半导体激光器与发光二极管ppt课件

第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 构成光纤通信系统三大部分之一的光发射部构成光纤通信系统三大部分之一的光发射部分的核心是产生激光或荧光的光源，它包括半导分的核心是产生激光或荧光的光源，它包括半导体激光器体激光器LD（Laser Diode）和半导体发光二极和半导体发光二极管管LED（Light Emitting Diode），它们的共同），它们的共同特点是：体积小，重量轻，耗电量小。特点是：体积小，重量轻，耗电量小。激光激光，其英文，其英文LASER就是就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大受激辐射的光放大)的缩写。的缩写。第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 构成光纤通信系统三大部分之一的光发射第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/222引言引言 一、一、光纤通信系统对光源的基本要求：光纤通信系统对光源的基本要求：（1 1）稳定性好，可在室温下连续工作；）稳定性好，可在室温下连续工作；（2 2）尺寸和结构要小；）尺寸和结构要小；（3 3）光波应匹配光纤的两个低损耗波段；）光波应匹配光纤的两个低损耗波段；（4 4）信号调制容量大。）信号调制容量大。2023/8/42引言 一、光纤通信系统对光源的基本要第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/223引言引言二二、最常用的发光器件：最常用的发光器件：（1）LD：半导体激光二极管或称激光器半导体激光二极管或称激光器(LD),(LD),发出的是激光发出的是激光.a.a.极窄的光谱带宽；极窄的光谱带宽；b.b.极大的极大的调制容量；调制容量；c c 有定向输出特性；有定向输出特性；d.d.辐射具有光相干特性。辐射具有光相干特性。适用于长距离，大容量，高码速系统适用于长距离，大容量，高码速系统优点：优点：输出特性曲线线性好；使用寿命长；成本低输出特性曲线线性好；使用寿命长；成本低.（2）LED：发光二极管或称发光管发光二极管或称发光管(LED),(LED),发出的是荧光。发出的是荧光。a.a.非非相干的自发辐射；相干的自发辐射；b.b.结构及工作方式简单；结构及工作方式简单；适用于短距离，低速，模拟系统适用于短距离，低速，模拟系统 缺点：缺点：谱线宽度较宽；调制速率较低；与光纤的耦合效率较低。谱线宽度较宽；调制速率较低；与光纤的耦合效率较低。2023/8/43引言二、最常用的发光器件：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管半导体激光器（LD）图例红光点状光斑激光器红光点状光斑激光器工作参数工作参数输出波长：输出波长：635nm 650nm 670nm出光功率：出光功率：075mw光斑直径：光斑直径：工作电压：工作电压：3V 4.5V 5V 6V 图 3.1*半导体激光器（LD）图例红光点状光斑激光器 第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管发光二极管图例 圆形发光二极管工作参数波长：470nm发光强度：10004000mcd正向电压；3.4v 图 3.2*发光二极管图例 圆形发光二极管工作参数 第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管光电检测器图例光电检测器图例图图 3.3*插拔式光电二极管插拔式光电二极管图图3.4*APD雪崩光电二极管雪崩光电二极管光电检测器图例图 3.3*插拔式光电二极管图3.4*第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管一、光子一、光子 1950年，爱因斯坦提出光量子学说。他认为光光是由能量为是由能量为hf的光量子组成的的光量子组成的，其中，h=6.62610-34 JS，称为普朗克常数，f是光波频率，人们称这些光量称这些光量子叫做光子。子叫做光子。不同频率的光子具有不同的能量，而携带信息的光波它具有的能量只能是hf的整数倍，当光与物质相互作用时，光子的能量作为一个整体被吸收或反射。光子概念的提出，使人们认识到，光不仅具有波动性，而且还具有粒子性，而且两者不可分割（两重性）。3-1 与激光器有关的概念与激光器有关的概念一、光子 3-1 与激光器有关的概念第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 二、费米能级二、费米能级 1、原子能级的概念 物质是由原子组成，而原子又是由原子核和核外电子构成，当物质中原子的内部能量变化时，即可能产生光波。因此要研究激光的产生过程，就应了解原子能级分布。电子在原子核外按一定的轨道运动，就具有了一定的电子能量，因此，电子运动的能量只能有某些允许的数值，这些允许的数值，因轨道不同，而一个个分开的，即不连续的，我们把这些分立的能量值，称为原子的不把这些分立的能量值，称为原子的不同能级。同能级。(*04)二、费米能级第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2、费米能级 物质中的电子不停地做无规则的运动，他们可以在不同的能级间跃迁，即对于某一电子而言，它所具有的能量时大时小，不断变化，而电子按能量大小的分布却有一定规律。2、费米能级第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 在热平衡条件下，能量为能量为E的能级的能级被一个电子占据的概率为：式中：（概率）（概率）：为电子的费米分布函数：为电子的费米分布函数 Ko：玻耳兹曼常数 ，T：绝对温度 ：费米能级，它只反映电子在各能级中分布情况的一个参数。根据上式，我们可以得到图3.1所示的费米分布函数曲线：在热平衡条件下，能量为E的能级被一第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 由图3.1可见：在T0K时若E=Ef：则f(E)=1/2，则说明该能级被电子占据的概率为50%若E 1/2若EEf：则f(E)0K时第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管三、光与物质的三种作用形式 光可以被物质吸收，也可以从物质中发射，爱因斯坦指出了三种不同的基本过程如图3.2所示（下面简述E1、E2二能级系统为例）。（1）自发辐射 这是一种发光过程。设原子的两个能级E1和E2，E1为低能级，E2为高能级，由于处在高能级的电子不稳定，在未受外界激发的情况下，自发地跃迁到低能级，在跃迁的过程中，根据能量守恒原理，发射出一个能量为hf的光子，发射出的光子能量为两个能级之差：即 ，则发射光子的频率：三、光与物质的三种作用形式第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管自发辐射的特点如下：1）这个过程是在没有外界作用的条件下，而自发产生的，是自发跃迁。2）由于发射出光子的频率决定于所跃迁的能级，而发生自发辐射的高能级不是一个，而可以是一系列的高能级，因此辐射光子的频率亦不同，频率范围很宽。3）即使有些电子是在相同的能级差间进行跃迁，也就是辐射出的光子的频率相同时，但由于它们是独立的，自发的辐射，因此，它的发射方向和相位也是各不相同的，是非相干的。自发辐射的特点如下：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 （2）受激吸收 物质在外来光子的的激发下，低能级上的电子吸收了外来光子的能量，而跃迁到高能级上，这个过程叫受激吸收。受激吸收的特点：1这个过程必须在外来光子的激发下才能产生，因此是受激跃迁。2外来光子的能量要等于电子跃迁的能级之差，如E=E2-E1=hf 3受激跃迁的过程中，不是放出能量，而是消耗外来光能。（2）受激吸收第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 （3）受激辐射 这是另一种发光过程，处于高能级E2的电子当受到外来光子的激发而跃 迁到低能级E1，同时放出一个能量为2hf的光子，由于这个过程是在外来光子的激发下产生的，因此叫受激辐射。（3）受激辐射第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管受激辐射的特点：1外来光子的能量等于跃迁的能级之差，hf=E2-E12受激过程中发射出来的光子与外来光子不仅频率相同，而且相位、偏振方向传播方向都相同，因此称为全同光子。3这个过程可以使光得到放大，这是因为受激过程中发射出来的光子与外来光子是全同光子，相叠加的结果而使光增强，使入射光得到放大。因此，受激辐射引起光放大，是产生激光的一个重要的基本概念。受激辐射的特点：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 3-2 激光器的一般工作原理激光器的一般工作原理 激光器是指激光的自激振荡器。激光器是指激光的自激振荡器。要使光产生振荡，必须是使光得到放大，而产生要使光产生振荡，必须是使光得到放大，而产生光放大的前题，是物质中的光放大的前题，是物质中的受激辐射必须大于受激吸受激辐射必须大于受激吸收，收，因此，受激辐射是产生激光的关键。因此，受激辐射是产生激光的关键。一、粒子数反转分布与光放大之间的关系粒子数反转分布与光放大之间的关系 设低能级上的粒子密度为设低能级上的粒子密度为N1，高能级上的粒子密，高能级上的粒子密度为度为N2，正常状态下，正常状态下N1N2，则单位时间内，从高能，则单位时间内，从高能级跃迁到低能级上的粒子数总是小于从低能级跃迁到级跃迁到低能级上的粒子数总是小于从低能级跃迁到高能级的粒子数，这时受激吸收大于受激辐射击，即高能级的粒子数，这时受激吸收大于受激辐射击，即在热平衡条件下，物质不可能有光放大作用。在热平衡条件下，物质不可能有光放大作用。3-2 激光器的一般工作原理第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 要想物质能产生光放大，就必须使受激辐射作用大于受激吸收作用，即N2N1，这种粒这种粒子数一反常态的分布，称为粒子数反转分布子数一反常态的分布，称为粒子数反转分布。因此，粒子数反转分布状态是物质产生光放大的必要条件。我们将粒子数处于反转分布状态的物质，称增益物质，或激活物质。增益物质，或激活物质。要想物质能产生光放大，就必第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管二、激光器的基本组成二、激光器的基本组成 电振荡器构成的三个条件：放大、振荡、反馈。而激光振荡器也应由三部分组成：1）有能够产生激光的工作物质（放大）。2）有能够使工作物质处于粒子数反转分布状态的激励源（振荡）。3）有能够完成频率选择及反馈作用的光学谐振腔（反馈）。二、激光器的基本组成第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管1、能够产生激光的工作物质、能够产生激光的工作物质 就是可以处于粒子数反转分布状态的工作物质（前题），这种物质要有确定能级的原子系统，通过分析可知在三能级以上系统中即可得到粒子反转分布。2、泵浦源、泵浦源 使工作物质产生粒子数反转分布的外界激励源，使工作物质产生粒子数反转分布的外界激励源，叫做泵浦源。叫做泵浦源。物质在泵浦源的作用下，使粒子从低能级跃迁到高能级，使N2N1，这种情况下，受激辐射大于受激吸收，从而有光放大作用，这时的工作物质已被激活，成为激活物质或称增益物质。3、光学谐振腔、光学谐振腔 增益物质只能使光放大，要形成激光振荡器，还需要光学谐振腔，以提供必要的反馈及进行频率选择。1、能够产生激光的工作物质第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 （1）光学谐振腔的结构（如图3.3）在增益物质的两端，适当位置，放置两个反射镜M1和M2互相平行，就构成了最简单的光学谐振腔。如果平面镜，叫平面腔。如球面镜，叫球面腔。对于两个反射镜，要求其中一个能全反射，如M1的反射系数r=1，另一个为部分反射，如M2的反射系数r1，产生的激光由此射出。（1）光学谐振腔的结构（如图3.3）第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 (2)谐振腔如何产生激光振荡 当工作物质在泵浦源的作用下，变为激活物质后，即有了放大作用，如果被放大的光有一部分能够反馈回来，再参加激励，这相当于电路中用正反馈实现振荡，这时被激励的光就产生振荡，满足一定条件后，即可发出激光。如图3.4所示：(2)谐振腔如何产生激光振荡第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 激光的产生原理：激光的产生原理：当工作物质在泵浦源的作用下，变为激活物质以后，即有了放大作用。将在泵浦源激发下，处于粒子数反转分布状态的工作物质，置于光学谐振腔内，腔的轴线应与激活物质的轴线重合，被放大的光在谐振腔内，在两个反射镜之间来回反射，并不断地激发出新的光子，进一步进行放大，但在这个运动过程中也要消耗一部分能量（不沿谐振腔轴线方向的光波会很快射出腔外，以及M2反射镜的透射也会损耗部分能量）。当放大足以抵消腔内损耗时，就可以使这种运动不停地进行下去，即形成光振荡。当满足一定条件后，就会从反射镜M2透射出一束笔直的强光激光。激光的产生原理：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 综上所述：要构成一个激光器，必须具备三要素三要素：1工作物质：又称增益物质：又称增益物质 2泵浦源：激发工作物质实现：激发工作物质实现NcNvNcNv的外界能源。的外界能源。如如 正向偏置的正向偏置的PNPN结激光器结激光器 3光学谐振腔：提供必要的反馈以及进行频率选：提供必要的反馈以及进行频率选择。择。激活物质和光学谐振腔是产生激光振荡的必要条件。综上所述：要构成一个激光器，必须具备三要素：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管三、激光的参量三、激光的参量 1、平均衰减系数、平均衰减系数 在光学谐振腔内产生振荡的先决条件是放大的光能足以抵消腔内的损耗，而腔内损耗的大小，用平均衰减系数表示：式中：除反射镜M2透射损耗以外的其它损耗所引起的衰减系数。：谐振腔反射镜M2的透射损耗引起的衰减系数。L：谐振腔两个反射镜之间的距离。r1、r2：谐振腔两个反射镜的功率系数。三、激光的参量第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 2、增益系数、增益系数G 激活物质的放大作用，我们用增益系数G表示。如图3.5、3.6所示：I0为激活物质的输入光强，经过距离之Z后，光强放大到I，到了（ZdZ）处，光强为（IdI），那么，在dZ长度上，光强的增益dI为：称G为增益系数：它表示光通过单位长度的激活物质之后，光强增长的百分比。2、增益系数G第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 3、阈值条件、阈值条件 一个激光器并不是在任何情况下都可以发出激光的，它需要满足一定的条件，由衰减系数的概念可以看出，要使激光器产生自激振荡，最低限度应要求激光器的增益刚好能抵消它的衰减，我们将激光器能产生激光振荡的最低限度称为激光器的阈值条件。即：其中：Gt 称为阈值增益系数。由上式可见，激光器的阈值条件，只决定于光学谐振腔的固有损耗i，i 损耗越小，阈值条件Gt越低，激光器就越容易起振。3、阈值条件第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 四、谐振频率四、谐振频率 谐振频率是光学谐振腔的重要参数。对平行平面腔而言，由于腔的尺寸可远大于工作波长，因此，腔内的电磁波可认为是均匀平面波，而且在腔内往返运动时，是垂直于反射镜而投射，如图3.7：由A发出的平面波M2垂直返回M1返回A时，波得到加强，如果它们之间的相位差正好是2的整数倍时，显然就达到了谐振。设谐振腔的长度L，谐振腔介质中光的波长g，则满足相位差2的整数倍时，有 此式表明，光波在谐振中往返一次，光的距离（2L）恰好为g整数倍，即相位差2的整数倍。四、谐振频率第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管故光波长：这就是光学谐振腔的谐振条件或称驻波条件。谐振条件或称驻波条件。当光学谐振腔内，工作物质折射指数为n时，由上式可得出折算到真空光学谐振腔真空光学谐振腔的谐振波长0g与谐振频率f0g的关系为：当光波频率满足（3）式时，即可在腔中达到谐振。注：由上面（2）、（3）式可见 10g与光学谐振腔内材料的折射率有关。2当不同时，可有不同的f0g值，即有无穷多个谐振频率。：整数倍故光波长：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/22303-3 半导体激光器（半导体激光器（LD）半导体激光器是利用在有源区中受激而发射光的光器件。只有在半导体激光器是利用在有源区中受激而发射光的光器件。只有在工作电流越过阈值电流的情况下，才会输出激光（相干光），因而是工作电流越过阈值电流的情况下，才会输出激光（相干光），因而是有阈值的器件有阈值的器件。半导体砷化镓（半导体砷化镓（GaAs)GaAs)：在光纤通信中使用的激光物质都是在光纤通信中使用的激光物质都是GaAsGaAs。GaAsGaAs是高掺杂的是高掺杂的-族化合物。当掺入族化合物。当掺入族族TeTe原子取代原子取代AsAs原子，自由原子，自由 电子多，形成电子多，形成N N型半导体型半导体 当掺入当掺入族族ZnZn原原 子取代子取代GaGa原子，空穴多，原子，空穴多，形成形成P P型半导体。型半导体。S S+-p pn nlaserlaserreflectionreflection PNPN结激光器的示意结激光器的示意 2023/8/4303-3 半导体激光器（LD）第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2231 现在所用最普遍的激光器是现在所用最普遍的激光器是异质结半导体激异质结半导体激光器光器 它们的它们的“结结”是由不同的半导体材料制成的。是由不同的半导体材料制成的。主要目的是为了降低阈值电流，提高效率。目前主要目的是为了降低阈值电流，提高效率。目前，光纤通信用的激光器大多是铟镓砷磷，光纤通信用的激光器大多是铟镓砷磷(InGaAsP)(InGaAsP)双异质结条形激光器双异质结条形激光器，由剖面图中可，由剖面图中可以看出，它是由五层半导体材料构成。以看出，它是由五层半导体材料构成。一、半导体激光器的结构一、半导体激光器的结构2023/8/431 现在所用最普遍的激光器是异质结半第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2232 其中其中n nInGaAsPInGaAsP是是发光的作用区发光的作用区，作用区的上、下两层，作用区的上、下两层称为称为限制层限制层，它们和作用区构成，它们和作用区构成光学谐振腔光学谐振腔。限制层和。限制层和作用区之间形成作用区之间形成异质结异质结。最下面一层。最下面一层n nInPInP是是衬底衬底，顶，顶层层P P+-InGaAsP-InGaAsP是是接触层接触层，其作用是为了改善和金属电极，其作用是为了改善和金属电极的接触。顶层上面数微米宽的窗口为条形电极的接触。顶层上面数微米宽的窗口为条形电极。InGaAsP双异质结条形激光器的基本结构双异质结条形激光器的基本结构2023/8/432 其中nInGaAsP是发光的作用区第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2233 半导体的能带和电子分布半导体的能带和电子分布(a)本征半导体；本征半导体；(b)N型半导体；型半导体；(c)P型半导体型半导体 二、工作原理二、工作原理 为便于说明半导体激光器的机理，先介绍半导体的能带分布：1 1、半导体的能带分布2023/8/433 第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2、P型和型和N型半导体的形成型半导体的形成 N型半导体：将向本征半导体材料掺入提供电子的杂质元素后而形成的半导体材料，叫做N型半导体。它属于电子导电型。通常状态下：本征半导体的电子和空穴是成对出现的，Ef位于禁带中央（如图3.11a）。N型半导体中的特点是：特点是：导带电子多，价带空穴相对减小，Ef增大（如图3.11b）。P型和N型相反。将向本征半导体材料掺入提供空穴的杂质元素后而形成的半导体材料，叫做P型半导体。它属于空穴导电型。特点是：特点是：导带电子减少，价带空穴相对增多，Ef减少（如图3.11c）。2、P型和N型半导体的形成第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2235 一一般般状状态态下下，本本征征半半导导体体的的电电子子和和空空穴穴是是成成对对出出现现的的，用用Ef 位位于于禁禁带带中中央央来来表表示示，Ef 称称为为费费米米能能级级，用用来来描描述述半半导导体体中各能级被电子占据的状态。中各能级被电子占据的状态。在本征半导体中掺入施主杂质，称为在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体。型半导体。在本征半导体中掺入受主杂质，称为在本征半导体中掺入受主杂质，称为P型半导体型半导体。在在P型型和和N型型半半导导体体组组成成的的PN结结界界面面上上，由由于于存存在在多多数数载载流子流子(电子或空穴电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场。的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场。内内部部电电场场产产生生与与扩扩散散相相反反方方向向的的漂漂移移运运动动，直直到到P区区和和N区的区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜。相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜。2023/8/435 一般状态下，本征半导体第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2236P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 漂移 P-N结内载流子运动；结内载流子运动；PN结的能带和电子分布结的能带和电子分布2023/8/436P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2237势垒能量EpcP区EncEfEpvN区Env零偏压时零偏压时P-N结的能带倾斜；结的能带倾斜；2023/8/437势垒能量EpcP区EncEfEpvN区E第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管3、P-N结外加正偏压后的能带分布以及激光的产生结外加正偏压后的能带分布以及激光的产生 当给PN结外加正向偏压（P、N）后，P区的空穴和N区的电子不断地注入PN结，破坏了原来的热平衡，在PN结出现了两个费米能级。当外加正向偏压后,N区电子向P区移动，P区空穴向N区移动，能带倾斜减小，扩散增大。获得N2N1。粒子数反转分布，在空穴在空穴电子扩散过程中，导带电子跃迁到价带和空穴复合，产生自激辐射电子扩散过程中，导带电子跃迁到价带和空穴复合，产生自激辐射光光（如图3.14）。3、P-N结外加正偏压后的能带分布以及激光的产生第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管由图知：在N区，由于EEfN，则各能级被电子占据的概率 ，表示处于高能级N区的粒子数增多。在P区，由于EEfP，概率 ，表示处于低能级P区的粒子数减少。由上述两点：说明在外加正偏压后，在PN结区，出现了高能级的粒子多，低能级粒子少的分布状态，这即是粒子数反转分布状态。(*5)当P-N结上外加的正偏压足够大时，将使得结区处于粒子数反转分布状态，即出现受激辐射大于吸收情况，可产生光的放大作用，被放大的光在由P-N结构成的光学谐振腔（谐振腔的两个反射镜M1、M2，是由半导体材料的天然解理面形成的。）中来回反射，不断增强。当满足阈值条件后，即可发出激光。由图知：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2240h fh fEfEpcEpfEpvEncnEnv电子，空穴内部电场外加电场正向偏压下正向偏压下P-N结能带图结能带图获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布获得粒子数反转分布 2023/8/440hfhfEfEpcEpfEpvEncnE第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2241 增益区的产生：增益区的产生：在在PN结结上上施施加加正正向向电电压压，产产生生与与内内部部电电场场相相反反方方向向的的外外加加电电场场，结结果果能能带带倾倾斜斜减减小小，扩扩散散增增强强。电电子子运运动动方方向向与与电电场场方方向向相相反反，便便使使N区区的的电电子子向向P区区运运动动，P区区的的空空穴穴向向N区区运运动动，最后在最后在PN结形成一个特殊的增益区。结形成一个特殊的增益区。增增益益区区的的导导带带主主要要是是电电子子，价价带带主主要要是是空空穴穴，结结果果获获得得粒粒子数反转分布。子数反转分布。在在电电子子和和空空穴穴扩扩散散过过程程中中，导导带带的的电电子子可可以以跃跃迁迁到到价价带带和和空穴复合，产生自发辐射光。空穴复合，产生自发辐射光。2023/8/441 增益区的产生：第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管三、半导体激光器的工作特性三、半导体激光器的工作特性 半导体激光器属于二极管的范畴，除具有一般的伏安特性外，还具有以下的特殊的光频特性（如图3.15所示）。1、阈值特性、阈值特性 对于半导体激光器，当外加正向电流达到某一值时，输出光功率将急剧增加，这时将产生激光振荡，这个电流值叫阈值电流。用It表示。阈值：是光学谐振腔中的最低振荡条件，当满足一定的条件（阈值），就产生激光。当IIt时，激光器发出的是荧光。当IIt时，激光器发出的是激光。为了使（半导体激光器）通信系统稳定可靠地工作，希望阈值电流It越小越好。三、半导体激光器的工作特性第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 2、光谱特性、光谱特性 半导体激光器的光谱，随激励电流而变化。当IIt 时发荧光，光谱很宽，宽度达到数百埃。当IIt 时发射光谱突然变窄，谱线中心强度急剧增加。表明发出激光。单模激光器是指激光二极管发出的激光是单纵模，对应光谱只有一根谱线，当谱线很多时，即为多纵模激光器。中心波长：光谱曲线最高点对应的波长。谱线宽度：最高点功率下降3dB时曲线的宽度。3、温度特性、温度特性 激光器的阈值电流It和光输出功率P0随温度T变化的特性，叫温度特性（如图3.16）。It随T而增大，故实际电路中，均设有ATC电路。当然，It也和使用时间t有关，tIt。2、光谱特性第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 4、转换效率、转换效率 半导体激光器是把电功率直接转换成光功率的器件，衡量转换效率的高低，用功率转换效率表示。定义：式中：R：是与激光器的内部量子效率，激光波长和模式损耗有关的常数。V：工作电压 It：阈值电流 I：工作电流 4、转换效率第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 四、分布反馈激光器（四、分布反馈激光器（DFBDFB）随着高速率高速率光纤通信系统的发展及新型光纤通信系统（如波分复用系统）的出现，对激光器提出了更高的要求。1半导体激光器的谱线宽度更窄。2在高速脉冲调制下保持动态单纵模特性。3发射光波长更加稳定，并能实现调谐。4阈值电流更低，输出光功率更大。具有上述特性的动态单纵模激光器有多种类型，其中性能优良并广泛采用的是分布反馈（DFB）激光器（如图3.17所示）。四、分布反馈激光器（DFB）具有上第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 普通激光器用法布里珀罗（FP）谐振腔两端的反射镜对激活物质发出的辐射光进行反馈。DFB激光器用靠近有源层（作用区）沿长度方向制作的周期性结构靠近有源层（作用区）沿长度方向制作的周期性结构（波纹状）衍射光栅实现光反馈（波纹状）衍射光栅实现光反馈，这种衍射光栅的折射率周期性变化，使光沿有源层分布式反馈光沿有源层分布式反馈，所以称为分分布反馈激光器。布反馈激光器。由有源层发射的光，从一个方向向另一个方向传播时，一部份在光栅波纹峰反射（如光线a），另一部分继续向前位播。在邻近的光栅波纹峰反射（光线b），如果光线a和b匹配，相互迭加，则产生更强的反馈，而其它波长的光将相互抵消。普通激光器用法布里珀罗（FP）谐振腔两端的第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 虽然每个波纹峰反射的光不大，但整个光栅有成千上万个成千上万个波纹峰，反馈光的总量足以产生激光振荡。光栅由下式确定：式中：ne:材料有效折射率nB:布喇格波长m:衍射级数 在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为:其中：L：光栅长度在普通均匀光栅中，引入一个 相移变换，使原来的波峰变波谷，可有效提高模式选择性和稳定性，实现动态单纵激光器的要求。(52)虽然每个波纹峰反射的光不大，但整第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 3-4半导体发光二极管（半导体发光二极管（LED）除半导体激光器（LD）外，还有半导体发光二极管（LED）也是光纤通信中常用的光源，发光二极管基本上是用直接带隙（导带和价带之间的空隙称为禁带，也称带隙，宽度为Eg）的半导体材料制作的PN结二极管，它除了没有光学谐振腔和阈值外，其它方面与激光器相同，它的发光只限于自发辐射，发出的是荧光（而LD是发出的受激辐射光）。3-4半导体发光二极管（LED）第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2249LEDLED是无阈值器件，发荧光。是无阈值器件，发荧光。工作特性：工作特性：光谱较宽；光谱较宽；输出线性好，动态范围大，适于模拟通信；输出线性好，动态范围大，适于模拟通信；寿命长。寿命长。LEDLED发散角较大，与光纤的耦合效率低，适于短距发散角较大，与光纤的耦合效率低，适于短距离通信；离通信；温度特性好，无阈值电流，一般不需要温度特性好，无阈值电流，一般不需要ATCATC（自动温度控制自动温度控制电路）；电路）；发光二极管是由发光二极管是由P P型半导体形成的型半导体形成的P P层和层和N N型半导体型半导体形成的形成的N N层，以及在层，以及在中间由异质结构成的有源层中间由异质结构成的有源层组成。组成。有源层是发光的区域，其厚度为有源层是发光的区域，其厚度为0.lum0.lum0.2um0.2um左右。左右。2023/8/449LED是无阈值器件，发荧光。第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管一、工作原理一、工作原理 发光二极管是非相干光源，它的发射过程主要是对应光的自发辐射过程，在发光二极管的结构中，不存在谐振腔，发光过程中PN结也不一定要实现粒子数反转分布。当注入正向电流时，注入的非平衡载流子在扩散过程中复合发光，这就是发光二极管的基本原理。LED的工作原理基于半导体的自发辐射。由于半导体材料的导带和价带都由许多不同的能级组成。大多数的载流子复合发生在平均带隙上，但也有一些复合发生在最低及最高能级之间。设平均带隙为Eg，则偏移量 Eg在1kT2kT范围内（K为玻尔兹曼常数，为1.38e-23 焦耳/度，T为结温）。因此，LED的发射波长在其中心值附近占据较大的范围。把光强下降一半时的两点间波长范围定义为输出谱线宽度（半功率点全宽FWHP），如下图所示。在室温下，短波长LED的线宽约为25nm40nm，长波长 LED的线宽则可达75 nm100 nm。2024/5/2250一、工作原理2023/8/450第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/2251LED的线宽与许多因素有关，如：线宽随有源层掺杂浓的线宽与许多因素有关，如：线宽随有源层掺杂浓度的增加而增加。度的增加而增加。由于由于LED的线的线宽大，使光纤色宽大，使光纤色散加重，从而限散加重，从而限制了传输距离和制了传输距离和速率。速率。导体的价带能级间的光发射及线宽导体的价带能级间的光发射及线宽2023/8/451LED的线宽与许多因素有关，如：线宽随有第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管二、分类和结构二、分类和结构 为了获得高辐射度，发光二极管常采用双异质结构（DH），按光输出的位置不同，发光二极管分边发射型和面发射型(如图3.18)。根据发光面与PN结的平面平行或垂直而分为面发光或边发光。和面发光型LED相比，边发光型LED驱动电流较大，输出光功率较小，但由于光束辐射角较小，与光纤的耦合效率较高，因而入纤光功率比正面发光型LED大。和激光器（LD）相比，LED输出光功率较小，谱线宽度较宽，调制频率较低。二、分类和结构 根据发光面与PN结的平面平行或垂直而第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管surface emitting edge emitting 發光二極體(Light Emitting Diode,LED)surface emitting edge emitting第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管三、工作特性三、工作特性 1）光谱较宽：）光谱较宽：由于LED属于自发辐射光，没有谐振腔对波长的选择，谱线较LD宽得多，一般短波长GaAlAs-GaAs LED谱线宽谱线宽为3050nm，长波InGaAsP-InP LED谱线宽谱线宽60120nm。且随着温度升高或驱动电流增大，谱线加宽，且峰值波长向长波长方向移动，分别为：0.20.3nm/和0.30.5nm/。三、工作特性第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管2024/5/22552）PI曲线的线性较好：曲线的线性较好：LED的输出光功率的输出光功率P与电流与电流I的关系，即的关系，即PI特性如图特性如图所示，是非阈值器件，发光功所示，是非阈值器件，发光功率随工作电流增大，并在大电率随工作电流增大，并在大电流时逐渐流时逐渐饱和饱和。LED的工作电的工作电流通常为流通常为50 mA100mA，这时，这时偏置电压偏置电压 l.2Vl.8V，输出功率，输出功率约几约几mw。工作温度升高时，同样工作温度升高时，同样工作电流下工作电流下LED的输出功率的输出功率要下降。例如当温度从要下降。例如当温度从20升高到升高到70时，输出功率下降约一半，时，输出功率下降约一半，相对而言，温度的影响要比相对而言，温度的影响要比LD小小。4 3 2 1 0 50 100 150 02570电流电流/mA输出功率输出功率/mW2023/8/4552）PI曲线的线性较好：4 第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管 3）与光纤的耦合效率低：）与光纤的耦合效率低：由于LED发射出的光束的发散角较大（40120），因此，与光纤的耦合效率也较低，一般小于10%，只适于用于短距传输。4）寿命长：）寿命长：LED性能稳定，寿命长，可达3105h以上，且制造工艺简单，价格低廉。5）温度特性好：）温度特性好：由于LD的阈值电流随温度而变化，而LED是无阈值器件，因此温度特性好，一般无需加ATC。6）频率特性：）频率特性：面发光型fc2030MHZ，边发光型fc100150MHZ；最高调制频率应低于截止频率，fc为截止频率。3）与光纤的耦合效率低：由于LED发射出的光束的发散角较大第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管LD和LED之性能比較LDLED輸出光相干光非相干光反应时间(ns)0.011.0220谱线宽度(nm)0.251560耦合入纤光功率(mW)1100.010.1波长(nm)88015508801550上升时间1090%(ns)1220端压降(V)1.52.01.52.5LD和LED之性能比較LDLED輸出光相干光非相干光反应时间第三章第三章 半导体激光器与发光二极管半导体激光器与发光二极管LD和LED之性能比較注入電流(mA)1030050300臨界電流(mA)5250無線性度不好良好熱穩定性不好良好價格貴便宜壽命(小時)106107適用範圍大容量中長距離數位光纖系統類比及中小距離數位光纖系統(05*)LD和LED之性能比較注入電流(mA)103005030