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第三章 场效应管及其基本电路 31 结型场效应管 311 结型场效应管的结构及工作原理 312 结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线 二、输出特性曲线 1.可变电阻区 2.恒流区 3.截止区 4.击穿区 03.06.2019 模拟电子技术 1 第三章 场效应管及其基本电路 31 结型场效应管 332 绝缘栅场效应管(IGFET)321 绝缘栅场效应管的结构 322 N沟道增强型MOSFET 一、导电沟道的形成及工作原理 二、转移特性 三、输出特性(1)截止区(2)恒流区(3)可变电阻区 03.06.2019 模拟电子技术 2 32 绝缘栅场效应管(IGFET)321 绝缘栅场323 N沟道耗尽型 MOSFET 324各种类型MOS管的符号及特性对比 33 场效应管的参数和小信号模型 331场效应管的主要参数 一、直流参数 二、极限参数 三、交流参数 332 场效应管的低频小信号模型 03.06.2019 模拟电子技术 3 323 N沟道耗尽型 MOSFET 324各种类型M34 场效应管放大器 341 场效应管偏置电路 一、图解法 二、解析法 342 场效应管放大器分析 一、共源放大器 二、共漏放大器 03.06.2019 模拟电子技术 4 34 场效应管放大器 341 场效应管偏置电路 一、第三章第三章 场效应管及其基本电路场效应管及其基本电路（1）了解场效应管内部工作原理及性能特点。）了解场效应管内部工作原理及性能特点。（2）掌握场效应管的外部特性、主要参数。）掌握场效应管的外部特性、主要参数。（3）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。理及性能特点。（4）掌握放大电路静态工作点和动态参数（）掌握放大电路静态工作点和动态参数（?A、R、R、U ）的分析方法。）的分析方法。uioom03.06.2019 模拟电子技术 5 第三章 场效应管及其基本电路（1）了解场效应管内部工作原双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流。场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。场效应管FET(Field Effect Transistor)绝缘栅场效应管IGFET(Insulated Gate FET)03.06.2019 模拟电子技术 6 结型场效应管JFET(Junction FET)双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流31 结型场效应管结型场效应管 311 结型场效应管的结构及工作原理结型场效应管的结构及工作原理 一、结型场效应管的结构一、结型场效应管的结构 Drain 漏极 Gate 栅极 G D ID D N P 型 P 沟 道 实际流向 G S Source 源极 S 箭头方向表示栅源间PN结若加正向偏置电压时栅极电流的实际流动方向(a)N沟道JFET 03.06.2019 结型场效应三极管的结构结型场效应三极管的结构.avi 图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号 模拟电子技术 7 31 结型场效应管 311 结型场效应管的结构及工作D ID D N P G N 型 沟 道 实际流向 G S S(b)P沟道JFET 图31结型场效应管的结构示意图及其表示符号 03.06.2019 模拟电子技术 8 D ID D N P G N 型 沟 道 实际流向 G S 二、结型场效应管的工作原理二、结型场效应管的工作原理 i?f(u,u)DGSDSN P D G P S(a)UGS=0，沟道最宽 图32栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 03.06.2019 模拟电子技术 9 二、结型场效应管的工作原理 i?f(u,u)DGSDSN PD 横向电场作用：P P UGS PN结耗尽层宽度 沟道宽度 U GS S(b)UGS负压增大，沟道变窄 图32栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 03.06.2019 模拟电子技术 10 D 横向电场作用：P P UGS PN结耗尽层宽D P P UGSoff夹断电压夹断电压 U GS S(c)UGS负压进一步增大，沟道夹断 图32栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 03.06.2019 模拟电子技术 11 D P P UGSoff夹断电压 U GS S(c)I D 0 沟道预夹断 D G G P P U DS U GS U GS S S D I D 0 P P U DS(a)uGDUGSoff（预夹断前）uGD=UGSoff（预夹断时）纵向电场作用：在沟道造成楔型结构（上宽下窄）图34 uDS03.06.2019 模拟电子技术 12 I D 0 沟道预夹断 D G G P P U DS UI D 几乎不变 沟道局部夹断 D G P P U DS U GS S(b)uGDUGSoff uGDUGSoff（或uDSUGSoff uGDuGS-UGSoff）iD的大小几乎不受uDS的控制。(1)当UGSoffuGSUGSoff u3.截止区 当UGSUGSoff时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大。03.06.2019 模拟电子技术 18 3.截止区 当UGSUGSoff时，沟道被全部夹断，iD二、转移特性曲线二、转移特性曲线 uGS0，iD0 iu)uDSD?f(GS?CuGS2(1?)恒流区中：iD?IDSSUGSoff式中：IDSS饱和电流，表示uGS=0时的iD值；UGSoff夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。03.06.2019 模拟电子技术 19 二、转移特性曲线 uGS0，iD0 iu)uDSD?fi mA D/I DSS 5 4 为保证场效应管正常工作，PN结必须加3 反向偏置电压 2 1 3 U GS off 2 1 0 u V G S/(a)转移特性曲线 图33JFET 的转移特性曲线和输出特性曲线 03.06.2019 模拟电子技术 20 i mA D/I DSS 5 4 为保证场效应管正常工作i mA/i mA D/D I DSS 5 4 可 u u S U DS G GSoff 变 电 转移特性曲线转移特性曲线.avi 4 阻 区 3 恒 流 区 U 0V GS.5V 0 1 V 1.5V 2 V U GSoff 击 穿 区 3 2 1 2 1 0 3 2 1 0 u G S/V 5 截止区 10 15 20 u V/D S U GS off 03.06.2019 从输出特性曲线作转移特性曲线示意图 模拟电子技术 21 i mA/i mA D/D I DSS 5 4 可 32 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(IGFET)一、简介一、简介 栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体，其阻抗比JFET的反偏PN结的阻抗更大。功耗低，集成度高。绝缘体一般为二氧化硅（SiO2），这种IGFET称为金属 氧化物 半导体场效应管，用符号MOSFET表示（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。此外，还有以氮化硅为绝缘体的MNSFET等。03.06.2019 模拟电子技术 22 32 绝缘栅场效应管(IGFET)一、简介 栅极与沟道二、分类二、分类 增强型 N-EMOSFET N沟道 耗尽型 N-DMOSFET MOSFET 增强型 P-EMOSFET P沟道 耗尽型 P-DMOSFET 03.06.2019 模拟电子技术 23 二、分类 增强型 N-EMOSFET N沟道 耗尽型 N-D321 绝缘栅场效应管的结构绝缘栅场效应管的结构 322 N沟道增强型沟道增强型MOSFET (Enhancement NMOSFET)一、导电沟道的形成及工作原理一、导电沟道的形成及工作原理 S N G N P型衬底 D PN结(耗尽层)UGS=0，导电沟道未形成 模拟电子技术 24 03.06.2019 321 绝缘栅场效应管的结构 322 N沟道增强型S N U GS G N D()耗尽层 PN 结 P 型衬底 B(a)UGSUGSth，导电沟道已形成 的电流方向 图36 N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号 03.06.2019 模拟电子技术 26 栅源电压VGS对沟道的影响.avi D U GS N NU DS U GS N+N+P 型衬底 B 图 uDS增大，沟道预夹断前情况 03.06.2019 模拟电子技术 27 U DS U GS N+N+P 型衬底 B 图 uDU DS U GS N+N+预夹断 P 型衬底 B 图39 uDS增大，沟道预夹断时情况 03.06.2019 模拟电子技术 28 U DS U GS N+N+预夹断 P 型衬底 B U DS U GS N+N+P 型衬底 B 漏源电压漏源电压VDS对沟道的影响对沟道的影响.avi 图 uDS增大，沟道预夹断后情况 03.06.2019 模拟电子技术 29 U DS U GS N+N+P 型衬底 B 漏源电压二、输出特性二、输出特性 uDS0(1)截止区 uGSUGSth uGDUGSth（或uDSuGS-UGSth）03.06.2019 模拟电子技术 30 二、输出特性 uDS0(1)截止区 uGSUGSth uGDuGS-UGSth）曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。03.06.2019 模拟电子技术 32(3)恒流区 预夹断后所对应的区域。uGSUGSth u三、转移特性三、转移特性 iD0(1)当uGSUGSth时，iD 0，二者符合平方律关系。u CW2noxi?(u?U)DGSGSth2L?k(u?U)GS03.06.2019 2GSth模拟电子技术 33 三、转移特性 iD0(1)当uGSUGSth时，iD=i/m A D 5 4 3 2 1 0 1 2 3 u V G S/U GS th 图37 NMOSFET 的转移特性曲线 03.06.2019 模拟电子技术 34 i/m A D 5 4 3 2 1 0 1 2 3 u V323 N沟道耗尽型沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET)uGS2iD?ID0(1?)UGSoffID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。u CW2noxI(UGSoff)D0?2L03.06.2019 模拟电子技术 35 323 N沟道耗尽型 MOSFET (DepletioN N 导电沟道（反型层）P 型衬底 B UGS=0，导电沟道已形成 图 N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成 03.06.2019 模拟电子技术 36 N N 导电沟道（反型层）P 型衬底 B UGS=iD/mAu?u?UDSGSGSoff43210510(b)156VUGS 3V0V3V20uDS/V图310N沟道耗尽型 MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 03.06.2019 模拟电子技术 37 iD/mAu?u?UDSGSGSoff43210510(b)iDD ID0G B S(c)UGSoff0(a)uGS图310N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 03.06.2019 模拟电子技术 38 iDD ID0G B S(c)UGSoff0(a)u324各种类型各种类型MOS管的符号及特性对比管的符号及特性对比 JFET N 沟道 D G S G S P 沟道 D 图311各种场效应管的符号对比 03.06.2019 模拟电子技术 39 324各种类型MOS管的符号及特性对比 JFET N 沟MOSFE T增强型N沟道DGSBGSP沟道DBGSN沟道DBGS耗尽型P沟道DB图311各种场效应管的符号对比 03.06.2019 模拟电子技术 40 MOSFET增强型N沟道DGSBGSP沟道DBGSN沟道DBJFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。iD G 输入输入uGS 电压电压 S FET D 输出输出电流电流 S MOSFET：利用栅源电压（输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。03.06.2019 模拟电子技术 41 JFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变i D MOS 耗尽型 增强型 N 沟 N 沟 N沟道：iD?0I DSS 结型N 沟 U G So ff I D0 0 U G S th u G S 结型P 沟 P沟道：iD?0增强型 耗尽型 P 沟 P 沟 MOS(a)转移特性 42 图312各种场效应管的转移特性和输出特性对比 03.06.2019 模拟电子技术 i D MOS 耗尽型 增强型 N 沟 N 沟 N沟道：ii D N沟道：iDP沟道：iD?0?00 U V GS/3 6 3 2 5 4 1 4 5 0 3 6 7 1 2 U/V GS 8 2 1 9 3 0 增强型 耗尽型 结型 P 沟 MOS P沟 结型 N 沟 耗尽型 增强型 0 3 9 2 8 1 1 7 2 0 6 3 5 4 1 4 5 2 3 6 3 u D S MOS N沟 线性线性可变电阻区可变电阻区 u?u?u(u)DSGSGSoffGSth(b)输出特性 图312各种场效应管的转移特性和输出特性对比 03.06.2019 模拟电子技术 43 i D N沟道：iDP沟道：iD?0?00 U V GSBJT与与FET工作状态的对比工作状态的对比 放大 NPN-BJT 饱和/可变电阻 截止 uBE?UBE(on)uBE?UBE(on)uBE?UBE(on)uBC?0uBC?0uBC?0uBE?UBE(on)uBE?UBE(on)uBE?UBE(on)uBC?0uBC?0uBC?0?u(u)u?u(u)uGSGSoffGSthGSGSoffGSthu?u(u)GSGSoffGSthu?u(u)u?u(u)GDGSoffGSthGDGSoffGSthPNP-BJT P-FET N-FET 03.06.2019?u(u)u?u(u)uGSGSoffGSthGSGSoffGSthu?u(u)GSGSoffGSthu?u(u)u?u(u)GDGSoffGSthGDGSoffGSth模拟电子技术 44 BJT与FET工作状态的对比 放大 NPN-BJT 饱和/可场效应管工作状态的判断方法场效应管工作状态的判断方法 指导思想：假设处于某一 状态，然后用计算结果验证假设是否成立。1.先判断是否处于先判断是否处于截止状态截止状态 N沟道:u?u(u)GSGSoffGSthP沟道:u?u(u)GSGSoffGSth2.再判断是否处于再判断是否处于放大状态放大状态 u?u(u)N沟道：u?u?u(u)或或 GDGSoffGStDSGSGSoffGSthP沟道：u?u?u(u)或或 u?u(u)DSGSGSoffGSthGDGSoffGSth03.06.2019 模拟电子技术 45 场效应管工作状态的判断方法 指导思想：假设处于某一状态，然后33 场效应管的参数和小信号模型场效应管的参数和小信号模型 331 场效应管的主要参数场效应管的主要参数 一、直流参数一、直流参数 1.结型场效应管和耗尽型MOSFET 的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS(ID0)：对应uGS=0时的漏极电流。(2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。2.增强型MOSFET 的主要参数 对增强型MOSFET 来说，主要参数有开启电压UGSth。03.06.2019 模拟电子技术 46 33 场效应管的参数和小信号模型 331 场效3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在1081012之间。对MOS管，RGS1015在10 10 之间。通常认为RGS。二、极限参数二、极限参数(1)栅源击穿电压U(BR)GSO。(2)漏源击穿电压U(BR)DSO。(3)最大功耗PDM：PDM=IDUDS 03.06.2019 模拟电子技术 47 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在1081012三、交流参数三、交流参数 1跨导gm diDg(m?/V)m?u?CDSduGS对JFET和耗尽型MOS管 uGS2iD?IDSS(1?)UGSoff那么 I?I2IdiDSSuGSDSSDQDg?(1?)?mQduUIGSUGSoffGSoffUGSoffDSSdiDg?mQ?IDQduGS03.06.2019 模拟电子技术 48 三、交流参数 1跨导gm diDg(m?/V)m?u?CDS而对增强型MOSFET u CW22noxi?(u?U)k(u?U)DgsGSthgsGSth2L那么，对应工作点Q的gm为 2u C WnoxgI2 kIm?DQDQLdiDgm?Q?IDQduGS03.06.2019 模拟电子技术 49 而对增强型MOSFET uCW22noxi?(u?U)k(2.输出电阻rds duDSrds?diDuGSQ恒流区的rds可以用下式计算 rds?UAIDQUA为厄尔利电压。03.06.2019 模拟电子技术 50 2.输出电阻rds duDSrds?diDuGSQ恒流区的332 场效应管的低频小信号模型场效应管的低频小信号模型 i?f(u,u)DGSDS?i?i1DDdi?du?du?g du?duDGSDSmGSDS?u?urGSDSds 若输入为正弦量，上式可改写为 1Id?gmUUgs?dsrds通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则 Id?gmUgs03.06.2019 模拟电子技术 51 332 场效应管的低频小信号模型 i?f(u,u)DGS1Id?gmUUgs?dsrdsD Id?gmUgsD g U m gs S I d r ds g U m gs I d U o U ds S(a)(b)图313 场效应管低频小信号简化模型 03.06.2019 模拟电子技术 52 1Id?gmUUgs?dsrdsD Id?gmUgsD g 34 场效应管放大器场效应管放大器 341 场效应管偏置电路场效应管偏置电路?偏置方式 自偏压方式 适宜 JFET、DMOSFET 混合偏置方式 适宜 JFET、DMOSFET、EMOSFET?确定直流工作点方法 图解法 解析法 03.06.2019 模拟电子技术 53 34 场效应管放大器 341 场效应管偏置电路?偏U DD U DD(分压式 偏置)R D V u i R G R G1 R D R 自偏压 u S(i 电阻)R G2 R 自偏压 S(电阻)(a)(b)图314 (a)自偏压方式；(b)混合偏置方式 03.06.2019 模拟电子技术 54 U DD U DD(分压式 偏置)R D V u i 一、图解法一、图解法 1.自偏压方式 U DD 栅源回路直流负载线方程 u?i RGSDSiDR D V u i R G R S 1?RSQ 0uGS图315(a)图解法求自偏压方式电路的直流工作点 03.06.2019 模拟电子技术 55 一、图解法 1.自偏压方式 U DD 栅源回路直流负载线方程2.混合偏置方式 U DD R G1 R D 栅源回路直流负载线方程 RG2u?U?i RGSDDDSRRG1?G2iDu i R G2 R S 1?RS0uGS图315(b)图解法求混合偏置方式电路直流工作点 03.06.2019 模拟电子技术 56 2.混合偏置方式 U DD R G1 R D 栅源回路直流负二、解析法二、解析法 已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。U DD R D V u i R G R S UGS2iD?IDSS(1?)UGSoffu?i RGSDS03.06.2019 模拟电子技术 57 二、解析法 已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立求解即可求 342场效应管放大器分析场效应管放大器分析 一、共源放大器一、共源放大器 RG1C1.Ui50kRG31MRS2kC3150kRD10kC2RL1MUDD20V.UoRG2图316(a)共源放大器电路(a)03.06.2019 模拟电子技术 58 342场效应管放大器分析 一、共源放大器 RG1CDG+Ui_RG1RG2RG3gmUgsrdsRDRL+Uo_Uo?g(R)U?g U(r/R/R)Au?mDRLomgsdsDLUiSRR?R/R?1.0375M?i?G3G1G2R?R/r?R?10k?oDdsD图316(b)共源放大器电路低频小信号等效电路 03.06.2019 模拟电子技术 59 DG+Ui_RG1RG2RG3gmUgsrdsRDRL+Uo例例 试画出低频小信号等效电路，并计算增益 Au。R G1 150k C 1 u i 1M R G3 R G2 50k R S2 R S1 1k 2k C 3 R D 10k 2 C U DD g m 5mA/V u o R L 1M 图318(a)带电流负反馈的放大电路 03.06.2019 模拟电子技术 60 例 试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。R G1 1D+gmUgsSRS1_rdsRDRLUoRS1_gmUi1+gmRS1RLUo+U?I(R/R)o?dDLUgom?A?(R/R)?g R?8.3uDLmLU1?g RimS103.06.2019 模拟电子技术 gmI?UI?g U?g(U?I R)didmgsmidS11?gmRS1图3-18(b)(c)带电流负反馈放大电路的等效电路及简化等效电路 61 D+gmUgsSRS1_rdsRDRLUoRS1_gmUi1二、共漏放大器二、共漏放大器 U DD R G1 C 1 U i 50k R G2 150k R G3 1M g m 2mA/V C 2 R L 10k U o R S 2k 图319(a)共漏电路 03.06.2019 模拟电子技术 62 二、共漏放大器 U DD R G1 C 1 U i 50D g g -I RS m mU gs Uid(/R L)I d S R S R L U o 图319(b)共漏电路等效电路 03.06.2019 模拟电子技术 63 D g g -I RS m mU gs U1.放大倍数Au UI(RR)o?dS/L?I?g U?g U?I(R/R)?g U?I R dmgsmidSLmidLgmId?Ui?1?gmRL?UI(R/R)g RodSLmLA?u?UU1?g RiimLD g mU gs I d S R o S R L U 2?10?1.6?10?0.76?331?2?10?1.6?10?3303.06.2019 模拟电子技术 64 1.放大倍数Au UI(RR)o?dS/L?I?gU?2.输入电阻 RR?R?R/R?1.0375M?i?GG3G1G2U DD R G1 C 1 150k R G3 1M 50k R G2 g m 2mA/V C 2 R L 10k U o U i 03.06.2019 R S 2k 模拟电子技术 65 2.输入电阻 RR?R?R/R?1.0375M?i?GG 3.输出电阻Ro U DD R G1 C 1 U i 50k R G2 150k R G3 1M g m 2mA/V I C 2 o R L U o 10k R S 2k 图图320计算共漏电路输出电阻计算共漏电路输出电阻Ro的电路的电路 03.06.2019 模拟电子技术 66 3.输出电阻Ro U DD R G1 C 1 U i?I?g U?g(?U)?g USmgsmomogmUgs=gm(-Uo)ISIRSRS_RoIo+UoUo1?Ro?gmIS1Ro?RS/gm1?2?10/2?10?400?3?3图320计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 03.06.2019 模拟电子技术 67?I?gU?g(?U)?gUSmgsmomogmUgs=03.06.2019 模拟电子技术 68 03.06.2019 模拟电子技术 68 作作 业业 3-1 3-3 3-4 3-5 3-7 3-8 03.06.2019 模拟电子技术 69 作 业 3-1 3-3 3-4 3-5 3-7 3-8 0i mA D/I DSS 5 4 为保证场效应管正常工作，PN结必须加3 反向偏置电压 2 1 3 U GS off 2 1 0 u V G S/(a)转移特性曲线 图33JFET 的转移特性曲线和输出特性曲线 03.06.2019 模拟电子技术 70 i mA D/I DSS 5 4 为保证场效应管正常工作i mA D/漏极输出特性曲线漏极输出特性曲线.avi 可 u DS u G S U GSoff 变 电 U GS 0V 4 阻.5 V 0 区 恒 3 1 V 流 2 区 1 .5V 1 2 V U GSoff 0 击 穿 区 5 截止区 10 15 20 u V D S/(b)输出特性曲线 图33JFET 的转移特性曲线和输出特性曲线 03.06.2019 模拟电子技术 71 i mA D/漏极输出特性曲线.avi 可 u DS i mA/i mA D/D I DSS 5 4 可 u u S U DS G GSoff 变 电 转移特性曲线转移特性曲线.avi 4 阻 区 3 恒 流 区 U 0V GS.5V 0 1 V 1.5V 2 V U GSoff 击 穿 区 3 2 1 2 1 0 3 2 1 0 u G S/V 5 截止区 10 15 20 u V/D S U GS off 03.06.2019 从输出特性曲线作转移特性曲线示意图 模拟电子技术 72 i mA/i mA D/D I DSS 5 4 可 源极 栅极 漏极 S G A1层 N D 氧化层(SiO)2 N L P 型衬底 B 耗 尽 层(a)立体图 图35绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 03.06.2019 模拟电子技术 73 源极 栅极 漏极 S G A1层 N D 氧化层(SS G D SiO 绝缘层(2)N N 半导体 P 型硅衬底(b)剖面图 衬底引线 B N沟道增强型沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号的结构示意图和符号.avi 图35绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 03.06.2019 模拟电子技术 74 S G D SiO 绝缘层(2)N N 半导i/m A D 5 4 3 2 1 0 1 2 3 u V G S/U GS th 图37 NMOSFET 的转移特性曲线 03.06.2019 模拟电子技术 75 i/m A D 5 4 3 2 1 0 1 2 3 u Vi D 可 变 电 阻 区 u?u?UD SG SG SthU 恒 流 区 6V GS 5 V 4 V 3 V 击 穿 区 u D S 2 V 0 截止区(a)输出特性 图38输出特性 03.06.2019 模拟电子技术 76 i D 可 变 电 阻 区 u?u?UDSGSGSthU 恒i D U G S U)A(厄尔 利电压 0 u D S(b)厄尔利电压 图38输出特性 03.06.2019 模拟电子技术 77 i D U G S U)A(厄尔 利电压 0 u DBJT与FET的对比 BJT FET 导电机构 工作控制方式 输入阻抗 放大能力 工艺 使用 多子、少子（双极型）多子（单极型）流控 iB?iC102103 iD压控 uGS?1081012 gm(小)简单，易集成 DS 可置换 好?(大)复杂 CE不可置换 辐射光照温度特性 不好 抗干扰能力 03.06.2019 差 模拟电子技术 好 78 BJT与FET的对比 BJT FET 导电机构 工作控制方式使用FET的几点注意事项?保存?注意将几个管脚短路（用金属丝捆绑）。?测量?JFET用万用表测试要小心谨慎。?MOSFET一般不可测。?焊接?各电极焊接顺序为：SDG。?电烙铁要有中线。?断电焊接。03.06.2019 模拟电子技术 79 使用FET的几点注意事项?保存?注意将几个管脚短路（用金
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