反应生成SiO2。这样，顶层的光刻胶就不再被氧等离子刻蚀，起到了一个硬保护层的作用。,双层光刻胶工艺顶层光刻胶经过曝光和显影形成曝光图形，并在作为,35,光刻图形的硅化学增强工艺,采用两层光刻胶，底层是保护衬底图形，并在起伏的衬底上形成一层平坦化的光刻胶平面，顶层光刻胶很薄，用作成像层，分辨率很高,顶层光刻胶含有硅，在刻蚀底层的光刻胶时，顶层光刻胶中的硅与氧反应生成SiO,2,，形成硬保护层的作用。,（图8.8）,光刻图形的硅化学增强工艺采用两层光刻胶，底层是保护衬底图形，,36,对比增强层（图8.9）,在甩胶和和前烘后，在光刻胶上甩上一层,对比增强层,。这层通常是不透明的，但在投影曝光系统中，不透明,对比增强层,在强光的作用下变为透明，光线通过透明的,对比增强层,对下面的光刻胶曝光。,在曝光中，不透明的,对比增强层,可以吸收衍射光线。,对比增强层,直接与光刻胶接触，它的作用类似接触式曝光中的掩模版，达到接触式曝光的效果，而不受其限制。,曝光后，通过显影可以去除,对比增强层,对比增强层（图8.9）在甩胶和和前烘后，在光刻胶上甩上一层对,37,硅烷基化光刻胶表面成像工艺图8.10,为了减少多层光刻工艺的复杂性，通过对光刻胶所形成的图形进行选择性的硅基烷化（硅扩散到成像层中），从而使光刻胶顶层的成像层和底层分离，这种选择性的将硅扩散到成像层中的方法称为,扩散增强硅烷基化光刻胶工艺,硅烷基化光刻胶表面成像工艺图8.10为了减少多层光刻工艺的,38,扩散增强硅烷基化光刻胶工艺,步骤：,光刻胶经过曝光之后，在光刻胶上形成隐性图形,对光刻胶进行前烘，使未曝光的光刻胶形成交叉链接,在光刻胶上形成硅基烷化的图形，,干法刻蚀光刻胶，在光刻胶上形成图形,图8.10,扩散增强硅烷基化光刻胶工艺步骤：,39,8.4 曝光,紫外,光学：汞灯、准分子激光,非光学： X射线、电子束,曝光源的选择主要是根据光刻胶的,光谱响应范围,和所需达到的,特征图形尺寸,决定的。,8.4 曝光紫外光学：汞灯、准分子激光,40,深紫外DUV 248nm 193nm,真空紫外VUV 157nm,极紫外EUV 13nm,深紫外DUV 248nm 193nm,41,光学曝光源：汞灯,光学曝光源：汞灯,42,曝光时光刻胶与特定的UV波长有相应的特定光谱响应,曝光时光刻胶与特定的UV波长有相应的特定光谱响应,43,准分子激光（紫外光源）,准分子激光（紫外光源）,44,曝光时产生的光学现象,1、衍射现象,：,当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时，发生衍射现象。,解决：,减小曝光的波长,通过透镜俘获衍射光,曝光时产生的光学现象1、衍射现象：当光穿过一个小孔或经过一个,45,透镜俘获衍射光,透镜俘获衍射光,46,光刻机和光刻胶的分辨能力主要是由曝光的波长决定的，曝光的波长越短，分辨率越高，这主要是由于光的衍射现象的存在，波长越长衍射现象越严重，成为曝光系统分辨率的限制条件。,光刻机和光刻胶的分辨能力主要是由曝光的波长决定,47,曝光时产生的光学现象,2、反射问题：,主要是反射切口和驻波,在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要的曝光的光刻胶中就会形成反射切口，它对线宽 的控制产生不利因素,曝光时产生的光学现象2、反射问题：主要是反射切口和驻波在刻蚀,48,驻波效应,曝光光波在进入到光刻胶之后，如果没有完全被吸收，就会有一部分光波穿过光刻胶达到衬底表面，这一部分光波在衬底表面被反射之后，又回到光刻胶中。这样，反射光波与光刻胶中的入射光波发生干涉，从而形成,驻波,。,光刻胶在曝光中的驻波现象表现为在光刻胶中形成强弱相间的曝光区域。,驻波效应 曝光光波在进入到光刻胶之后，如果没有完全被,49,驻波表证入射光和反射光之间的干涉，这种干涉将引起随光刻胶厚度变化的不均匀曝光,曝光后，光刻胶侧面是由于过曝光和欠曝光而形成条痕，驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率,驻波表证入射光和反射光之间的干涉，这种干涉将引起随光刻胶厚度,50,解决驻波效应：底部抗反射涂层,在衬底和光刻胶之间，涂敷一层由高消光率的材料组成的抗反射涂层，可以吸收穿过光刻胶的光线。,解决驻波效应：底部抗反射涂层 在衬底和光刻胶之间，,51,底部抗反射涂层：通过吸光材料减小光刻胶下面反射层的光反射,底部抗反射涂层：通过吸光材料减小光刻胶下面反射层的光反射,52,顶部抗反射涂层：减少光刻胶和空气的交界面反射,顶部抗反射涂层材料不吸光，而是作为一个透明的薄膜干涉层，通过光线间的相干相消来消除反射,顶部抗反射涂层：减少光刻胶和空气的交界面反射顶部抗反射涂层材,53,曝光方式:,接触式曝光,接近式曝光,投影式曝光,步进式曝光,曝光方式:接触式曝光,54,接触式曝光,掩模版与硅片紧密接触,是70年代的主要光刻手段，用于5,m以上的尺寸,􀁅,由于掩膜版与硅片相接触，使掩膜版受到磨损，寿命降低。同时引入大量工艺缺陷。,淘汰,接触式曝光掩模版与硅片紧密接触,55,接近式曝光,从接触式曝光发展起来的，用于2-4,m,掩膜板不与光刻胶直接接触，有5,m的间距,是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命,当光线通过掩膜板和空气时会发散，减小分辨率,避免接触式的沾污问题。,接近式曝光从接触式曝光发展起来的，用于2-4m,56,投影光刻,光源光线经过透镜后变成平行光，然后通过掩模版并由投影系统在硅片成像，完成曝光。,优势：,避免了掩膜版与硅片表面的摩擦延长了掩膜版的寿命,掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难,消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象,投影光刻光源光线经过透镜后变成平行光，然后通过掩模版并由投影,57,第八章光刻课件,58,步近光刻,20世纪80年代后期主导IC制造业，主要用于0.35-0.25,m,优势：步进光刻机的掩膜板图形尺寸是实际像的4-5倍 （掩膜板制造更容易）,步近光刻20世纪80年代后期主导IC制造业，主要用于0.35,59,第八章光刻课件,60,X射线（非光学光源）,X射线是用高能电子束轰击一个金属靶产生的光量子 ，波长：4-50,衍射作用小，曝光时间短,存在的问题：,X射线会穿透传统的玻璃和铬掩膜板 ，必须用金作阻挡层，或其他可以阻挡X射线的材料,X射线没有反射镜和透射镜使其变成平行光，实际是发散的点光源图形的畸变,X射线（非光学光源）X射线是用高能电子束轰击一个金属靶产生的,61,电子束（非光源,）,电子束曝光是一门成熟的技术，它被用来制作高质量的掩膜板。在真空中进行。,电子束曝光的原理是利用具有一定能量的电子与光刻胶碰撞，发生化学反应完成曝光。,碰撞发生三种情况：,电子束穿过光刻胶，既不改变方向也不能量损失,电子束与光刻胶分子碰撞发生弹性散射，不改变方向，能量损失,电子束与光刻胶分子碰撞发生非弹性散射，改变方向，能量损失,电子束（非光源）电子束曝光是一门成熟的技术，它被用来制作高质,62,邻近效应,前向散射：散射方向与入射方向的夹角很小，导致曝光图形轻微展宽,背向散射：散射方向与入射方向的夹角很大，导致大面积的光刻胶发生不同程度的曝光，最终使大面积的图形模糊，造成图形畸变。, 邻近效应,邻近效应前向散射：散射方向与入射方向的夹角很小，导致曝光图形,63,无需光刻掩膜板，由掩膜板引起的缺陷被去除了。,电子束开关和向导由计算机控制，计算机中存有CAD直接设计的图形，电子束被偏转系统导向到需要曝光的位置，然后打开电子束，使相应的部位光刻胶曝光，这种方式被称为“直接书写式”,无需光刻掩膜板，由掩膜板引起的缺陷被去除了。,64,8.5 掩膜版的制备,光刻工艺的目的是将掩模版上的电路图形在硅片上精确地再现出来。因此高精度和高质量的掩模版是制作超大规模集成电路的重要基础。,8.5 掩膜版的制备 光刻工艺的目的是将掩模版上的电路图,65,光刻工艺对光刻版的质量要求：,图形的尺寸要准确,。图形的大小和图形间距必须符合设计要求，图形不发生畸变。,整套光刻版中的各块版应能一一套准，套准误差要尽量地小,。各块版之间的套合精度要求随器件性能和图形大小的不同而有所不同。,版子的黑白压反差（光密度差）要高,。黑面要充分地黑，应能很好地阻挡住紫外光的通过；而白面应无灰雾，应能很好地透过紫外光线或对光的吸收极小。一般要求反差在2.5以上。,图形边缘要光滑陡直，无毛刺，过渡压要小,。,版面要光洁，没有较大的针孔（即黑面没有1,m以上的白点）、小岛（即白面没有1,m以上的黑点或污点）和划痕等缺陷,。,版子要坚固耐磨，不易变形。,由于光刻版在光刻时要求硅片接触发生摩擦，极易损坏，如果光刻版不坚固耐磨，则其使用寿命很短，势必经常更换新版，很不经济。,光刻工艺对光刻版的质量要求：图形的尺寸要准确。图形的大小和图,66,光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层，在铬层上形成图形。掩膜图形是由电子束或激光束直接刻写在铬层上。,光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层，在铬层上形成,67,石英玻璃板,光刻掩模版所使用的石英玻璃是经过高度抛光，形成非常平整的平面，同时在表面和内部必须是无缺陷的，保证石英中光学传递效率。,石英玻璃对248nm和193nm波长的通透效果最好,石英玻璃的热扩散系数低，在刻写过程中受温度变化的影响最小。但是，只要0.08的温度变化也将改变图形的精确性，因此制造掩模版时，要求环境温度的变化范围小于0.03 ,石英玻璃板光刻掩模版所使用的石英玻璃是经过高度抛光，形成非常,68,铬层,铬层作为掩膜是因为铬膜的淀积和刻蚀相对比较容易，而且对光线完全不透明。,结构,在准备好的石英玻璃上首先淀积一层铬的氮化物或氧化物，来增加铬膜与石英玻璃的黏附力。,之后淀积铬层，掩膜图形在铬膜上形成,在铬层的上方还需淀积20nm厚的Cr,2,O,3,抗反射层,铬层铬层作为掩膜是因为铬膜的淀积和刻蚀相对比较容易，而且对光,69,掩模版的保护膜,为了防止在掩模版上产生缺陷，需要用保护膜将掩模版的表面密封，避免掩模版受到空气中微粒或其他形式的污染。,保护膜厚度要足够薄，保证透光性,保护膜要结实，耐清洗,在UV射线的辐照下，仍能保证形状,材料：硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物,掩模版的保护膜为了防止在掩模版上产生缺陷，需要用保护膜将掩模,70,思考题,光刻胶的特性,光刻的工艺流程,曝光源的波长与 分辨率的关系,光学曝光时产生的光学现象如何解决,X射线曝光时存在的问题如何解决,电子束曝光的原理及邻近效应,思考题光刻胶的特性,71,