DSP对AM29LV400BFlash存储器的烧写、擦除操作

DSP对AM29LV400BFlash存储器的烧写、擦除操作 1.引言 Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后数据不丢失的EEPROM存储器。它具有功耗低、容量大、烧写和擦除速度快等优点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，简化了软件的工作量，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。DSP是一种高速数字信号处理器。它具有高稳定性、可重复性、可大规模集成，特别是易编程性和易于实现自处理等特点，使得信号处理手段更灵活、功能更复杂、运算速度更快，在数字信号处理领域得到广泛地应用。本文通过完整的实例，介绍以TMS320VC33(简称VC33)为嵌入式系统对AM29LV400B Flash存储器进行烧写和擦除的实现方法。2.AMD公司AM29LV400B Flash存储器AM29LV400B是AMD公司推出的Flash存储器，它是4兆位(8×512K/16×256K位)的CMOS工艺扇区擦除、字节编程的电可擦除只读存储器EEPROM。它的主要特点包括如下几个方面：3.3V单电压供电；内部嵌入编程、擦除操作算法，只需向命令寄存器写入标准的微处理器指令，并且可通过查询特定的引脚或数据线来监控操作是否完成；对任一扇区进行烧写擦除操作时不影响其它的扇区数据；可进行100000次的烧写擦除操作，数据保存10年以上。本文中Flash的数据映射到DSP的0x0400000空间，Flash的一个字节对应一个DSP的低8位数据，高24位为无效数据，可以直接按字节进行读写操作。3.Flash存储器的基本操作命令以及程序设计流程Flash存储器AM29LV400B的基地址为0x400000，每个偏移地址乘以4是因为Flash字节仅占用DSP空间低8位，而DSP的地址是字节地址，所以地址增量为4。3.1 Flash存储器的操作结束检测Flash AM29LV400B内部的编程或擦除算法可自动完成相应操作，但必须了解其内部的操作检测机制，以便知道操作是否完成或正确。常用的检测方法有两种:跳变位(DQ6 )检测法、数据检测位(DQ7)检测法。本文中用的是第1种方法，即检测跳变位DQ6。DQ6指的是当前操作地址的D6位，在Flash写操作过程中，对相应地址的连续读均引起DQ6的0;、1;跳变，只有当写操作结束的时候，DQ6才会停止跳变，此时说明Flash内部操作成功结束，程序代码如下：对读回的DQ6的数值做0x7fffff次比较，如果在所有的比较里该位都产生跳变，则说明Flash内部操作失败；如果DQ6停止跳变，flag标志写1,跳出while循环，Flash操作成功结束。3.2 Flash存储器擦写操作命令Flash存储器的擦写操作命令通常是启动Flash设备的存储器操作函数，由内嵌的算法完成具体的编程和擦除操作，所以向Flash的特定地址写入操作命令和数据，就可以对Flash存储器进行编程和擦除。表1介绍了Flash擦写命令的具体操作地址和命令代码。在CC3000开发系统下，实现Flash擦写操作命令的C代码如下所示：执行写上述操作时，应注意以下事项：计算要擦除扇区的开始地址时，默认为Flash的开始地址(第一个扇区)。由于编程指令不能使0;写成1;，只能使1;写成0;，而擦除指令可使0;写成1;，所以写数据之前要先擦除完成后再编程烧写。4.烧写Flash存储器一般情况下，Flash是通过编程器把以文件形式存储的数据(比如生成的DSP引导程序代码bin二进制文件)烧写到Flash中，但这种方法烧写速度慢，并且需要把Flash芯片放到编程器上，调试过程中频繁的插拔Flash芯片会降低芯片寿命，因此选择在开发系统下通过JTAG接口和仿真器将比较大的数据文件烧写到Flash的指定存储区域中。下面具体介绍在CC3000开发系统下实现软件打开文件并将文件数据烧写到Flash中的实现过程。5.开发系统CC3000以及编译链接环境的设置选用TI的CC3000作为DSP的集成开发工具，它支持标准C和C+语言，并且能够嵌入汇编语言。编译程序之前，应先对CC3000的编译链接选项进行设置，并编写命令链接文件(.cmd文件)，为程序和数据分配存储空间。5.1 命令链接文件(.cmd文件)的编写命令链接文件定义了DSP存储空间分配情况，用于在程序链接加载过程中将编译生成的各个代码段定位到DSP程序和数据存储区上，以本文的项目为例，cmd文件如下：MEMORY命令完成DSP存储空间的分配。本文中将DSP的存储空间分成九部分：ROM区域表示4K的内部ROM区；EXT0区域表示外部存储区；Flash表示的是Flash存储区；VECTOR区域表示存放中断向量表的存储区。SECTIONS命令说明编译生成的各个输出段如何定位到存储器。由于在CC3000开发系统下烧写文件到Flash涉及对文件的打开与读写操作与动态存储分配操作，所以应该在SECTIONS里定义.sysmem和.cio两个段，而一般情况下这两个段在编译过程中是不产生的。.sysmem段是提供动态存储分配空间的数据区，主要由malloc、calloc和realloc等动态分配函数所使用，这些函数封装在CC3000提供的系统库函数rts30.lib中。.cio是有关文件IO操作的段，程序中涉及到对文件的打开读写等操作的时候编译才会生成该段。这两个段都是作为程序的数据定义到RAM数据存储器里。5.2 烧写文件数据到Flash的实现在CC3000下打开文件，读取文件数据，并将数据通过VC33写到Flash。下面以小于64K文件的烧写为例，说明在CC3000下烧写Flash的过程，程序代码如下:在CC3000开发系统下，根据文件大小计算将文件数据分成多少个64K大小的块和最后一块小于64K块的长度，并对DSP进行初始化；然后以rb为参数调用fopen函数，即已只读的二进制文件格式打开制定的文件，如果fopen参数里没有写出文件的路径，系统默认为与CC3000生成的.out格式文件在同一个目录下，如果打开成功，获得文件句柄fp；按照块的顺序，依次以字节大小读取文件数据到0x08030000x0808000,并调用写Flash函数flash_write(),依次将数据写到Flash存储器(注意每次写操作结束后，Flash地址应该相应的增加)；最后关闭文件，退出程序，操作完成。6.结束语用软件方式，在CC3000开发系统下，由VC33控制Flash写操作，从而实现了文件数据到Flash存储器的下载过程。与编程器写Flash的方式相比，其软件烧写Flash速度快，而且无需卸下Flash芯片放在编程器上，便于调试。通过上述方法可完成VC33对AM29LV400B的烧写。其他型号Flash芯片也可按此类方法烧写。