时基集成电路的结构和工作原理

第一节 概述 第二节 555时基集成电路的结构和工作原理 6.2.1 双极型555时基电路的结构和工作原理 6.2.2 CMOS型555时基电路的结构和工作原理 6.2.3 双极型555和CMOS型555的性能比较 第三节 施密特触发器 第四节 单稳态触发器 第五节 多谐振荡器,第六章 脉冲波形的产生与整形,数字电路中的信号都是脉冲信号，这种信 号的产生、整形与变换电路的作用是产生各种不 同脉宽和幅值的脉冲波形，或者对不同脉宽和幅 值的脉冲波形进行整形和变换，或者完成连续模 拟信号与脉冲信号之间的相互变换等。 数字电路中使用脉冲信号大多是矩形脉冲 波，矩形脉冲波波形的好坏，将直接影响数字电 路的正常工作。矩形脉冲波的波形图如图6.1.1 所示。为了描述矩形波的波形好坏，对矩形波定 义了下列一些描述参数。,6.1 概述,6.1.1 描述矩形脉冲波的主要参数,脉冲幅值Vm 脉冲波形变化时电路幅值变化的最大值。 脉冲宽度tw 从脉冲波形的上升沿上升至0.5 Vm开始，到下降沿下降至0.5 Vm为止的时间间隔。 上升时间tr 在脉冲波形的上升沿，从0.1 Vm上升至0.9 Vm所需要的时间。 下降时间tf 在脉冲波形的下降沿，从0.9 Vm到0.l Vm所需的时间。,脉冲周期T 在周期性重复的脉冲序列中，相邻两脉冲的时间间隔。 脉冲频率f 在周期性重复的脉冲序列中，单位时间内脉冲重复的次数，即 f=1/T。 占空比D 脉冲波形的脉冲宽度tw与脉冲周期T之比，即D= tw /T。,6.2.1 555时基电路的特点和封装,6.2 555时基集成电路的结构和工作原理,555时基电路大量应用于电子控制、电子检测、仪器仪表、家用电器、音响报警、电子玩具等诸多方面。 还可用作振荡器、脉冲发生器、延时发生器、定时器、方波发生器、单稳态触发振荡器、双稳态多谐振荡器、自由多谐振荡器、锯齿波发生器、脉宽调制器、脉位调制器等等。,555时基电路之所以得到这样广泛的应用，在于它具有如下几个特点： 555在电路结构上是由模拟电路和数字电路组合而成，它将模拟功能与逻辑功能兼容为一体，能够产生精确的时间延迟和振荡。它拓宽了模拟集成的应用范围。 该电路采用单电源。双极型555的电压范围为4.5V15V；而CMOS型的电源适应范围更宽，为2V18V。这样，它就可以和模拟运算放大器和TTL或CMOS数字电路共用一个电源。,一、 555时基电路的特点, 555可独立构成一个定时电路，且定时精度高，所以常被称为555定时器。 555的最大输出电流可达200mA（双极型）, 带负载能力强。可直接驱动小电机、喇叭、继电器等负载。,二、 555时基电路的封装和命名,（1）命名规则： 所有双极型产品型号最后的3位数码都是555； 所有CMOS产品型号最后的4位数码都是7555； 所有双极型双定时器产品最后的3位数码都是556； 所有CMOS双定时器产品最后的4位数码都是7556； 双极型和CMOS型555定时器的功能和外部引脚的排 列完全相同。,（2）常见封装形式,图6.2.1 555和556时基电路的封装示意图,一、双极型555时基电路的工作原理 （1）美国无线电公司生产的CA555时基电路 图6.2.2是美国无线电公司生产的CA555时基电 路的内部等效电路图。,6.2.2 555时基电路的工作原理,图6.2.2 CA555时基电路的内部等效电路图,双稳态触发器,推挽式功率输出 IO=200mA,Imax50mA,2/3VCC,1/3VCC,555电路可简化为下图6.2.3所示的等效功能电路。显然555电路内含两个比较器A1和A2、一个触发器、一个驱动器和一个放电晶体管。,图6.2.3 CA555时基电路的等效功能电路图,2/3VCC,1/3VCC,置位复位触发器,表6.2.1 CA555引出端真值表,由表6.2.1可看出， 、R、 的输入不一定是逻辑电平，可以是模拟电平，因此，该集成电路兼有模拟和数字电路的特色。,（2）国产双极型定时器CB555时基电路,图6.2.4 CB555时基电路的等效功能电路图,复位触发,置位触发,强制复位,控制电压,放电端,输出端,置位复位触发器,表6.2.2 CB555引出端真值表,二、CMOS型555时基电路的工作原理 CMOS型555时基电路在大多数应用场合，都可以直接代换标准的双极型的555。它与所有CMOS型电路一样，具有输入阻抗高、功耗极小、电源适应范围宽等一系列优点，特别适用于低功耗、长延时等场合。但它的输出驱动能力较低（最大负载电流4mA），不能直接驱动要求较大的电流的电感性负载。 图6.2.5是5G7556（ICM7556）的内部等效电路图。,200K,A1,A2,双稳态触发器,CMOS反相器输出,图6.2.6 CMOS型555等效功能方框图,复位触发,置位复位触发器,当上比较器A1的同相输入端R的电位高于反相输 入端电位2/3Vcc时，A1输出为高电平，RS触发器翻转，输出端V0为逻辑“0”电平。即当VTH2/3Vcc时，V0为“0”电平，处于复位状态；而当置位触发端 的电位，即Vs1/3Vcc时，A2输出为“1”，RS触发器置位，输出端V0为“1”电平。 可见，图6.2.6所示的功能框图相当于一个置位-复位触发器。 CMOS型555/556的四种工作状态情况，与表6.2.1所示类同。,6.2.3 双极型555和CMOS型555的性能比较 双极型555和CMOS型555的共同点： 二者的功能大体相同，外形和管脚排列 一致，在大多数应用场合可直接替换。 均使用单一电源，适应电压范围大，可 与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电 源。 555的输出为全电源电平，可与TTL、 HTL、CMOS型等电路直接接口。,电源电压变化对振荡频率和定时精度的 影响小。对定时精度的影响仅0.05/V，且温度 稳定性好，温度漂移不高于50ppm/oC。 双极型555与CMOS型555的差异： CMOS型555的功耗仅为双极型的几十分 之一，静态电流仅为300A左右，为微功耗电路. CMOS型555的电源电压可低至23V； 各输入功能端电流均为pA(微微安)量级。 CMOS型555的输出脉冲的上升沿和下降 沿比双极型的要陡，转换时间短。,CMOS型555在传输过渡时间里产生的尖 峰电流小，仅为23mA；而双极型555的尖峰电 流高达300400mA。 CMOS型555的输人阻抗比双极型的要高 出几个数量级，高达1010。 CMOS型555的驱动能力差，输出电流仅 为13mA，而双极型的输出驱动电流可达200mA. 一般说来，在要求定时长、功耗小、负载轻的场 合宜选用CMOS型555；而在负载重、要求驱动电流 大、电压高的场合，宜选用双极型的555。,施密特触发器（电路）是一种特殊的双稳态时序 电路，与一般双稳态电路比较，它具有两个明显的特点： 1.施密特触发器是一种优良的波形整形电路， 只要输入信号电平达到触发电平，输出信号就会从一 个稳态转变到另一个稳态，且通过电路内部的正反馈 过程可使输出电压的波形变得很陡。 2.对正向和负向增长的输入信号，电路有不同 的阈值电平，这是施密特触发器的滞后特性或回差特 性，提高了干扰能力，可有效滤除噪声。,6.3 施密特触发器 Schmitt Trigger,施密特触发器的逻辑符号和电压传输特性如图6.3.1(a)和(b)所示。实际上它是一个具有滞后特性的反相器。图中，VT+称为正向阈值电平或上限触发电平； VT-称为负向阈值电平或下限触发电平。它们之间的差值称为回差电压(滞后电压)，用VT表示。即有 VT= VT+- VT-,6.3.1 施密特触发器方框图和电压传输特性图,6.3.1 集成施密特触发器 一、分立元件构成的施密特触发器 早期的施密特触发器是由分立元件构成的。如下图 6.3.2所示。,6.3.2 分立元件构成的施密特触发器,值较小,VT+ 0.7 VT- 0.7,下面简单说明其工作原理： 当触发器输入端不加输入信号，或者输入vI的电位较低时，只要使vBEl0.7V则VT1截止，其集电极输出vc1为高电平，通过电阻R1和R2分压，使VT2饱和，VT2集电极输出v0为低电平，这是一种稳定工作状态。 当输入vI高于某一个电平时，只要使VT1饱和，vc1输出为低电平，通过R1和R2分压，使VT2截止，VT2集电极输出v0为高电平。这是另一种稳定工作状态。 用分立元件构成施密特触发器已很少采用，一般均采用集成施密特触发器或用555电路来构成。,二、用门电路组成的施密特触发器 将两级反相器串接起来，同时通过分压电阻把输出端的电压反馈到输入端，就构成了施密特触发器电路。,6.3.3 用CMOS反相器构成的施密特触发器,CMOS门，阈值电压,6.3.4 图6.3.3电路的电压传输特性 (a)同相输出 (b)反相输出,思考： 1、如何调节回差电压的大小？ 2、为什么R1必须小于R2？ 3、如何用TTL门电路组成施密特触发器？,图6.3.5 带与非门TTL集成施密特触发器,正反馈过程,R2!=R3,1.9V,三、TTL集成施密特触发器7413,设二极管导通压降为0.7V，当输入端电压 vI使得vI-vE=vBE107V时，VT1导通, 同时产生一个正反馈过程： vI ic1 vc1 ic2 vBE1 vE 从而使VT1迅速饱和导通，VT2迅速截止。,若vI从高电平逐渐下降，并且降至vBE1只 有0.7V左右时，ic1开始减少，又引起另一个正 反馈过程： vI ic1 vc1 ic2 vBE1 vE 使电路迅速返回VT1截止，VT2饱和导通状态。,小结： 1、无论T2由导通变截止还是由截止变导通，均伴有正反馈过程，使输出端电压VO变得很陡峭； 2、由于R2R3，所以使T1饱和导通时的VE必然低于T2饱和导通时的VE值，因此，T1由截止变为导通的输入电压VT+高于T1由导通变为截止时的输入电压VT-，这样就得到了施密特触发特性。 3、经计算可得此电路： VT+ 1.7V VT- 0.8V VT 0.9V,课后练习,6.3.2 用555定时器接成的施密特触发器,图6.3.6 用CB555定时器接成的施密特触发电路,提高参考电压的稳定性,图6.3.7 图6.3.6电路的电压传输特性,由图6.3.7 知这是一个典型的反相输出施密特触发器。 如果参考电压由外接的电压VCO供给，则不难看出此时VT+=VCO，VT-=1/2VCO，VT=1/2VCO，通过改变VCO值可以调节回差电压的大小。,VT+ = 2/3VCC VT- = 1/3VCC,6.3.3 施密特触发器的应用,一、用于波形变换,图6.3.8 用施密特触发器实现波形变换,脉冲展宽,二、用于脉冲整形,图6.3.9 用施密特触发器实现脉冲整形,传输线上电容较大,传输线较长，阻抗不匹配,其它脉冲叠加的噪声,三、用于脉冲鉴幅,图6.3.10 用施密特触发器鉴别脉冲幅度,四、构成多谐振荡器,单稳态触发器的工作特性具有如下的显著特点： （1）电路在无外加触发信号作用期间，处于稳态； （2）在外界触发脉冲作用下，能从稳态翻转到暂稳 态，在暂稳态维持一段时间以后，再自动返回 稳态； （3）暂稳态维持时间的长短取决于电路本身的参数 （阈值电压及外接R、C），与触发脉冲的宽度和 幅度无关。,6.4 单稳态触发器,6.4.1 用门电路组成的单稳态触发器 一、微分型单稳态触发器 图6.4.1是用CMOS门电路和RC微分电路构 成的微分型单稳态触发器。 对于CMOS电路，可以近似地认为 VOHVDD、VOL0，而且通常VTH1/2VDD。 在稳态下VI =0、VI2 = VDD，故Vo=0、Vo1=VDD， 电容C上没有电压。,思考：vI脉宽该如何取？ 图6.4.1 微分型单稳态触发器,当触发脉冲vI 加到输入端时，在Rd和Cd组 成的微分电路输出端得到很窄的正、负脉冲vd。 当vd上升到VTH以后，将引发如下的正反馈过 程： vd vO1 vI2 vo 使vO1迅速跳变为低电平。由于电容上的电压不 可能发生突跳，所以vI2也同时跳变至低电平， 并使vo跳变为高电平，电路进入暂稳态。这时即 使vd回到低电平， vo的高电平仍将维持。,与此同时，电容C开始充电。随着充电过 程的进行vI2逐渐升高，当升至vI2 = VTH时，又 引发另外一个正反馈过程： vI2 vo vo1 如果这时触发脉冲已消失(vd已回到低电平), 则vo1、 vI2 迅速跳变为高电平，并使输出返回 vo=0的状态。同时，电容C通过电阻R和门G2的 输入保护电路向VDD放电，直至电容上的电压为 0，电路恢复到稳定状态。,根据以上的分析， 即可画出电路中 各点的电压波形， 如图6.4.2所示。,图6.4.2 微分型单稳态触发器电压波形图,正反馈,正反馈,tw=?,二、积分型单稳态触发器 图6.4.3是用TTL与非门和反相器以及RC积分电路组成的积分型单稳态触发器。为了保证vo1为低电平时VA在VTH以下，电阻R的阻值不能取得很大（为什么？）。该电路用正脉冲触发。,思考：vI脉宽该如何取？ 图6.4.3 积分型单稳态触发器,图6.4.4 图6.4.3电路的电压波形图,tTRtw 无正反馈 tw=?,恢复时间：tre =(35)ROC 分辨时间：td = tTR+tre,稳态下由于VI=0,所以Vo= VOH， VA=Vo1= VOH。 当输入正脉冲以后， Vo1跳变为低电平。但 由于电容C上的电压不能突变，所以在一段时间 里VA仍在VTH以上。因此，在这段时间里G2的两 个输入端电压同时高于VTH ，使vo = VOL ，电路 进入暂稳态。同时，电容C开始放电。,然而这种暂稳态不能长久地维持下去，随 着电容C的放电vA不断降低，至vA = VTH后， vo 回到高电平。待vI返回低电平以后， vo1又重新 变成高电平VOH ，并向电容C充电。经过恢复时 间tre(从vI回到低电平的时刻算起)以后， vA恢复 为高电平，电路达到稳态。电路中各点电压的波 形如图6.4.4所示。,与微分型单稳态触发器相比，积分型单稳 态触发器具有抗干扰能力较强的优点。因为数字 电路中的噪声多为尖峰脉冲的形式（即幅度较大 而宽度极窄的脉冲），而积分型单稳态触发器在 这种噪声作用下不会输出足够宽度的脉冲。 积分型单稳态触发器的缺点是输出波形的 边沿比较差，这是由于电路的状态转换过程中没 有正反馈作用的缘故。此外，这种积分型单稳态 触发器必须在触发脉冲的宽度大于输出脉冲宽度 时方能正常工作。,6.4.2 集成单稳态触发器 集成单稳态触发器可分为非重复触发单稳触发器和可重复触发单稳态触发器。所谓非重复触发，就是单稳态触发器一旦被触发进入暂稳态后，再加入触发信号不会影响单稳态触发器的工作过程，必须在暂稳态结束之后，才能再接受触发信号转入暂稳态。所谓可重复触发单稳态触发器，就是单稳态触发器被触发进入暂稳态后，如果再加入触发脉冲，单稳态触发器将重新被触发，使输出脉冲再继续维持一个脉冲宽度。,下图6.4.5是TTL集成单稳态触发器74121简化的原理性逻辑图。它是在普通微分型单稳态触发器的基础上附加输入控制电路和输出缓冲电路而形成的。具有边沿触发的性质。,图6.4.5 集成单稳态触发器74121逻辑图,上、下边沿触发输入控制,6.4.3 用555时基电路构成单稳态触发器 在555时基单元电路的外部加接几个阻容元件，就可接成单稳态电路。它所形成的单脉冲持续宽度，可以从几微秒到几个小时，精密度可达0.1。 由555组成单稳态触发器时仅需外接一个由电阻R，和电容C组成的定时网络。,图6.4.6 CB555接成单稳态触发器,tw=RCln3 =1.1RC 定时器,图6.4.7 CA555接成单稳态触发器,tw=RaCln3 =1.1RaC 定时器,图6.4.7中强制复位端MR(4脚)接VDD，阈值端VTH(6脚)与放电端DIS(7脚)并接至RC定时网络的中点。 图6.4.7的简化电路如下图6.4.8所示，图的右侧为单稳态形成的波形图。,图6.4.8 单稳态触发器,6.4.4 单稳态触发器的应用 一、用作脉冲整形,图6.4.9 单稳态触发器用于脉冲整形,tw仅与R、C、VTH有关; VmVOH-VOL,二、构成定时电路,图6.4.10 单稳态触发器构成定时电路,数字频率计,三、构成延时电路,图6.4.11 单稳态触发器构成延时电路,tw0.69RextCext; Tp由RC决定。,四、构成多谐振荡器,五、构成高/低通滤波器,图6.4.12 用74LS123构成高/低通滤波器,非重复触发方式（低频）,可重复触发方式（高频）,多谐振荡器是一种自激振荡器，在接通电源以后，不需要外加触发信号，就能自动地产生矩形脉冲。由于矩形波中含有丰富的高次谐波分量，所以习惯上又把矩形波振荡器叫做多谐振荡器。,6.5 多谐振荡器,一、多谐振荡器定义：,（1）多谐振荡器是一种自激振荡器，不需要外加触发信号； （2）多谐振荡器无稳态，只有两个暂稳态； （3）多谐振荡器输出的是含有丰富的高次谐波分量的矩形波，是一种典型的矩形波发生器，触发器和时序逻辑电路的脉冲一般都由多谐振荡器产生。 思考：施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器之间的特点对比如何？,二、多谐振荡器的特点：,6.5.1 对称式多谐振荡器 下图6.5.1所示电路是对称式多谐振荡器的 典型电路，它是由两个TTL反相器G1、G2经耦 合电容C1、C2连接起来的正反馈振荡回路。,图6.5.1 对称式多谐振荡器电路,设置偏置电压,设置偏置电压,图6.5.2 TTL反相器(7404)的电压传输特性,为了产生自激振荡，电路不能有稳定状态. 由图6.5.2反相的电压传输特性上可以看出，如 果能设法使G1、G2工作在电压传输特性的转折 区或线性区，则它们将工作在放大状态，即电压 放大倍数 这时只要G1和G2的输入电压有极微小的扰动， 就会被正反馈回路放大而引起振荡，因此图 6.5.1电路的静态将是不稳定的。,为了使反相器静态时工作在放大状态，必须给它们设置适当的偏置电压，它的数值介于高、低电平之间。这个偏置电压可以通过在反相器的输入端与输出端之间接入反馈电阻RF来得到。,图6.5.3 计算TTL反向器静态工作点的等效电路,一、静态工作点设置：,由图6.5.3可知，如果忽略门电路的输出电阻，则利用叠加定理可求出输入电压为：,这就是从外电路求得的vo与vI的关系。该式表明， vo与vI之间是线性关系，其斜率为：,而且vo =0时与横轴相交在： 这条直线与电压传输特性的交点就是反相器的静态工作点。只要恰当地选取RF1值，定能使静态工作点Q位于电压传输特性的转折区，如图6.5.2中所示。计算结果表明，对于74系列的门电路而言，RF1的阻值应取在0.5k1.9k之间。,设G1、G2的静态工作点位于电压传输特性的转折区。,二、工作原理分析：,图6.5.4 (a) 图6.5.1电路中C1充电等效电路,戴维南定理,图6.5.4 (b) 图6.5.1电路中C2放电等效电路,在RF1=RF2=RF、C1=C2=C的条件下，电路的振荡 周期近似为： T1.3RFC,推导？,6.5.2 非对称式多谐振荡器 如果仔细研究一下图6.5.1对称式多谐振荡 器电路就不难发现，这个电路还能进一步简化。 因为静态时G1工作在电压传输特性的转折区， 所以只要把它的输出电压直接接到G2的输入端, G2即可得到一个介于高、低电平之间的静态偏 置电压，从而使G2的静态工作点也处于电压传 输特性的转折区上，因此，可以把C1和RF2去掉. 只要在反馈环路中保留电容C2，电路就仍然没 有稳定状态，而只能在两个暂稳态之间往复振荡.,这样就得到了下图6.5.5所示的非对称式多谐振 荡电路。,图6.5.5 非对称式多谐振荡器电路,6.5.3 环形振荡器 利用闭合回路中的正反馈作用可以产生自 激振荡，利用闭合回路中的延迟负反馈作用同样 也能产生自激振荡，只要负反馈信号足够强。 环形振荡器就是利用延迟负反馈产生振荡 的。它是利用门电路的传输延迟时间将奇数个反 相器首尾相接而构成的。,下图6.5.6所示电路是一个最简单的环形振荡器，它由三个反相器首尾相连而组成。不难看出,这个电路是没有稳定状态的。因为在静态(假定没有振荡时)下任何一个反相器的输入和输出都不可能稳定在高电平或低电乎，而只能处于高、低电平之间，所以处于放大状态。,图6.5.6 最简单的环形振荡器电路,假定由于某种原因VI1产生了微小的正跳变, 则经过G1的传输延迟时间tpd之后VI2产生一个幅 度更大的负跳变，再经过G2的传输延迟时间tpd 使V13得到更大的正跳变。然后又经过G3的传输 延迟时间tpd在输出端Vo产生一个更大的负跳变, 并反馈到G1的输入端。因此，经过3tpd的时间以 后， VI1又自动跳变为低电平。可以推想，再经 过3 tpd以后VI1又将跳变为高电平。如此周而复 始，就产生了自激振荡。,图6.5.7是根据以上分析得到的图6.5.6电路 的工作波形图。由图可见，振荡周期为T=6tpd.,图6.5.7 环形振荡器工作波形图,基于上述原理可知，将任何大于、等于3的 奇数个反相器首尾相连地接成环形电路，都能产 生自激振荡，而且振荡周期为T=2ntpd。(其中n 为串联反相器的个数)。 有何缺陷？ 改进：在图6.5.6电路的基础上附加RC延迟 环节，组成带RC延迟电路的环形振荡器，如图 6.5.8(a)所示。 接入RC电路以后不仅增加了门G2的传输延 迟时间tpd2，有助于获得较低的振荡频率，而且 通过改变R和C的数值可以很容易实现对振荡频,率的调节。 为了进一步加大G2和RC延迟电路的传输延 迟时间，在实用的环形振荡器电路中又将电容C 的接地端改接到G1，的输出端上，如图6.5.8(b) 所示。 图6.5.8 带RC延迟电路的环形振荡器,保护电阻,T=？,6.5.4 用施密特触发器构成的多谐振荡器 前面已经讲过，施密特触发器最突出的特 点是它的电压传输特性有一个滞回区。由此我们 想到，倘若能使它的输入电压在VT+与VT-之间不 停地往复变化，那么在输出端就可以得到矩形脉 冲波了。 实现上述设想的方法很简单，只要将施密 特触发器的反相输出端经RC积分电路接回输入 端即可，如图6.5.9所示。,图6.5.9 用施密特触发器构成的多谐振荡器,图6.5.10 多谐振荡器电路的电压波形图,当接通电源以后，因为电容上的初始电压 为零，所以输出为高电平，并开始经电阻R向电 容C充电。当充到输入电压为vI=VT+时，输出跳 变为低电平，电容C又经过电阻R开始放电。 当放电至vI=VT-时，输出电位又跳变成高电 平，电容C重新开始充电。如此周而复始，电路 便不停地振荡。vI和vO的电压波形如图6.5.10所 示。 若使用的是CMOS施密特触发器，而且 VOHVDD,，VOL0，则依据图6.5.10的电压波 形得到计算振荡周期的公式为,通过调节R和C的大小，即可改变振荡周期. 此外，在这个电路的基础上稍加修改就能实现对 输出脉冲占空比的调节，电路的接法如图6.5.11 所示。,图6.5.11 脉冲占空比可调的多谐振荡器,6.5.5 石英晶体多谐振荡器 在许多应用场合下都对多谐振荡器的振荡 频率稳定性有严格的要求。例如在将多谐振荡器 作为数字钟的脉冲源使用时，它的频率稳定性直 接影响着计时的准确性。在这种情况下，前面所 讲的几种多谐振荡电路难以满足要求。 为什么？,目前普遍采用的一种稳频方法是在多谐振荡器电路中接入石英晶体，组成石英晶体多谐振荡器。,因为 一、这些振荡器中门电路的转换电平VTH本身就不够稳定； 二、这些电路的工作方式容易受干扰，造成电路转换时间的提前或滞后； 三、在电路状态临近转换时电容的充、放电已经比较缓慢，转换电平的微小变化或轻微干扰都会严重影响振荡周期。,下图6.5.12给出了石英晶体的符号和电抗的频率特性。把石英晶体与对称式多谐振荡器中的耦合电容串联起来，就组成了如图6.5.13所示的石英晶体多谐振荡器。,图6.5.12 石英晶体的电抗频率特性和符号,图6.5.13 石英晶体多谐振荡器,由石英晶体的电抗频率特性可知，当外加 电压的频率为f0时它的阻抗最小，所以把它接入 多谐振荡器的正反馈环路中以后，频率为f0的电 压信号最容易通过它，并在电路中形成正反馈， 而其他频率信号经过石英晶体时被衰减。因此， 振荡器的工作频率也必然是f0 。 由此可见，石英晶体多谐振荡器的振荡频 率取决于石英晶体的固有谐振频率f0 ，而与外接 电阻，电容无关。石英晶体的谐振频率由石英晶 体的结晶方向和外形尺寸所决定，具有极高的频 率稳定性。,图6.5.14 555时基电路构成无稳态多谐振荡器,6.5.6 用555时基电路构成多谐振荡器,如图6.5.14所示，将555(或 556)与三个 阻、容元件如图连接，便构成无稳态多谐振荡模 式。与单稳模式不同之处仅在于触发器(2脚)接 在充、放电回路的C上，而不是受外部触发控制. 当加上VDD电压后，由于C上端电压不能突 变，故555处于置位状态，输出端(3脚)呈高电平 “1”，而内部的放电管VT1截止，C通过RA、RB 对其充电，2脚电位随C上端电压的升高呈指数 上升，如波形图(b)所示。,当C上的电压随时间增加，达到2/3VDD阈 值电平(6脚)时，上比较器A1翻转，使RS触发器 置位，经缓冲级倒相，输出vO呈低电平“0”。此 时，放电管VT1饱和导通，C上的电荷经RB至 VT1管放电。当C放电使其电压降至1/3VDD 触发 电平(2脚)时，比较器A2翻转，RS触发器复位， 经倒相后，使输出端(3脚)呈高电平“1”。以上过 程重复出现，形成无稳态多谐振荡。,由上面对多谐振荡过程的分析不难看出， 输出脉冲的持续时间t1就是C上的电压从1/3VDD 充电到2/3VDD 所需的时间，故C两端电压的变化 规律为（电路三要素定理） 设1=(RA+RB)C，则上式简化为 从上式中求得,一般简写为 t1=0.693(RA+RB)C 电路的间歇期t2就是C两端的电压从2/3VDD放电 到1/3VDD所需的时间,即 从上式中求得t2,并设2=RBC，则 一般简写为 t2=0.693RBC,电路的振荡周期T为 T=t1+t2=0.693(1+2) =0.693(RA+2RB)C (RA+2RB)Cln2 (6.5.17) 振荡频率f=1/T，即 f=1.443/(RA+2RB)C (6.5.18) 输出振荡波形的占空比D为 D=t1/T=(RA+RB)/(RA+2RB) (6.5.19) 当RBRA时，则D50%，即输出振荡为方波。,由上面有关公式的推导，不难给出以下结 论： 振荡周期与电源电压VDD无关，而取决于 充电和放电的总时间常数，即仅与RA、RB和C 的值有关。 振荡波的占空比与C的大小无关，而仅 与RA、RB的大小比值有关。,6.5.7 压控振荡器* 压控振荡器（Voltage Controlled Oscilla tor，简称VCO）是一种频率可控的振荡器，它 的振荡频率随输入控制电压的变化而改变。这种 振荡器广泛地用于自动检测、自动控制以及通讯 系统当中，目前已生产了多种压控振荡的集成电 路产品。从工作原理上看，这些压控振荡器大致 可以分为三种类型：施密特触发器型、电容交叉 充放电型和定时器型。,本章小结,