VDMOS工艺流程简介

ConfidentialInPower SemiconductorApr.2012Confidential主要内容MOSFET的结构;MOSFET的芯片制成工艺；封装测试工艺流程;MOSFET主要控制点；生产测试仪器的介绍ConfidentialConfidential芯片制造工艺流程芯片制造工艺流程材料制备 氧 化SOURCE光刻P-WELL注入多晶注入多晶光刻多晶淀积栅氧化JFET注入氧 化Active光刻P+扩散P+注入Ring光刻P-WELL退火SOURCE注入 退 火PSG淀积载流子寿命控制 PSG退火接触孔光刻AL 溅射钝 化钝化光刻AL光刻、合金 减 薄背面蒸发中 测ConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidential 划 片 装 片塑 封打 印电 镀键 合切 筋测 试包 装ConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidentialConfidential谢谢大家！