《半导体光电子学课件》下集2.1异质结及其能带图

第二章 异质结,异质结:两种禁带宽度不同的半导体材料，通过一定的生长方法所形成的结。 突变结 按电荷分布 分 缓变结 类 同型异质结 p-P,n-N 按掺杂类型 异型异质结 p-N,n-P,2 1 异质结及其能带图, 能带图 界面上静电场是不连续的；功函数；电子亲和势X, p-n结 p- n: n型和p型样占接触在一起p- n结。 n区电子向p区扩散n区剩下电离施主，形成带正电荷区。 p区孔穴向n区扩散p区剩下电离受主，形成带负电荷区。 加正向偏压 时，外加电场与内建电场方向相反，空间电荷相应减少，势垒区宽度减少，扩散运动超过了漂移运动 ， 载流子扩散运动超过了漂移运动成为正向电流。,n 区电子进入p区成为p区非平衡少数载流子。 非平衡少数载流子的电注入。 扩散过程中与多子相遇而不断复合一个扩散长度后复合完毕。,由电子型半导体中电离施主和空穴型半导体受主组成。,一.pN异型异质结,二.突变同型异质结,nN , pP 1.同型异质结由多数载流子相互扩散形成空间电荷区 2.同型异质结性质由多数载流子决定 3.同型异质结材料费米能级有差别 扩散 4. Eg: X: : F:,不同， 能带不同,三.缓变异质结,1.能带不连续性小时，尖峰、尖谷淡化 2.在外加电场作用下，缓变结与突变结有相同的性质， 、 随 变化有一定的关系,