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三福化工特殊化學品事業部化學品簡介三福化工特殊化學品事業部化學品簡介1.Developer(顯影液)TMAH(氫氧化四甲基銨)KOH(氫氧化鉀)NaOH(氫氧化鈉)Na2CO3(碳酸鈉)2.Etchant(蝕刻液)Oxalic acid(草酸)H3PO4(磷酸)HNO3(硝酸)Acetic acid(醋酸)HF(氫氟酸)3.Stripper(光阻剝離劑)DMSO(二甲基亞碸)BDG(二乙二醇單丁醚)MEA(DEA&TEA)(單乙醇胺)NMP(氮-甲基四氫吡咯酮)HA(羥胺)4.Thinner&EBR(光阻稀釋劑與洗邊劑)PGME(丙二醇單甲醚)PGMEA(丙二醇單甲醚醋酸酯)ANONE(環己酮)NBAC(醋酸丁酯)創新 誠信 簡樸 1三福化工特殊化學品事業部化學品簡介1.Developer 半導體製程簡介半導體製程簡介基板基板(玻璃或矽晶圓)金屬薄膜金屬化(濺鍍或沉積等)光阻(PR)塗佈光阻光罩曝光創新 誠信 簡樸 2半導體製程簡介基板基板(玻璃或矽晶圓)金屬薄膜金屬化(濺鍍或半導體製程簡介半導體製程簡介基板金屬薄膜顯影蝕刻去光阻創新 誠信 簡樸 3半導體製程簡介基板金屬薄膜顯影蝕刻去光阻創新 誠信 簡樸 1.Developer(顯影液顯影液)用途利用鹼性顯影液將光阻(PR,Photo Resist)經曝光後形成的有機酸中和、剝落，留下未反應的光阻圖案。主要成分TMAHKOHNaOHNa2CO3創新 誠信 簡樸 41.Developer(顯影液)用途創新 誠信 簡樸 1-1.25%TMAH中文名稱：25%氫氧化四甲基銨英文名稱：25%Tetramethylammonium hydroxide危害性/毒性等級：強鹼性(第八類腐蝕性物質)/具急毒性LD50 oral rat：50 mg/kg物理性質分子式/結構式：C4H13NO/(CH3)4NOH分子量：91.15(g/mole)熔點：-沸點：100 閃火點：-自然溫度：-爆炸界限：-比重：1.02溶解度(H2O/20)：全溶pH值：13(強鹼性)CAS No.：75-59-2UN：1835別名：TMAH創新 誠信 簡樸 51-1.25%TMAH中文名稱：25%氫氧化四甲基銨比重：CH3H3CCH3NTMAH3COOCH3CODMC1.6MPa,130MethanolCO2OCH3H2OMethanolCH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3HCO3TMAC反應水解TMAH生生產方法方法(1)創新 誠信 簡樸 6CH3H3CCH3NTMAH3COOCH3CODMC1.6CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3HCO3TMACO2CO2H2O陽極陰極CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3HCO3CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3OHH2OH2離子膜TMAH電解TMAH生生產方法方法(2)創新 誠信 簡樸 7CH3H3CCH3NCH3CH3H3CCH3NCH3HC全球各廠全球各廠TMAH產能能創新 誠信 簡樸 8全球各廠TMAH產能創新 誠信 簡樸 8台灣台灣TMAH進口量與價格進口量與價格(歷年歷年)創新 誠信 簡樸 9台灣TMAH進口量與價格(歷年)創新 誠信 簡樸 9台灣台灣TMAH進口量與價格進口量與價格(各國各國)創新 誠信 簡樸 10台灣TMAH進口量與價格(各國)創新 誠信 簡樸 10TMAH來源與來源與產能能三福:7,500 mt/y大陸杭州(格林達)創新 誠信 簡樸 11TMAH來源與產能三福:7,500 mt/y創新 誠信 未來未來TMAH擴擴產計劃計劃2008-Q1:5,000 mt/y台灣台南科學園區2008-Q3:7,000 mt/y大陸杭州蕭山(格林達)2008-Q4:7,000 mt/y大陸杭州蕭山(格林達)2008-Q4:5,000 mt/y台灣台南科學園區創新 誠信 簡樸 12未來TMAH擴產計劃2008-Q1:5,000 mt/y三福化工台南科學園區三福化工台南科學園區TMAH廠廠TAIWAN(10,000 mt/y)創新 誠信 簡樸 13三福化工台南科學園區TMAH廠TAIWAN(10,000 m25%TMAH規格規格(電子級電子級)創新 誠信 簡樸 1425%TMAH規格(電子級)創新 誠信 簡樸 14各廠牌各廠牌TMAH規格比較規格比較創新 誠信 簡樸 15各廠牌TMAH規格比較創新 誠信 簡樸 15TMAH實績實績LCD奇美電子、廣輝電子、友達光電、中華映管、群創光電、元太科技、久正光電、彩煇科技LED晶元光電、光磊科技、元砷光電、連勇科技、燦圓光電、光磊科技、洲磊科技、泰谷光電、全新光電、炬鑫科技、友嘉科技、廣鎵科技、新世紀光電其他多聯科技、台灣東進、銓品國際、永榮化學、永德化學、三喬貿易、和鴻國際、合皓股份、陸肯特創新 誠信 簡樸 16TMAH實績LCD創新 誠信 簡樸 16TMAH應用應用顯影液(電子業)電鍍液創新 誠信 簡樸 17TMAH應用顯影液(電子業)創新 誠信 簡樸 172.Etchant(蝕刻液蝕刻液)用途蝕刻未受光阻保護的金屬，留下受光阻保護的金屬線路圖。主要成分ITO蝕刻液草酸鋁蝕刻液磷酸/硝酸/醋酸創新 誠信 簡樸 182.Etchant(蝕刻液)用途創新 誠信 簡樸 12.Etchant(蝕刻液蝕刻液)Oxalic acid(草酸)磷酸硝酸醋酸氫氟酸創新 誠信 簡樸 192.Etchant(蝕刻液)Oxalic acid(2-1.草酸基本性質草酸基本性質中文名稱：草酸英文名稱：Oxalic acid dihydrate危害性/毒性等級：酸性(第八類腐蝕性物質)/2LD50 oral rat：7,500 mg/kg物理性質分子式/結構式：C2H4O2H2O/(COOH)2 2H2O 分子量：126.03(g/mole)熔點：101沸點：150 閃火點：-自然溫度：-爆炸界限：-視密度：900 kg/m3溶解度(H2O/20)：10.2%pH值：1CAS No.：6153-56-6UN：-別名：創新 誠信 簡樸 202-1.草酸基本性質中文名稱：草酸視密度：900 kg/m3草酸應用草酸應用電子業用ITO蝕刻液醫藥中間體電容器生產電池用的鈦酸鋇稀釷金屬提純特殊酚醛樹脂創新 誠信 簡樸 21草酸應用電子業用ITO蝕刻液創新 誠信 簡樸 213.Stripper(光阻剝離劑光阻剝離劑)用途去除蝕刻完的光阻(PR)，使受光阻保護的圖案(金屬線路)顯現出來。主要成分N-300(三福品名：BM-73)BDG/MEA=70/30TOK-106MEA/DMSO=70/30創新 誠信 簡樸 223.Stripper(光阻剝離劑)用途創新 誠信 簡樸 3.Stripper(光阻剝離劑光阻剝離劑)DMSO(二甲基亞碸)BDG(二乙二醇單丁醚)MEA(單乙醇胺)DEA(二乙醇胺)TEA(三乙醇胺)NMP(氮-甲基四氫吡咯酮)HA(羥胺)創新 誠信 簡樸 233.Stripper(光阻剝離劑)DMSO(二甲基亞3-1.DMSO基本性質基本性質中文名稱：二甲基亞碸英文名稱：Dimethyl sulfoxide危害性/毒性等級：非危險物品/FLD50 oral rat：14,500 mg/kg物理性質分子式/結構式：C2H6OS/CH3SOCH3分子量：78.13(g/mole)熔點：18沸點：189 閃火點：95 自然溫度：270 爆炸界限：1.8 Vol%比重：1.10溶解度(H2O/20)：全溶pH值：中性CAS No.：67-68-5UN：-別名：DMSO創新 誠信 簡樸 243-1.DMSO基本性質中文名稱：二甲基亞碸比重：1.10DMSO應用應用電子業用剝離劑藥廠用醫藥中間體或溶劑農藥高分子碳素纖維紡織業用抽絲溶劑防凍劑膠片清洗創新 誠信 簡樸 25DMSO應用電子業用剝離劑創新 誠信 簡樸 254.Thinner&EBR(光阻稀釋劑與洗邊劑光阻稀釋劑與洗邊劑)用途稀釋光阻或清洗光阻。主要成分PGME(丙二醇單甲醚)PGMEA(丙二醇單甲醚醋酸酯)ANONE(環己酮)NBAC(醋酸丁酯)應用油漆、塗料稀釋劑創新 誠信 簡樸 264.Thinner&EBR(光阻稀釋劑與洗邊劑)用途
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