《存储器技术》PPT课件

Hom e3.1 存储器简介3.2 读写存储器3.3 存储器扩展技术内容简介习题解答重点/难点 本章主要对微型计算机系统内存技术的发展进行了概述，内容包括存储器的分类、存储器的扩展、存储器的管理、常用内存储器的引脚功能与工作原理，以及外存储器的基本知识。 Hom e内容简介 Hom eu 芯片SRAM 2114和DRAM 4116u 芯片EPROM 2764和EEPROM 2817AuSRAM、EPROM与CPU的连接重点与难点 Hom eNext1点击演示！1.存储器分类 Hom eNext2点击演示！内存储器按其在微机系统中的位置可分成两大类： mBack 2.存储器的主要性能指标Hom eBack3u 存储容量u 存取速度u 可靠性u 功耗u 性能/价格比 1.静态读写存储器 （SRAM）1 (以6264芯片为例)8K8bit的CMOS RAM芯片Hom eNext 6264芯片与系统的连接2 D0D7A0A12WEOECS1CS 2A0A12MEMWMEMR译码电路高位地址信号D0D7 Hom eNext mBack 6264芯片与系统的连接3 D0D7A0A12WEOECS1CS 2A0A12MEMWMEMR译码电路高位地址信号D0D7 Hom eNext mBack 2.动态读写存储器 （DRAM）4 Hom eNext mBack 5典型的动态存储器芯片2164A 2164A：64K1采用行地址和列地址来确定一个单元；行列地址分时传送，共用一组地址线；地址线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。100 0 1 0 0 0列地址Hom eNext mBack 6动态存储器芯片2164A的工作原理三种操作： 数据读出 数据写入 刷新将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程。Hom eNext mBack 3.可重写的只读存储器（EPROM）7特点：Hom eNext mBack 8典型的EPROM 2764 Hom eNext mBack 9EPROM 2764的工作方式编程写入的特点：每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据数据读出编程写入擦除标准编程方式快速编程方式工作方式Hom eNext mBack 4.电擦除可编程只读存储器（EEPROM）10特点：Hom eNext mBack 典型的EEPROM 98C64A 11 Hom eNext mBack EEPROM 98C64A的工作方式12数据读出编程写入擦除字节写入：每一次BUSY正脉冲写 入一个字节自动页写入：每一次BUSY正脉写 入一页（1 32字节）字节擦除：一次擦除一个字节片擦除：一次擦除整片Hom eNext mBack 5.闪速EEPROM（FLASH）13特点：应用：Hom eNext mBack Hom eBackFLASH的工作方式14数据读出编程写入 擦 除读单元内容读内部状态寄存器内容读芯片的厂家及器件标记数据写入，写软件保护字节擦除，块擦除，片擦除擦除挂起 Hom eNext1位扩展扩展每个存储单元的位数字扩展扩展存储单元的个数字位扩展二者的综合用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 Hom eNext2 mBack位扩展存储器的存储容量等于： 单元数每单元的位数当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。位扩展特点：存储器的单元数不变，位数增加。字节数字长 Hom eNext3 mBack字扩展扩展的含义：地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。扩展原则：每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 Hom eNext4 mBack字位扩展根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数；进行位扩展以满足字长要求；进行字扩展以满足容量要求。若已有存储芯片的容量为LK，要构成容量为M N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） （N / K） 通 过 本 章 的 学 习 ：熟 悉 存 储 器 的 分 类 及 各 类 存 储 器 的 特 点 和 使 用场 合 ； 熟 悉 半 导 体 存 储 器 芯 片 的 结 构 ；掌 握 SRAM 2114、 DRAM 4116、 EPROM 2764、EEPROM 2817A的 引 脚 功 能 ； 理 解 SRAM读 写 原 理 、 DRAM读 写 和 刷 新 原 理 、EPROM和 EEPROM工 作 方 式掌 握 存 储 芯 片 与 CPU连 接 的 方 法 ， 特 别 是 片 选端 的 处 理 。 Hom eBack