薄膜太阳能生产工艺流程

GD Solar薄膜太阳能电池生产流程及工艺薄膜太阳能电池生产流程及工艺国电太阳能（江苏）有限公司GD Solar2024/5/16培训内容非晶硅薄膜电池生产流程模组生产流程各主要生产机台的基本工艺、水电气、原材料和基本参数GD Solar2024/5/16目录太阳能电池基本原理（PN 结1）太阳能电池基本原理（PN 结2）太阳能电池基本原理（光电效应）薄膜太阳能电池生产流水线总图薄膜太阳能电池生产流程图薄膜太阳能电池结构薄膜太阳能电池结构（续）薄膜太阳能电池电路图 薄膜太阳能电池的连接薄膜太阳能电池生产流程(E01-E03)薄膜太阳能电池生产流程(E04-E07)薄膜太阳能电池生产流程(E08-E11)薄膜太阳能电池生产流程(E12-E15)薄膜太阳能电池生产流程(E16-E18)薄膜太阳能电池生产流程(E19-E23)GD Solar2024/5/16太阳能电池基本原理（PN 结1）u PN结是太阳能电池的基础。结是太阳能电池的基础。PN结的基本材料是半导体。结的基本材料是半导体。u半导体：介于导体和绝缘体之间，如半导体：介于导体和绝缘体之间，如Si、P、B、Gau晶体：原子的排列具有长程周期性和旋转对称性（单晶、多晶）；晶体：原子的排列具有长程周期性和旋转对称性（单晶、多晶）；非晶体：原子无序排列，没有旋转对称性，但短程有序。非晶体：原子无序排列，没有旋转对称性，但短程有序。uN型半导体：型半导体：Si中掺杂中掺杂5价的价的P，P作为施主杂质能够提供自由移动的电子，电子是多数载流子。作为施主杂质能够提供自由移动的电子，电子是多数载流子。P型半导体：型半导体：Si中掺杂中掺杂3价的价的B，B作为受主杂质，产生空穴，能够接受电子，空穴是多数载流子。作为受主杂质，产生空穴，能够接受电子，空穴是多数载流子。电子电子空穴空穴硅原子的共硅原子的共价健结构价健结构硅中掺杂硅中掺杂P形成电子形成电子（N型）型）硅中掺杂硅中掺杂B形成空穴形成空穴（P型）型）自由电子自由电子空穴空穴GD Solar2024/5/165太阳能电池基本原理（PN 结2）内电场内电场uPN结的形成结的形成把把P型半导体和型半导体和N型半导体结合起来。型半导体结合起来。物质总是从浓度高的地方向浓度低的物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。地方扩散。P区和区和N区的多数载流子由于区的多数载流子由于浓度差向对方浓度差向对方扩散扩散。扩散的结果在。扩散的结果在P区区一侧留下带负电的离子，在一侧留下带负电的离子，在N区一侧留区一侧留下带正电的离子，这就形成了一层很薄下带正电的离子，这就形成了一层很薄的的空间电荷区空间电荷区，又称，又称耗尽层和耗尽层和PN结。结。由耗尽层产生的内电场一方面阻止多由耗尽层产生的内电场一方面阻止多子的继续扩散，另一方面又促使少数载子的继续扩散，另一方面又促使少数载流子向对方流子向对方漂移漂移，当扩散和漂移相等时，当扩散和漂移相等时，PN结处于结处于动态平衡动态平衡。uPIN：I层能增加耗尽层的厚度，减少层能增加耗尽层的厚度，减少a-Si缺缺限。增加载流子的寿命，提高光电转换效率。限。增加载流子的寿命，提高光电转换效率。P区（掺B）N区（掺P）电子电子空穴空穴正离子负离子动态平衡耗尽层/PN结GD Solar2024/5/166导带禁带价带原子能带原子能级原子轨道EgPNFront electrode+Back electrode-内电场太阳能电池基本原理（光电效应）u能级：能级：原子中电子的的运动状态分不原子中电子的的运动状态分不同的能级，原子核外围的电子受原子核同的能级，原子核外围的电子受原子核作用弱，能量坐标上能量愈高，反之原作用弱，能量坐标上能量愈高，反之原子核内围的电子能量愈低。子核内围的电子能量愈低。u低能吸的电子吸收一定能量的光子后低能吸的电子吸收一定能量的光子后就会跃迁到高能吸。就会跃迁到高能吸。u半导体的能带结构半导体的能带结构：按量子力学方法：按量子力学方法研究固体内部电子运动的理论，固体材研究固体内部电子运动的理论，固体材料的结构由多条能带组成。料的结构由多条能带组成。能带分为价能带分为价带、导带和禁带带、导带和禁带，导带和价带间的空隙，导带和价带间的空隙称为称为禁带宽度禁带宽度（Eg）。半导体的禁带宽）。半导体的禁带宽度度Eg很窄（很窄（0.3-4eV),当光照能量当光照能量hvEg时，可激发电子从价带跃迁到导带中去，时，可激发电子从价带跃迁到导带中去，同时在价带中形成空穴。电子和空穴总同时在价带中形成空穴。电子和空穴总是成对出现。是成对出现。u在内电场的作用下，带负电的电子逆在内电场的作用下，带负电的电子逆向内电场向向内电场向N区移动，带正电的空穴顺内区移动，带正电的空穴顺内电场向电场向P区移动。区移动。u薄膜太阳能电池在光照后，从薄膜太阳能电池在光照后，从P区前电区前电极流出正电，从极流出正电，从N区背电极流出负电。区背电极流出负电。空穴电子GD Solar2024/5/167薄膜太阳能电池生产流水线总图ID MARKER身份标识身份标识EDGE GRINDER磨边磨边MOCVD化学沉积化学沉积（TCO）INITIAL CLEANER初次清洗初次清洗DI WET CLEARER纯水清洗纯水清洗P1划线划线1PECVD化学沉积化学沉积（PIN）MOCVD化学沉积化学沉积（ZnO)SPUTTER溅射镀溅射镀(AL)P2划线划线2P4划线划线4P3划线划线3EDGE DELETION边缘喷沙边缘喷沙除边除边DI WET CLERNER纯水清洗纯水清洗PROCESS FLOW产品流产品流GD Solar2024/5/168薄膜太阳能电池生产流程图GD Solar2024/5/169薄膜太阳能电池结构MOCVD化学沉积化学沉积(TCO)PECVD化学沉积化学沉积(GE)PATTERN 划线划线1PECVD化学沉积化学沉积(PIN)MOCVD化学沉积化学沉积(ZnO)GLASS玻璃玻璃GD Solar2024/5/1610薄膜太阳能电池结构（续）PATTERN 划线划线2 SPUTTER磁控溅射镀磁控溅射镀(AL)PATTERN划线划线 4 PATTERN划线划线 3 MODULE模组模组GD Solar2024/5/1611薄膜太阳能电池电路图 CURRENT FLOW电流方向电流方向GD Solar2024/5/1612薄膜太阳能电池的连接130011007mm Cell(150ea)+-i0.9V 0.9V 0.9V0.9V 0.9V 0.9V1.2A 1.2A 1.2A1.2A 1.2A 1.2A1.8V 2.7V135V134.1V整块做为电池，阻抗大，通过划线后，由很多电池串联，可提高光电转换效率。8个激光头，划线19次，划线152条。每个电池的宽度7mm每个电池的面积127x0.7=88.9cm2VOC=0.9V X 150=135VISC=13.5mA/cm2 X 88.9cm2=1.2APMAX=Voc*Isc*FF=VPMxIPMGD Solar2024/5/1613ATM ROBORT薄膜太阳能电池生产流程(E01-E03)Glass Load玻璃装入玻璃装入ID Marker身份标识身份标识Edge Grinder磨边磨边Initial Cleaner初次清洗初次清洗-Loading by the glass loader onto the cassette-Moving to ID marker using ATM robot.-After marking process,perform Edge grinding using logistics line.-Cleaning using DI and a detergent.GD Solar2024/5/1614MOMOMOMOMOMOPEPEL/LP/RATM ROBORTAOI自动自动光学检测光学检测MOCVD(IN LINE)化学沉积化学沉积ZnOLaser Scribe(P1)激光划线激光划线1DI Wet Cleaner纯水清洗纯水清洗COOLING冷却冷却薄膜太阳能电池生产流程(E04-E07)ZnOGeP1次次品品GD Solar2024/5/1615L/LIP/HIIIIPNL/LIP/HIIIIPNL/LL/LP/HP/HPCPCPCATM ROBORTATM ROBORTTCTCTCRMS阻抗测量阻抗测量PECVD(PIN)化学沉积化学沉积PINMOCVD(BACK ZnO)化学沉积化学沉积ZnOCOOLING冷却冷却薄膜太阳能电池生产流程(E08-E11)PINZnO次次品品GD Solar2024/5/1616Laser Scribe(P1-1)PECVD(ICP)MOCVD(Back ZnO)薄膜太阳能电池生产流程(E12-E15)预留二期预留二期(TANDEM CELL)GD Solar2024/5/16L/LP/HPSPSATM ROBORTTCLaser Scribe(P2)划线划线2Dry Cleaner干洗干洗SPUTTER(AL)磁控溅射镀磁控溅射镀ALCOOLING冷却冷却薄膜太阳能电池生产流程(E16-E18)P2ALGD Solar2024/5/1618Laser Scribe(P3)划线划线3Laser Scribe(4)划线划线4Edge Deletion边缘喷沙除边边缘喷沙除边DI Wet Cleaner纯水清洗纯水清洗薄膜太阳能电池生产流程(E19-E23)P3P4MODULEGD Solar 模组生产流程GD Solar2024/5/16目录模组生产总图薄膜太阳能电池膜组生产流程图模组结构图模组结构图（续）模组电路图模 组生产流程图(M1-1 to M2-4)模组生产流程图(M2-5 to M4-1)模组生产流程图(M4-2 to M6-11)模组生产流程图(M7-1 to M12-2)模组生产流程图（M13-1 to M15-2)太阳能光伏发电系统GD Solar2024/5/1621模组生产总图SOLAR SIMULATE太阳模拟测试太阳模拟测试CIRCUIT FORMATION电路形成电路形成EVA LAY UP切割和安放切割和安放EVALAMINATE层压层压EDGE TRIMING去除边缘去除边缘JUCTION BOX安装接线盒安装接线盒AL FRAME安装铝框安装铝框SOLAR SIMULATE太阳模拟测试太阳模拟测试BACK SHEETLAY UP切割和安放背板切割和安放背板GD Solar2024/5/16薄膜太阳能电池膜组生产流程图EVA layupCircuit formationEdge TrimmingFrame Assembly(Sealing,Framing)Solar simulationJunction Box(Soldering,Potting)Back sheet layupSolar simulationCELLLINELaminationSELLDEPTGD Solar2024/5/1623模组结构图Solar simulation太太阳阳模模拟测试Circuit formation电路形成路形成EVA layup放放EVABack sheet layup放背板放背板GD Solar2024/5/1624模组结构图（续）Lamination层压Edge Trimming去除去除边缘Junction Box安装接安装接线盒、盒、焊接接Frame Assembly安装安装铝框框Solar simulation太太阳阳模模拟测试SELL DEPTGD Solar2024/5/1625Kapton tapeSilver pasteCopper tapeSmall EVA sheetSmall Insulation sheetInsulation tapeCopper tapeFlow模组电路图-+-+-GD Solar2024/5/1626模组生产流程图(M1-1 to M2-4)M1-1高度降底高度降底M1-2旋转旋转90度度M1-3模拟测试模拟测试M1-4改变方向改变方向M2-1点银胶点银胶M2-2贴导线和单面胶贴导线和单面胶M2-3点银胶点银胶M2-4放小块放小块EVA和绝缘板和绝缘板银胶银胶导线导线/单面胶单面胶银胶银胶EVA/绝缘板绝缘板次次品品GD Solar2024/5/1627M2-5贴导线贴导线/单面胶单面胶M2-6人工检查人工检查M2-7改变方向改变方向M3-2改变方向改变方向M3-3旋转工作台旋转工作台安安EVA/背板背板M3-4切割切割EVAM3-5切割背板切割背板M4-1暂时存放暂时存放模组生产流程图(M2-5 to M4-1)导线导线/单面胶单面胶切切EVA切背板切背板EVA/背板背板次次品品GD Solar2024/5/1628M4-2,3,5,8改变方向改变方向M6-5,7,9,11改变方向改变方向M4-4,6,7输送带输送带M6-6,8,10输送带输送带M5-6,7,8层压层压M6-1,2,3,4暂时存放暂时存放膜组生产流程图(M4-2 to M6-11)GD Solar2024/5/1629M7-1边缘切割台边缘切割台M7-3改变方向改变方向M8-1,2粘接线盒粘接线盒M9自动焊接自动焊接M10-1检查焊点检查焊点M11-1灌树脂胶灌树脂胶M12-1边缘涂密封胶边缘涂密封胶M12-2投入小推车投入小推车硬化硬化模组生产流程图(M7-1 to M12-2)次次品品刀片刀片接线盒接线盒焊条焊条树脂树脂密封胶密封胶GD Solar2024/5/1630M13-1膜组装入膜组装入M13-2旋转旋转90度度M13-4装铝框装铝框M14模拟测试模拟测试M15-2旋转工作台旋转工作台清洁表面清洁表面模组生产流程图（M13-1 to M15-2)铝框铝框GD Solar2024/5/16太阳能光伏发电系统切换器切换器太阳能电池方阵：将光能转换成电能太阳能电池方阵：将光能转换成电能充放电控制器：能自动防止蓄电池过充电和过放电的设备充放电控制器：能自动防止蓄电池过充电和过放电的设备蓄电池组：是储存太阳能电池方阵受光照时发出的电能并可随时向负载供电蓄电池组：是储存太阳能电池方阵受光照时发出的电能并可随时向负载供电逆变器：是将直流电转换成交流电的设备逆变器：是将直流电转换成交流电的设备太阳能电池方阵太阳能电池方阵控制器控制器逆变器逆变器负载负载蓄电池组蓄电池组电网电网GD Solar各生产工序工艺、水电气、原材料和主要数GD Solar2024/5/16CONTENTID MARKER(E01)INITIAL CLEANER（E03）AOI（E04）MOCVD IN LINE（E05）PATTERN1（E06）DI WET CLEANER（E07）RMS（E08）PECVD-PIN（E09-E10）MOCVD BACK ZnO（E11）PATTERN2(E16)DRY CLEANER(E17)SPUTTER(E18)PATTERN3(E19)PATTERN4(E20)GD Solar2024/5/16CONTENTEDGE DELETION(E22)MODULE（M1-1 to M1-4-1）MODULE（M2-1 to M2-6)MODULE(M2-7 to M3-5)MODULE(M4-1 to M7-3)MODULE(M8-1 to M12-2)MODULE(M13-1 to M13-4)GD Solar2024/5/16ID MARKER身份标识（E01）基本原理ID=IDENTIFICATION(身份证，标识符）身份证，标识符）用用Laser光线在光线在Glass内部刻印一串号码内部刻印一串号码/文字文字/条形码。条形码。Laser Head安装在安装在Conveyor System下部采用背面刻印。下部采用背面刻印。Scanner Head安装在安装在Conveyor System上部，用于监控刻印。上部，用于监控刻印。所需原材料GLASS所需UTILITYPOWERCDA主要参数RECIPEWAVELENGTH:355NMLens focal length 50mmMarking field 20mm20mmWARM UP TIME:20MINCOOLING WATER-AIR:+15 TO+40Glass的定位的定位 Loading Marking Scanner Data传送传送 UnloadingGD Solar2024/5/16INITIAL CLEANER初次清洗（E03）基本原理DET ROLL BRUSH:用毛刷配合清洗剂来除去用毛刷配合清洗剂来除去玻璃板表面比较大的玻璃板表面比较大的Particle。BJ&FR:Bubble Jet&Final Rinse:使用高压的使用高压的CDA和和DIW在在NOZZLE内部混合内部混合s形成水珠，形成水珠，水珠通过高速气体流动进行加速并分散，水珠通过高速气体流动进行加速并分散，最后通过此流体的冲击最后通过此流体的冲击来清除玻璃上的异物。来清除玻璃上的异物。AIR KNIFE：用高压的：用高压的CDA来来 吹扫玻璃表面水份，使其表面干燥。吹扫玻璃表面水份，使其表面干燥。In ConveyorDET Roll BushBJ&FRAir KnifeOut Conveyor所需原材料所需原材料Detergent(主要成份主要成份KOH）所需所需UTILITYPOWERPCW，CDA，DI，Recovery Drain,Genaral Exhaust,主要参数主要参数RECIPEBrush Speed（300400rpm）Detergent Temperature(40 5)GD Solar2024/5/16AOI自动光学检测（E04）基本原理AOI=Automated Optical Inspection自动光学检验自动光学检验人认识物体是通过光线反射回来的量进行判断，反射量多为亮，反射量少为暗。人认识物体是通过光线反射回来的量进行判断，反射量多为亮，反射量少为暗。AOI与人判断原理相同。与人判断原理相同。AOI通过人工光源通过人工光源LED灯光代替自然光，光学透镜和灯光代替自然光，光学透镜和CCD Camera 代替人眼，把从光源反射回来的量与已经编好程的标准进行比较、代替人眼，把从光源反射回来的量与已经编好程的标准进行比较、分析和判断。分析和判断。所需原材料所需UTILITYPOWERCDA主要参数RECIPEGD Solar2024/5/1638INLINE MOCVD（E05）基本原理TCO=Transparent Conductive Oxide(透明导电氧化物透明导电氧化物)MOCVD=Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金属有机物化金属有机物化学气相沉积）学气相沉积）化学反应：化学反应：DEZ+H2O ZnO 1，DEZ+2H2O Zn(OH)2+2C2H6 2，Zn(OH)2 ZnO+H2OZnO Doping B:增加导电性增加导电性Thickness of TCO layer：Trade-off between transparency and conductivityCrease average light path in the absorber layer Haze=DT/TT(Diffuse Transmission/Total Transmission)表面金表面金字塔结构，增加光的吸收。字塔结构，增加光的吸收。PECVD Deposition Ge（Doping B）:防止防止ZnO层和层和P层污染。层污染。所需原材料DEZ(Zn(C2H5)2)，10%GeH4/H2,NF3,0.5%B2H6/H2,N2，Ar，H2所需UTILITYPOWERPCW,CDA,DI,Genaral Exhaust N2,Ar,H2,10%GeH4/H2,NF3,0.5%B2H6/H2,主要参数Thickness:1000-1500nm Zn(OH)2SubstrateH2OZnOLOAD LOCKPRE-HEATMO(ZnO)PE(Ge)LOAD LOCKGD Solar2024/5/1639PATTERN1划线1（E06）基本原理“LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一种经由是一种经由Stimulated Emission(激发放射）过程来激发放射）过程来Amplification(放大）其能量的放大）其能量的Light(光线）。光线）。LASER特性：特性：单色性，定向性，相干性，聚焦性。单色性，定向性，相干性，聚焦性。First scribe,The transparent conductive film(TCO)should be divided for insulation,Also Horizontal direction scribing is neededGlass turn to back-side所需原材料所需UTILITYPOWERCDA，General Exhaust主要参数RECIPEWave length:1064nmLaser Power:4 WFrequency:60kHzProcessing speed:800mm/sLine Width：about 30umGD Solar2024/5/1640 WET CLEANER（E07,E22）基本原理BJ&FR:Bubble Jet&Final Rinse,使用高压的CDA和DIW在NOZZLE内部混合形成水珠，水珠通过高速气体流动进行加速并分散，最后通过此流体的冲击来清除玻璃上的异物。AIR KNIFE:用高压的CDA来 吹扫玻璃表面水份，使其表面干燥。IR:用红外加热器对对玻璃表面进行烘干，CB:用FFU形成的干净的风对玻璃表面进行冷却。In ConveyorBJ&FRAir KnifeOut ConveyorIRCB所需原材料所需UTILITYPOWERPCW，CDA，DI，General Exhaust,Recovery Drain主要参数RECIPEpIR Temperature(110120)GD Solar2024/5/16RMS阻抗测量（E08）基本原理RMS=Resistance Measurement System阻抗测量系统R=U/I 采用电压电流法来判定各个CELL之间的laser切割状况及清洗效果。R值越大说明各个CELL之间Laser效果越好。越小说明laser切割的不好或清洗的不好。所需原材料所需UTILITYPOWERVacuum,CDA主要参数RECIPEGD Solar2024/5/1642PECVD基本原理。PECVD Layer Gas：PECVD=Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学气相沉积P-Layer：B-doped;a-SiC:H,1020nm I-Layer：Absorber;a-Si:H,200300nm N-Layer：P-doped;a-Si:H/uc-Si:H,3050nm在a-Si材料中，包含有大量的悬浮键、空位等缺陷，提供了电子和空穴复合的场所，造成太阳能光电率降低，在a-Si太阳电池制程中，薄膜含有一定量的H可以使许多断键、悬浮键被氢化，大大降低材料的缺陷 P:SiH4,H2,B2H6,CH4 I:SiH4,H2 N:SiH4,H2,PH3所需原材料N2,Ar,H2,NF3,CH4,0.5%B2H6/H2,SiH4,1%PH3/H2所需UTILITYPOWERN2，Ar，H2，PCW，CDA，City Water,Genaral Exhaust,Toxic(Acid Exhaust),Acid Drain,NF3,CH4,0.5%B2H6/H2,SiH4,1%PH3/H2主要参数RECIPEPP/IIIII/NNLL/PHGD Solar2024/5/16NF3 的作用RPSC就是Remote Plasma source clean,远程等离子清洗源，就是使用高频电源（一般是13.6M）使清洗气体（一般是NF3或CF4)电离，产生F离子，与SIN发生反应，这样固态的SIN就生成气态的SIF4，Pump后就可以把SIF4抽走，这样就可以达到清洗的目的。GD Solar2024/5/1644BACK MOCVD基本原理MOCVD=Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金属有机物化学气相沉积）化学反应：DEZ+H2O ZnO 1，DEZ+2H2O Zn(OH)2+2C2H6 2，Zn(OH)2 ZnO+H2OZnO Doping B:增加导电性Thickness of TCO layer：Trade-off between transparency and conductivityCrease average light path in the absorber layer Haze=DT/TT(Diffuse Transmission/Total Transmission)表面金字塔结构，增加光的吸收。所需原材料DEZ(Zn(C2H5)2)，0.5%B2H6/H2,N2，Ar，H2，NF3所需UTILITYPOWERN2，Ar，PCW，CDA，DI，City Water,Genaral Exhaust,Toxic(Acid)Exhaust,Acid Drain,NF3,0.5%B2H6/H2,主要参数RECIPETHICKNESS：About 100nmZn(OH)2SubstrateH2OZnOLOAD LOCKLOAD LOCKPRE-HEATMO(ZnO)GD Solar2024/5/1645PATTERN2 划线2(E16)基本原理“LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一种经由Stimulated Emission(激发放射）过程来Amplification(放大）其能量的Light(光线）。特征：单色性，定向性，相干性，聚焦性。Second scribe marks made with laser isolates the PIN+ZnO into individual cells to form Contact holeGlass turn to back-side所需原材料所需UTILITYPOWERCDA，Genaral Exhaust主要参数RECIPEWave length:532nm KLY-QG10a or30aLaser Power:0.9WFrequency:15kHzProcessing speed:800mm/sLine width:about 90umSpace to P1:110umGD Solar2024/5/16DRY CLEANER基本原理 利用Air Knife 的clean pressure air 先破坏基板上的空气层，再用High Speed的Vacuum将玻璃表面的微小Particle或异物除去的一种VUV Type的Dry Cleaner.所需原材料所需UTILITYPOWERCDA，Genaral Exhaust主要参数RECIPEVACUUM：-0.9kpaPRSSSURE:1.4kpaGD Solar2024/5/1647SPUTTER基本原理Magnetron DC Sputtering磁控直流溅镀法直流电场中，Argon 原子被电离后，获得极高的速度撞击target,撞击的target原子溅射到substrate.以DC电浆来进行薄膜的溅镀时，所沉积的薄膜材质，将是电的导体，如铝和银等金属，而且薄膜的沉积材质，便是阴电极板的电极材料。我们通常以“靶（Target）”，来表示用在溅镀制程里的阴电极板。所需原材料AL Target所需UTILITYPOWERN2，Ar,PCW，CDA，DI，General Exhaust主要参数RECIPEThickness:about 300nmGD Solar2024/5/1648PATTERN3基本原理“LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一种经由Stimulated Emission(激发放射）过程来Amplification(放大）其能量的Light(光线）。特征：单色性，定向性，相干性，聚焦性。Second scribe marks made with laser isolates the PIN+ZnO+AL into individual cells to form Contact holeGlass turn to back-side所需原材料所需UTILITYPOWERCDA，Genaral Exhaust主要参数RECIPEWave length:532nmLaser Power:0.4WFrequency:7kHzProcessing speed:800mm/sLine width:about 100umSpace to P1:250umFront TCOa-SiBack ZnOAlGD Solar2024/5/1649PATTERN4 基本原理“LASER:Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”是一种经由Stimulated Emission(激发放射）过程来Amplification(放大）其能量的Light(光线）。特征：单色性，定向性，相干性，聚焦性。EDGE ISOLATIONGlass turn to back-side所需原材料所需UTILITYPOWERCDA，Genaral Exhaust主要参数RECIPEWave length:532nm and 1060nm IR Laser-6W40kHz Green Laser-0.6W10kHz Pitch-0.05mm From Edge:about 14-15mmLine width:about 200umSpace to P1:250umGD Solar2024/5/16EDGE DELETION基本原理利用AL2O3进行边缘喷沙，去除边缘部分,使其绝缘。所需原材料AL2O3所需UTILITYPOWERCDA,Genaral Exhaust,主要参数RECIPEGD Solar