巨磁电阻效应及其应用课件

巨磁电阻效应及其应用巨磁电阻效应及其应用巨磁电阻效应及其应用1 120072007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻(Giant magneto(Giant magneto resistance,resistance,简称简称GMR)GMR)效应的发现者，法国物理学家阿尔贝效应的发现者，法国物理学家阿尔贝 费尔费尔(Albert Fert)(Albert Fert)和德国物理学家彼得和德国物理学家彼得 格伦贝格尔格伦贝格尔(Peter Grunberg)Peter Grunberg)。诺贝尔奖委员会说明。诺贝尔奖委员会说明:“:“这是一次好奇心这是一次好奇心导致的发现，但其随后的应用却是革命性的，因为它使计算导致的发现，但其随后的应用却是革命性的，因为它使计算机硬盘的容量从几百兆，几千兆，一跃而提高几百倍，达到机硬盘的容量从几百兆，几千兆，一跃而提高几百倍，达到几百几百GG乃至上千乃至上千GG。”凝聚态物理研究原子，分子在构成物质时的微观结构，它们凝聚态物理研究原子，分子在构成物质时的微观结构，它们之间的相互作用力，及其与宏观物理性质之间的联系。之间的相互作用力，及其与宏观物理性质之间的联系。人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。量子力学出现后，德国科学家海森伯量子力学出现后，德国科学家海森伯(W.Heisenberg(W.Heisenberg，19321932年诺贝尔奖得主年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程的，原子磁矩之间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程的，称为直接交换作用。称为直接交换作用。巨磁简介2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻(Giant mag2 2后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态，即在有序排列的磁材料中，有反铁磁有序状态，即在有序排列的磁材料中，相邻原子因受负的交换作用，自旋为反平行排列，相邻原子因受负的交换作用，自旋为反平行排列，如图如图1 1所示。则磁矩虽处于有序状态，但总的净磁所示。则磁矩虽处于有序状态，但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。这种磁有序状态称矩在不受外场作用时仍为零。这种磁有序状态称为反铁磁性。法国科学家奈尔为反铁磁性。法国科学家奈尔(L.E.F.Neel)(L.E.F.Neel)因为因为系统地研究反铁磁性而获系统地研究反铁磁性而获19701970年诺贝尔奖。在解年诺贝尔奖。在解释反铁磁性时认为，化合物中的氧离子释反铁磁性时认为，化合物中的氧离子(或其他非或其他非金属离子金属离子)作为中介，将最近的磁性原子的磁矩耦作为中介，将最近的磁性原子的磁矩耦合起来，这是间接交换作用。另外，在稀土金属合起来，这是间接交换作用。另外，在稀土金属中也出现了磁有序，其中原子的固有磁矩来自中也出现了磁有序，其中原子的固有磁矩来自4f4f电子壳层。相邻稀土原子的距离远大于电子壳层。相邻稀土原子的距离远大于4f4f电子壳电子壳层直径，所以稀土金属中的传导电子担当了中介，层直径，所以稀土金属中的传导电子担当了中介，将相邻的稀土原子磁矩耦合起来，这就是将相邻的稀土原子磁矩耦合起来，这就是RKKYRKKY型间接交换作用。型间接交换作用。后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态，3 3 本实验介绍多层膜本实验介绍多层膜 GMG GMG效应的原理，并通过实验让学生了解几种效应的原理，并通过实验让学生了解几种GMRGMR传感器的结构，特性，及应用领域。传感器的结构，特性，及应用领域。实验目的实验目的实验目的实验目的了解了解GMRGMR效应的原理效应的原理测量测量GMRGMR的磁阻特性曲线的磁阻特性曲线测量测量GMRGMR模拟传感器的磁电转换特性曲线模拟传感器的磁电转换特性曲线测量测量GMRGMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线线用用GMRGMR传感器测量电流传感器测量电流用用GMRGMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMRGMR转速（速度）传感器的原理转速（速度）传感器的原理通过实验了解磁记录与读出的原理通过实验了解磁记录与读出的原理 本实验介绍多层膜 GMG效应的原理，并通过实验让学生4 4 实验原理实验原理实验原理实验原理 根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R=R=l/Sl/S中，把电阻率中，把电阻率 视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程约由程约34nm34nm），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm0.3nm），），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。阻率增加的现象。电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早在外磁场两种可能取向。早在19361936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者者N.F.MottN.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两类自旋电流之和电子。总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。电阻，这就是所谓的两电流模型。在图在图2 2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。实验原理5 5 图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率 R/R 达百分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特性。有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行反平行，或反平行平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可6 6 其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电流的并联电阻相行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。多层膜多层膜GMRGMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感器方面得到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了传感器方面得到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构的自旋阀结构的GMRGMR。如图。如图4 4所示。自旋阀结构的所示。自旋阀结构的SV-GMR(Spin valve GMR)SV-GMR(Spin valve GMR)由钉扎由钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成。其中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成。其中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变。自由层使用软铁磁材料，它的磁场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变。自由层使用软铁磁材料，它的磁化方向易于随外磁场转动。这样，很弱的外磁场就会改变自由层与被化方向易于随外磁场转动。这样，很弱的外磁场就会改变自由层与被 钉扎层磁场的相对取向，对应于很高的灵敏度。制造钉扎层磁场的相对取向，对应于很高的灵敏度。制造 时，使自由层的初始磁化方向与被钉扎层垂直，磁记时，使自由层的初始磁化方向与被钉扎层垂直，磁记 录材料的磁化方向与被钉扎层的方向相同或相反（对录材料的磁化方向与被钉扎层的方向相同或相反（对 应于应于0 0或或1 1），当感应到磁记录材料的磁场时，自由层），当感应到磁记录材料的磁场时，自由层 的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同（低电阻）的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同（低电阻）或相反（高电阻）的方向偏转，检测出电阻的变化，或相反（高电阻）的方向偏转，检测出电阻的变化，就可确定记录材料所记录的信息，硬盘所用的就可确定记录材料所记录的信息，硬盘所用的GMRGMR磁磁 头就采用这种结构。头就采用这种结构。其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，7 7实验仪器实验仪实验仪器实验仪实验仪器实验仪实验仪器实验仪区域1区域2区域3 图5 巨磁阻实验仪操作面板 图5所示为巨磁阻实验仪系统的实验仪前面板图。区域1电流表部分：做为一个独立的电流表使用。两个档位：2A档和200mA档，可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。区域2电压表部分：做为一个独立的电压表使用。两个档位：20V档和200mV档，可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。区域3恒流源部分：可变恒流源。实验仪还提供GMR传感器工作所需的4V电源和电路工作所需的电源。实验仪器实验仪区域1区域2区域3 图5 巨磁阻实验仪操作面8 8 为真空中的磁导率。采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉10000高斯）。基本特性组件基本特性组件图6 基本特性组件基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成。用以对GMR的磁电转换特性，磁阻特性进行测量。GMR传感器置于螺线管的中央。螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场，由理论分析可知，无限长直螺线管内部轴线上任一点的磁感应强度为：B=0nI （1）式中n为线圈密度，I为流经线圈的电流强度，为真空中的磁导率。采9 9电流测量组件电流测量组件图7 电流测量组件电流测量组件将导线置于GMR模拟传感器近旁，用GMR传感器测量导线通过不同大小电流时导线周围的磁场变化，就可确定电流大小。与一般测量电流需将电流表接入电路相比，这种非接触测量不干扰原电路的工作，具有特殊的优点。角位移测量组件角位移测量组件图8 角位移测量组件角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件，铁磁性齿轮转动时，齿牙干扰了梯度传感器上偏置磁场的分布，使梯度传感器输出发生变化，每转过一齿，就输出类似正弦波一个周期的波形。利用该原理可以测量角位移（转速，速度）。汽车上的转速与速度测量仪 就是利用该原理制成的。电流测量组件图7 电流测量组件电流测量组件将导线置于GMR模1010磁读写组件磁读写组件图9 磁读写组件磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理。磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。磁读写组件图9 磁读写组件磁读写组件用于演示磁记录与读出的原1111实验内容与步骤实验内容与步骤一、一、GMR磁阻特性测量磁阻特性测量提供了两种巨磁阻样品供测试，比较。巨磁阻样品1是由高灵敏度的巨磁阻材料构成的，由图3可见，一般的巨磁阻材料要在几百高斯的磁场强度下才出现磁饱和，而高灵敏度巨磁阻材料的磁阻曲线斜率要大得多，在几十高斯的外磁场强度下就已饱和。测试结果表明，这种材料的线性不如图3所示材料，一般不能用它制造对线性度要求高的模拟传感器，可用它制造高灵敏度的梯度传感器。巨磁阻样品2是制造模拟传感器的巨磁阻材料，在制作模拟传感器时将磁阻材料放在了磁通聚集器的磁聚集区中（见图10及相应叙述），测试结果表明，采用这种结构，既保证了线性，而且磁阻材料对外磁场的灵敏度比不用磁通聚集器的高灵敏度磁阻材料构成的巨磁阻样品1还高，说明在制造实用的器件时，材料的选择与结构的巧妙都是十分重要的。实验内容与步骤一、GMR磁阻特性测量1212实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”实验仪的4伏电压源串连电流表后接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”。按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。电流至300mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。对巨磁阻样品2，可按同样的方法与类似的表格进行测量与记录，由于样品2对外磁场的灵敏度更高，电流变化范围只需100mA，每次电流的变化量取表1的1/3。根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。由欧姆定律 R=U/I 计算磁阻。以磁感应强度B作横座标，磁阻为纵座标作出磁阻特性曲线。不同外磁场强度时磁阻的变化反映了GMR的磁阻特性，曲线的斜率表明磁灵敏度，同一外磁场强度下增加电流与减小电流时磁阻的差值反映了材料的磁滞特性。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。对巨磁阻样品2，可按同1313二、二、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量模拟传感器的磁电转换特性测量在将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构，图10是某型号传感器的结构。对于电桥结构，如果4个GMR电阻对磁场的响应完全同步，就不会有信号输出。图10中，将处在电桥对角位置的两个电阻R3、R4 覆盖一层高导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它们的影响，而R1、R2 阻值随外磁场改变。设无外磁场时4个GMR电阻的阻值均为R，R1、R2 在外磁场作用下电阻减小R，简单分析表明，输出电压：UOUT=UINR/（2R-R）（2）二、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量对于电桥结构，如果4个1414屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空间,提高了R1、R2 的磁灵敏度。从图10的几何结构还可见，巨磁电阻被光刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻至k数量级，使其在较小工作电流下得到合适的电压输出。图11是某GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。图中的两条曲线分别对应增加磁场和减小磁场时的磁电转换特性。提供了两种模拟传感器供测试，比较。模拟传感器1的磁电转换特性与 图11相当。磁性材料的磁滞特性使磁电转换特性有两条曲线，增加磁场和减小磁场时的输出是不同的，这给某些应用领域带来不便。模拟传感器2是用低磁滞材料制成的传感器。屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、1515实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的5伏电压源接至基本特性组件“试件供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。按表2数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。电流至100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。用同样的方法和同样的表格对模拟传感器2进行测量。根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。以磁感应强度B作横座标，电压表的读数为纵座标作出磁电转换特性曲线。不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性，同一外磁场强度下输出电压的差值反映了材料的磁滞特性。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。1616GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量将GMR模拟传感器与比较电路，晶体管放大电路集成在一起，就构成GMR开关（数字）传感器，结构如图12所示。比较电路的功能是，当电桥电压低于比较电压时，输出低电平。当电桥电压高于比较电压时，输出高电平。选 择适当的GMR电桥并结合调节比较电压，可调节开关传感器开关点对应的磁场强度。图13是某种GMR开关传感器的磁电转换特性曲线。当磁场强度的绝对值从低增加到12高斯时，开关打开（输出高电平），当磁场强度的绝对值从高减小到10高斯时，开关关闭（输出低电平）。GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量 图131717实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，“电路供电”接口接至基本特性组件对应的“电路供电”输入插孔，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“开关信号输出”接至实验仪电压表。从50mA逐渐减小励磁电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时记录相应的励磁电流于表3“减小磁场”列中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的负值励磁电流于表3“减小磁场”列中。将电流调至50mA。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。1818逐渐减小负向电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时记录相应的负值励磁电流于表3“增大磁场”列中，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。输出电压从低电平（关）转变为高电平（开）时记录相应的正值励磁电流于表3“增大磁场”列中。表3 GMR开关传感器的磁电转换特性测量 高电平 V 低电平 V减小磁场增大磁场开关动作励磁电流/mA磁感应强度/高斯开关动作励磁电流/mA磁感应强度/高斯关关开开逐渐减小负向电流，输出电压从高电平（开）转变为低电平（关）时1919根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。以磁感应强度B作横座标，电压读数为纵座标作出开关传感器的磁电转换特性曲线。利用GMR开关传感器的开关特性已制成各种接近开关，当磁性物体（可在非磁性物体上贴上磁条）接近传感器时就会输出开关信号。广泛应用在工业生产及汽车，家电等日常生活用品中，控制精度高，恶劣环境（如高低温，振动等）下仍能正常工作。四、用四、用GMR模拟传感器测量电流模拟传感器测量电流从图11可见，GMR模拟传感器在一定的范围内输出电压与磁场强度成线性关系，且灵敏度高，线性范围大，可以方便的将GMR制成磁场计，测量磁场强度或其它与磁场相关的物理量。作为应用示例，我们用它来测量电流。由理论分析可知，通有电流I的无限长直导线，与导线距离为r的一点的磁感应强度为：B=0I/2r=2 I10-7/r （3）磁场强度与电流成正比，在r已知的条件下，测得B，就可知I。在实际应用中，为了使GMR模拟传感器工作在线性区，提高测量精度，还常常预先给传感器施加一固定已知磁场，称为磁偏置，其原理类似于电子电路中的直流偏置。根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感2020图14 模拟传感器测量电流实验原理图 实验装置实验装置：巨磁阻实验仪，电流测量组件实验仪的4伏电压源接至电流测量组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“待测电流输入”，电流测量组件“信号输出”接至实验仪电压表。将待测电流调节至0。将偏置磁铁转到远离GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约25mV。将电流增大到300mA，按表4数据逐渐减小待测电流，从左到右记录相应的输出电压于表格“减小电流”行中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为负，记录相应的输出电压。逐渐减小负向待测电流，从右到左记录相应的输出电压于表格“增加电流”行中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为正，记录相应的输出电压。图14 模拟传感器测量电流实验原理图 实验装置：巨磁阻实验仪2121将待测电流调节至0。将偏置磁铁转到接近GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约150mV。用低磁偏置时同样的实验方法，测量适当磁偏置时待测电流与输出电压的关系。表4 用GMR模拟传感器测量电流 待测电流/mA3002001000100200300输出电压/mV低磁偏置(约25mV)减小电流增加电流适当磁偏置(约150mV)减小电流增加电流将待测电流调节至0。表4 用GMR模拟传感器测量电流 2222以电流读数作横坐标，电压表的读数为纵坐标作图。分别作出4条曲线。由测量数据及所作图形可以看出，适当磁偏置时线性较好，斜率（灵敏度）较高。由于待测电流产生的磁场远小于偏置磁场，磁滞对测量的影响也较小，根据输出电压的大小就可确定待测电流的大小。用GMR传感器测量电流不用将测量仪器接入电路，不会对电路工作产生干扰，既可测量直流，也可测量交流，具有广阔的应用前景。五、五、GMR梯度传感器的特性及应用梯度传感器的特性及应用将GMR电桥两对对角电阻分别置于集成电路两端，4个电阻都不加磁屏蔽，即构成梯度传感器，如图15所示。这种传感器若置于均匀磁场中，由于4个桥臂电阻阻值变化相同，电桥输出为零。如果磁场存在一定的梯度，各GMR电阻感受到的磁场不同，磁阻变化不一样，就会有信号输出。图16以检测齿轮的角位移为例，说明其应用原理。以电流读数作横坐标，电压表的读数为纵坐标作图。分别作出4条曲2323将永磁体放置于传感器上方，若齿轮是铁磁材料，永磁体产生的空间磁场在相对于齿牙不同位置时，产生不同的梯度磁场。a位置时，输出为零。b位置时，R1、R2 感受到的磁场强度大于R3、R4，输出正电压。c位置时，输出回归零。d位置时，R1、R2 感受到的磁场强度小于R3、R4，输出负电压。于是,在齿轮转动过程中,每转过一个齿牙便产生一个完整的波形输出。这一原理已普遍应用于转速（速度）与位移监控，在汽车及其它工业领域得到广泛应用。实验装置：巨磁阻实验仪、角位移测量组件。将实验仪4V电压源接角位移测量组件“巨磁电阻供电”，角位移测量组件“信号输出”接实验仪电压表。逆时针慢慢转动齿轮，当输出电压为零时记录起始角度，以后每转3度记录一次角度与电压表的读数。转动48度齿轮转过2齿，输出电压变化2个周期。将永磁体放置于传感器上方，若齿轮是铁磁材料，永磁体产生的空间2424表5 齿轮角位移的测量转动角度/度输出电压/mV以齿轮实际转过的度数为横坐标，电压表的读数为纵向坐标作图。在实际测量中，磁阻传感器的磁场除收到齿轮转动的影响外，还受到周围环境铁磁物质的影响，可能导致测得曲线的正负半周输出电压幅度不一样。在真正的测速装置中，可用电路滤去直流成分，而对实际应用并无影响。如果需要使得正负半周输出电压幅度基本一致，可以通过适当的调整组件偏置磁场磁钢上铁片的位置来实现。根据实验原理，GMR梯度传感器能用于车辆流量监控吗？表5 齿轮角位移的测量输出电压/mV以齿轮实际转过的度数为横2525六、磁记录与读出六、磁记录与读出磁记录是当今数码产品记录与储存信息的最主要方式，由于巨磁阻的出现，存储密度有了成百上千倍的提高。在当今的磁记录领域，为了提高记录密度，读写磁头是分离的。写磁头是绕线的磁芯，线圈中通过电流时产生磁场，在磁性记录材料上记录信息。巨磁阻读磁头利用磁记录材料上不同磁场时电阻的变化读出信息。磁读写组件用磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。同学可自行设计一个二进制码，按二进制码写入数据，然后将读出的结果记录下来。实验装置：巨磁阻实验仪，磁读写组件，磁卡。实验仪的4伏电压源接磁读写组件“巨磁电阻供电”，“电路供电”接口接至基本特性组件对应的“电路供电”输入插孔，磁读写组件“读出数据”接至实验仪电压表。将需要写入与读出的二进制数据记入表6第2行。将磁卡插入，“功能选择”按键切换为“写”状态。缓慢移动磁卡，根据磁卡上的刻度区域切换“写0”“写1”；将“功能选择”按键切换为“读”状态，移动磁卡至读磁头处，根据刻度区域在电压表上读出电压，记录于表6第4行。六、磁记录与读出2626表6 二进制数字的写入与读出十进制数字二进制数字磁卡区域号12345678读出电平此实验演示了磁记录与磁读出的原理与过程。（由于测试卡区域的两端数据记录可能不准确，因此实验中只记录中间的18号区域的数据。）注意事项：注意事项：1、由于巨磁阻传感器具有磁滞现象，因此，在实验中，恒流源只能单方向调节，不可回调。否则测得的实验数据将不准确。实验表格中的电流只是作为一种参考，实验时以实际显示的数据为准。2、测试卡组件不能长期处于“写”状态。3、实验环境不得处于强磁场中。表6 二进制数字的写入与读出二进制数字磁卡区域号123452727