第7章TCAD工具仿真流程及在ESD防护器件性能评估方面的教学课件

本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/121浙大微电子本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/122浙大微电子TCAD仿真工具介绍仿真工具介绍目前世界上有三套目前世界上有三套TCAD仿真工具：仿真工具：TSUPREM4/MEDICI、SILVACO(ATHENA/ATLAS)、ISE(DIOS/MDRAW/DESSIS)MEDICI和和ATLAS都包含器件描述工具和器件仿真都包含器件描述工具和器件仿真工具，在工具，在ISE中器件描述和器件仿真被拆分成中器件描述和器件仿真被拆分成MDRAW和和DESSIS。2024/7/123浙大微电子TSUPREM4/MEDICI仿真的基本流程仿真的基本流程:2024/7/124浙大微电子SILVACO(ATHENA/ATLAS)仿真的基本流程仿真的基本流程:2024/7/125浙大微电子ISE-TCAD仿真流程仿真流程:2024/7/126浙大微电子输入输出：输入输出：*.inp*.tl1TSUPREM4Medici格式格式*.outMEDICI*.out*.inATHENA*.strATLAS*.str*.log*_dio.cmd*.tl1DIOS*_dio.out*_dio.dat.gz*_dio.grd.gz*_mdr.bnd*_mdr.cmd2024/7/127浙大微电子本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/128浙大微电子工艺仿真流程工艺仿真流程网格定义网格定义结构初始化结构初始化工艺流程工艺流程结构操作结构操作保存输出保存输出2024/7/129浙大微电子NMOS简易工艺流程简易工艺流程2024/7/1210浙大微电子本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/1211浙大微电子TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 利用利用TCAD软件仿真软件仿真ESD防护器件的总体流程是：防护器件的总体流程是：编写半导体工艺流程程序文件。编写半导体工艺流程程序文件。编写编写ESD防护器件版图层次程序文件供工艺流程程序防护器件版图层次程序文件供工艺流程程序文件调用。文件调用。运行半导体工艺流程程序文件。运行半导体工艺流程程序文件。编写并运行编写并运行ESD防护器件器件级仿真的程序文件。防护器件器件级仿真的程序文件。2024/7/1212浙大微电子网格定义网格定义&结构初始化结构初始化 初始化工艺仿真的网格以及定义硅初始化工艺仿真的网格以及定义硅基材料晶向的程序语句如下基材料晶向的程序语句如下$Define the gridMESH GRID.FAC=1.5$Read the mask definition fileMASK IN.FILE=s4ex4m.tl1$Initialize the structureINITIALIZE BORON=5E15PLOT.2D SCALE GRID C.GRID=2 Y.MAX=2.0待仿真器件待仿真器件2024/7/1213浙大微电子网格定义后的器件网格结构如图所示网格定义后的器件网格结构如图所示:DX.MAX=DX.MIN=DX.RATIO=LY.SURF=DY.SURF=LY.ACTIV=DY.ACTIV=LY.BOT=DY.BOT=DY.RATIO=网格定义语句格式：网格定义语句格式：2024/7/1214浙大微电子形成形成STI结构结构etch start x=0 y=0；在指定的坐标范围内刻蚀硅；在指定的坐标范围内刻蚀硅 etch continue x=0 y=0.6etch continue x=0.5 y=0.6etch continue x=0.55 y=0.3etch done x=0.6 y=0etch start x=5 y=0etch continue x=5 y=0.6etch continue x=4.5 y=0.6etch continue x=4.45 y=0.3etch done x=4.4 y=0deposit oxide thick=0.7；填充二氧化硅；填充二氧化硅2024/7/1215浙大微电子etch start x=0 y=-0.7；在指定的坐标范围内刻蚀不需在指定的坐标范围内刻蚀不需 要的二氧化硅要的二氧化硅etch continue x=0 y=0etch continue x=5 y=0etch done x=5 y=-0.7select plot.2d scale grid c.grid=2;画出器件结构网格图，如图所示画出器件结构网格图，如图所示2024/7/1216浙大微电子栅氧生长栅氧生长&场区刻蚀场区刻蚀$Initial oxidationDIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRY F.HCL=5$Nitride deposition and field region maskDEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.07 SPACES=4DEPOSIT PHOTORESIST Negative THICKNESS=1EXPOSE MASK=FieldDEVELOPETCH NITRIDE TRAPETCH OXIDE TRAP UNDERCUT=0.12024/7/1217浙大微电子ETCH SILICON TRAP THICKNES=0.25 UNDERCUT=0.1$Initial oxidationDIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRY F.HCL=5$Nitride deposition and field region maskDEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.07 SPACES=4DEPOSIT PHOTORESIST Negative THICKNESS=1EXPOSE MASK=FieldDEVELOPETCH NITRIDE TRAPETCH OXIDE TRAP UNDERCUT=0.1ETCH SILICON TRAP THICKNES=0.25 UNDERCUT=0.12024/7/1218浙大微电子场区刻蚀完成后的结构如图所示场区刻蚀完成后的结构如图所示：2024/7/1219浙大微电子场区注入场区注入&场区氧化场区氧化&阈值调整阈值调整$Boron field implantIMPLANT BORON DOSE=5E12+ENERGY=50 TILT=7 ROTATION=30ETCH PHOTORESIST ALL$Field oxidationMETHOD PD.TRANS COMPRESSDIFFUSION TIME=20 TEMP=800+T.FINAL=1000DIFFUSION TIME=180 TEMP=1000+WETO22024/7/1220浙大微电子DIFFUSION TIME=20 TEMP=1000 T.FINAL=800ETCH NITRIDE ALL$Unmasked enhancement implantIMPLANT BORON DOSE=1E12 ENERGY=40+TILT=7 ROTATION=30$Plot the initial NMOS structureSELECT Z=LOG10(BORON)+TITLE=LDD Process NMOS Isolation RegionPLOT.2D SCALE GRID C.GRID=2 Y.MAX=2.0PLOT.2D SCALE Y.MAX=2.02024/7/1221浙大微电子$Color fill the regionsCOLOR SILICON COLOR=7COLOR OXIDE COLOR=5$Plot contours of boronFOREACH X(15 TO 20 STEP 0.5)CONTOUR VALUE=X LINE=5+COLOR=(X-14)END$Replot boundariesPLOT.2D AX CL2024/7/1222浙大微电子栅的形成栅的形成&LDD注入注入$Define polysilicon gateDEPOSIT POLYSILICON THICK=0.4 SPACES=2DEPOSIT PHOTORESIST THICK=1.0EXPOSE MASK=PolyDEVELOPETCH POLYSILICON TRAP THICK=0.7 ANGLE=79ETCH PHOTORESIST ALL$Oxidize the polysilicon gate2024/7/1223浙大微电子DIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRYO2$LDD implant at a 7-degree tiltIMPLANT ARSENIC DOSE=5E13 ENERGY=5+TILT=7.0 ROTATION=30 IMPL.TAB=ARSENIC2024/7/1224浙大微电子侧墙侧墙&源源/漏注入漏注入$Define the oxide sidewall spacerDEPOSIT OXIDE THICK=0.4ETCH OXIDE THICK=0.45 TRAP$Heavy S/D implant at a 7-degree tiltIMPLANT DOSE=1E15 ENERGY=200+ARSENIC TILT=7.0 ROTATION=30$Anneal to activate the arsenicDIFFUSION TIME=15 TEMP=9502024/7/1225浙大微电子接触孔刻蚀接触孔刻蚀&金属互连金属互连$Deposit BPSG and cut source/drain contact holesDEPOSIT OXIDE THICKNES=0.7DEPOSIT PHOTORESIST Negative+THICKNESS=1.0EXPOSE MASK=ContactDEVELOPETCH OXIDE THICKNESS=1.0 TRAP+ANGLE=75ETCH PHOTORESIST ALL2024/7/1226浙大微电子$Define the metallizationDEPOSIT ALUMINUM THICKNESS=1.0DEPOSIT PHOTORESIST POSITIVE+THICKNESS=1.0EXPOSE MASK=MetalDEVELOPETCH ALUMINUM TRAP+THICKNESS=1.5 ANGLE=75ETCH PHOTORESIST ALL2024/7/1227浙大微电子结构对称操作结构对称操作STRUCTURE REFLECT LEFT2024/7/1228浙大微电子电极定义电极定义&保存输出保存输出$electrode defineElectrode name=source x=-2.5 y=-0.5Electrode name=drain x=2.5 y=-0.5Electrode name=gate x=0 y=-0.2Electrode name=sub bottom$SAVE For MediciSAVEFILE OUT.FILE=NMOS medici poly.ele elec.bot2024/7/1229浙大微电子从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程 从工艺级仿真向器件级仿真的过渡，主要涉及了三从工艺级仿真向器件级仿真的过渡，主要涉及了三类文件（除后缀名外，以下文件名均可自取）：类文件（除后缀名外，以下文件名均可自取）：版图层次版图层次mask文件文件nmos.tl1，工艺描述文件工艺描述文件process，器件仿真程序文件器件仿真程序文件ggNMOSa.txt，ggNMOSb.txt（这两个（这两个文件可以合并）。文件可以合并）。2024/7/1230浙大微电子Mask定义定义TL1 01001e30 56002STI 20 10004600 5600PWELL 10 5600nmos.tl1 以上语句中，以上语句中，TL1 0100是文件开头标识，被工艺和器件仿是文件开头标识，被工艺和器件仿真程序所识别；第真程序所识别；第2行的行的1e3表示以下所出现的坐标均放大了表示以下所出现的坐标均放大了1000倍，即所有坐标以倍，即所有坐标以nm为单位（默认情况下，单位为为单位（默认情况下，单位为m）。）。2024/7/1231/652024/7/1231浙大微电子调用调用mask文件文件工艺仿真需要导入的工艺仿真需要导入的mask文件以文件以.tl1为后缀名，本例中的为后缀名，本例中的mask文件的文件名是文件的文件名是nmos.tl1，相应的描述语句是：，相应的描述语句是：mask in.file=nmos.tl1对工艺文件进行仿真后要导出保存的文件是工艺仿真的结果对工艺文件进行仿真后要导出保存的文件是工艺仿真的结果文件，本例中是文件，本例中是process:0_0，相应的描述语句是：，相应的描述语句是：savefile out.file=process:0_0 tif2024/7/1232浙大微电子但是这一格式的输出文件只被工艺仿真软件但是这一格式的输出文件只被工艺仿真软件TSUPREM-4所所识别，其主要用于初期程序的调试。这一输出文件包含之前识别，其主要用于初期程序的调试。这一输出文件包含之前的工艺仿真步骤的所有信息，可以被后续仿真所调用，调用的工艺仿真步骤的所有信息，可以被后续仿真所调用，调用可以用以下语句进行：可以用以下语句进行：mask in.file=nmos.tl1 initialize in.file=process:0_0 tif2024/7/1233浙大微电子T4到到Medici的输出的输出如果要进行后续的器件仿真，必须在定义完电极之后将结如果要进行后续的器件仿真，必须在定义完电极之后将结果再保存为果再保存为medici格式。电极的定义用以下格式进行：格式。电极的定义用以下格式进行：electrode x=0.5 y=-0.5 name=source下面的语句实现了从下面的语句实现了从Tsuprem-4到到Medici的过渡：的过渡：savefile out.file=ggnmos medici poly.ele elec.bot其中其中poly.ele指多晶硅区域在指多晶硅区域在medici输出文件中被转输出文件中被转 化为电极，化为电极，elec.bot指电信号会加在电极的背部。指电信号会加在电极的背部。器件仿真程序文件是为电学特性设置仿真条件的。器件仿器件仿真程序文件是为电学特性设置仿真条件的。器件仿真需要导入的程序文件是包含了前续仿真结果综合信息的真需要导入的程序文件是包含了前续仿真结果综合信息的文件（本例中是文件（本例中是ggnmos）,相应的描述语句是：相应的描述语句是：mesh in.file=ggnmos TSUPREM-4 y.max=5其中的其中的y.max=5指的是只对硅基上指的是只对硅基上5um深度内进行网格导入。深度内进行网格导入。2024/7/1234浙大微电子半导体器件级仿真的流程半导体器件级仿真的流程待仿真器件：待仿真器件：栅极接地的栅极接地的N型型MOS管管ggNMOS（Gate Grounded NMOS）(a)整体版图整体版图(b)局部放大版图局部放大版图2024/7/1235浙大微电子仿真原理图仿真原理图在人体静电模型在人体静电模型HBM（Human Body Model）下，对）下，对ESD防护防护器件进行瞬态仿真的原理器件进行瞬态仿真的原理 图。我们在图中电容图。我们在图中电容C的两端加的两端加上上6kV的初始电压值，进行的初始电压值，进行HBM模式下的瞬态仿真。这里模式下的瞬态仿真。这里的电容（的电容（C）值）值100pF，电阻，电阻 （R）1.5K，电感，电感（L）7500nH，这里的，这里的ggNMOS就是栅极接地的就是栅极接地的NMOS。2024/7/1236浙大微电子仿真描述语言仿真描述语言搭建搭建ESD防护器件瞬态仿真的程序描述语句是（电路网表）：防护器件瞬态仿真的程序描述语句是（电路网表）：Start CIRCUITC10100pL127500nR231.5kPNMOS 3=Drain 0=Gate 0=Source 0=Substrate+FILE=WIDTH=80$Initial guess at circuit node voltages.NODESET V(1)=6K V(2)=0 V(3)=0FINISH CIRCUIT2024/7/1237浙大微电子 瞬态仿真瞬态仿真ggNMOS的漏极电压、漏极电流和时间关系的描的漏极电压、漏极电流和时间关系的描述语句是：述语句是：Method continue Solve dt=1e-11 tstop=1e-8 Plot.1d x.axis=time y.axis=VC(3)points +title=protection device voltage Plot.1d x.axis=time y.axis=I(PNMOS.drain)points +title=protection device current 上述第三行上述第三行VC（3）中的）中的C以及第五行以及第五行PNMOS中的中的P是语是语法规定标识，分别表示是电路部分和物理（器件）部分的参数。法规定标识，分别表示是电路部分和物理（器件）部分的参数。2024/7/1238浙大微电子收敛性收敛性 在运行了上述程序语句后，经常会发现程序无法收敛。在运行了上述程序语句后，经常会发现程序无法收敛。下面介绍一种方法，使得即使在程序不收敛无法看曲线下面介绍一种方法，使得即使在程序不收敛无法看曲线的情况下，也能利用已收敛部分的数据，用拟合软件绘出已的情况下，也能利用已收敛部分的数据，用拟合软件绘出已收敛部分的仿真结果曲线。简要步骤如下：收敛部分的仿真结果曲线。简要步骤如下：1 将未收敛的将未收敛的.out文件下载到本地，这个文件和刚刚运行的文件下载到本地，这个文件和刚刚运行的 器件仿真程序文件是同名的，只不过后缀不同（本例中，器件仿真程序文件是同名的，只不过后缀不同（本例中，器件仿真的程序文件名是器件仿真的程序文件名是ggNMOSb.txt，对应的，对应的.out文件文件 是是ggNMOSb.out）。）。2024/7/1239浙大微电子2 用用UltraEdit打开该文件。打开该文件。3 搜索关键字，本例中搜索搜索关键字，本例中搜索VC(3)、I(PNMOS.drain)，将其电学参，将其电学参数值（电压和电流）导入到拟合软件数值（电压和电流）导入到拟合软件Origin。4 拟合数据，画出电学参数坐标图。拟合数据，画出电学参数坐标图。拟合的拟合的NMOS漏极电压和时间的关系图漏极电压和时间的关系图拟合的拟合的NMOS漏极漏极电流和时间的关系图电流和时间的关系图2024/7/1240浙大微电子根据根据0.4ns时间内的数据拟时间内的数据拟合的合的I-V曲线曲线根据根据1ns时间内的数据时间内的数据拟合的拟合的I-V曲线曲线2024/7/1241浙大微电子阈值仿真阈值仿真TITLE Vt simulationMESH IN.FILE=nmos tsuprem4$设置零偏置设置零偏置MODELS analytic FLDMOB SRFMOB2 BGN Auger consrhSYMB CARRIERS=0METHOD ICCG DAMPEDSOLVE v(drain)=0.1REGRID POTEN IGNORE=OXIDE RATIO=.1 MAX=1+SMOOTH=1PLOT.2D GRID TITLE=nmos FILL SCALE2024/7/1242浙大微电子$设置电压边界扫描设置电压边界扫描0-5VMODELS II.TEMP Impact.ISYMB NEWTON CARRIERS=2 ELE.TEMP HOL.TEMPMETHOD AUTONR ITLIMIT=100 N.MAXBL=30+N.MAXEB=20SOLVE V(gate)=0 ELECTRODE=gate vstep=0.1+nsteps=50 Impact.IPLOT.1D X.AXIS=V(gate)Y.AXIS=I(drain)POINTS+COLOR=3 CURVE=FALSE+TITLE=vt simulation2024/7/1243浙大微电子本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/1244浙大微电子ESD现象现象2024/7/1245浙大微电子电路中的电路中的ESD防护防护2024/7/1246浙大微电子ESD防护器件防护器件二极管二极管GGNMOS:SCR：2024/7/1247浙大微电子ESD设计窗口设计窗口2024/7/1248浙大微电子 JESD22-A114F标准关于标准关于HBM防护等级的划分防护等级的划分防护等级防护等级判断标准判断标准CLASS 0芯片有任意一个管脚在芯片有任意一个管脚在250V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 1A芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过250V HBM脉冲测试，脉冲测试，但是有任意一个管脚在但是有任意一个管脚在500V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 1B芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过500V HBM脉冲测试，脉冲测试，但是有任意一个管脚在但是有任意一个管脚在1000V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 1C芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过1000V HBM脉冲测试，脉冲测试，但是有任意一个管脚在但是有任意一个管脚在2000V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 2芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过2000V HBM脉冲测试，脉冲测试，但是有任意一个管脚在但是有任意一个管脚在4000V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 3A芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过4000V HBM脉冲测试，脉冲测试，但是有任意一个管脚在但是有任意一个管脚在8000V HBM脉冲下失效脉冲下失效CLASS 3B芯片所有管脚通过芯片所有管脚通过8000V HBM脉冲测试脉冲测试2024/7/1249浙大微电子本章内容本章内容 工艺和器件工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程仿真软件的发展历程 工艺和器件仿真的基本流程工艺和器件仿真的基本流程 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例的仿真示例 ESD防护器件设计要求及防护器件设计要求及TCAD辅助设计的必要性辅助设计的必要性 利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估防护器件综合性能的评估2024/7/1250浙大微电子利用瞬态仿真对利用瞬态仿真对ESD性能的评估性能的评估 DC仿真仿真 瞬态脉冲仿真瞬态脉冲仿真 混合仿真混合仿真ESD性能评估性能评估:有效性有效性 敏捷敏捷性性 鲁棒性鲁棒性 透明性透明性2024/7/1251浙大微电子几种测试模型几种测试模型ModelModel ParametersParasitic ComponentsTime rise(nsec)Timedecay(nsec)Vpeak(V)Cesd(pF)Resd()Lesd(H)HBM101502020001500010015007.5MM67.560-90(ring period)100-400200数十数十1-2CDM 0.2-0.40.4-2250-20006.8数十数十1-22024/7/1252浙大微电子ModelStandard LevelOkey(V)Safe(V)Super(V)HBM2000400010000MM2004001000CDM1000150020002024/7/1253浙大微电子待仿真器件和仿真电路图待仿真器件和仿真电路图 常见的常见的ESD防护器件防护器件SCE结构结构 CDM模式下模式下ESD放放电电 等效电原理图等效电原理图2024/7/1254浙大微电子有效性评估有效性评估 CDM模式下模式下ESD电流会电流会在在2.5ns内通过内通过ESD防护防护器件全部泄放。在这个时器件全部泄放。在这个时间内流过间内流过ESD防护器件的防护器件的峰值电流大小反映了该峰值电流大小反映了该ESD防护器件泄放静电的防护器件泄放静电的能力即器件的有效性。能力即器件的有效性。2024/7/1255浙大微电子敏捷性评估敏捷性评估 这里可以用恢复时间这里可以用恢复时间（Trecover）来定量）来定量描述敏捷性。描述敏捷性。Trecover的取值等于的取值等于ESD防护器防护器件开启直至电压最终回归件开启直至电压最终回归到钳位电压所需的时间。到钳位电压所需的时间。2024/7/1256浙大微电子鲁棒性评估鲁棒性评估 SCR器件中的黑箱热源区域图器件中的黑箱热源区域图 SCR器件中黑箱热源区器件中黑箱热源区放大图放大图 监视在静电放电情况下监视在静电放电情况下ESD防护器件内部的功率分布情况；防护器件内部的功率分布情况；监视最大功率密度点是否会进入热电失控状态监视最大功率密度点是否会进入热电失控状态；2024/7/1257浙大微电子鲁棒性评估鲁棒性评估 ESD防护器件内部的最大功率分布可以反映一个防护器件内部的最大功率分布可以反映一个ESD防护防护器件的鲁棒性。器件的鲁棒性。2024/7/1258浙大微电子透明性评估透明性评估 对加有对加有ESD防护器件的防护器件的I/O端口施加交直流信号，观察增加端口施加交直流信号，观察增加泄漏电流的大小；比如对于直流信号可以从泄漏电流的大小；比如对于直流信号可以从0V仿真到略超过仿真到略超过VDD的电压值，观察其漏电流大小。的电压值，观察其漏电流大小。2024/7/1259浙大微电子 ESD总体评估总体评估T1时的电流值反映了时的电流值反映了ESD防护器件的有效程度；防护器件的有效程度；Trecover的大小反映了这个的大小反映了这个ESD防护器件完成保护过程的速度；防护器件完成保护过程的速度；2024/7/1260浙大微电子 ESD总体评估总体评估图中双曲虚线表示了图中双曲虚线表示了ESD防护器件中的某个功率值防护器件中的某个功率值P0 （I*V=常数常数P0），这根曲线与），这根曲线与ESD防护轨迹的切点代表该防护轨迹的切点代表该ESD器件承受的最大功率。器件承受的最大功率。2024/7/1261浙大微电子 ESD总体评估总体评估这根曲线离坐标原点的距离远近反映了这个这根曲线离坐标原点的距离远近反映了这个ESD防护器件防护器件的鲁棒性；的鲁棒性；2024/7/1262浙大微电子 ESD总体评估总体评估防护器件第一次达到芯片工作电压防护器件第一次达到芯片工作电压VDD时刻的电流值（漏时刻的电流值（漏电流）反映了该电流）反映了该ESD防护器件的直流透明性。防护器件的直流透明性。2024/7/1263浙大微电子Thank You！2024/7/1264浙大微电子谢谢！谢谢！65