CMOS图像传感器的基本原理及设计(doc 19)

CMOS图像传感器的基本原理及设计摘 要：简介CMOS图像传感器的基本原理、潜在长处、设计措施以及设计考虑。 核心词：互补型金属氧化物半导体图像传感器；无源像素传感器；有源像素传感器1引言 20世纪70年代，CCD图像传感器和CMOS图像传感器同步起步。CCD图像传感器由于敏捷度高、噪声低，逐渐成为图像传感器的主流。但由于工艺上的因素，敏感元件和信号解决电路不能集成在同一芯片上，导致由CCD图像传感器组装的摄像机体积大、功耗大。CMOS图像传感器以其体积小、功耗低在图像传感器市场上独树一帜。但最初市场上的CMOS图像传感器，始终没有挣脱光照敏捷度低和图像辨别率低的缺陷，图像质量还无法与CCD图像传感器相比。 如果把CMOS图像传感器的光照敏捷度再提高5倍10倍，把噪声进一步减少，CMOS图像传感器的图像质量就可以达到或略微超过CCD图像传感器的水平，同步能保持体积小、重量轻、功耗低、集成度高、价位低等长处，如此，CMOS图像传感器取代CCD图像传感器就会成为事实。 由于CMOS图像传感器的应用，新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展，并且随着经济规模的形成，其生产成本也得到减少。目前，CMOS图像传感器的画面质量也能与CCD图像传感器相媲美，这重要归功于图像传感器芯片设计的改善，以及亚微米和深亚微米级设计增长了像素内部的新功能。 事实上，更确切地说，CMOS图像传感器应当是一种图像系统。一种典型的CMOS图像传感器一般涉及：一种图像传感器核心（是将离散信号电平多路传播到一种单一的输出，这与CCD图像传感器很相似），所有的时序逻辑、单一时钟及芯片内的可编程功能，例如增益调节、积分时间、窗口和模数转换器。事实上，当一位设计者购买了CMOS图像传感器后，她得到的是一种涉及图像阵列逻辑寄存器、存储器、定期脉冲发生器和转换器在内的所有系统。与老式的CCD图像系统相比，把整个图像系统集成在一块芯片上不仅减少了功耗，并且具有重量较轻，占用空间减少以及总体价格更低的长处。2基本原理 从某一方面来说，CMOS图像传感器在每个像素位置内均有一种放大器，这就使其能在很低的带宽状况下把离散的电荷信号包转换成电压输出，并且也仅需要在帧速率下进行重置。CMOS图像传感器的长处之一就是它具有低的带宽，并增长了信噪比。由于制造工艺的限制，早先的CMOS图像传感器无法将放大器放在像素位置以内。这种被称为PPS的技术，噪声性能很不抱负，并且还引来对CMOS图像传感器的种种干扰。 然而今天，随着制作工艺的提高，使在像素内部增长复杂功能的想法成为也许。目前，在像素位置以内已经能增长诸如电子开关、互阻抗放大器和用来减少固定图形噪声的有关双采样保持电路以及消除噪声等多种附加功能。事实上，在Conexant公司（前Rockwell半导体公司）的一台先进的CMOS摄像机所用的CMOS图传感器上，每一种像素中都设计并使用了6个晶体管，测试到的读出噪声只有1均方根电子。但是，随着像素内电路数量的不断增长，留给感光二极管的空间逐渐减少，为了避免这个比例（又称占空因数或填充系数）的下降，一般都使用微透镜，这是由于每个像素位置上的微小透镜都能变化入射光线的方向，使得本来会落到连接点或晶体管上的光线重回到对光敏感的二极管区域。 由于电荷被限制在像素以内，因此CMOS图像传感器的另一种固有的长处就是它的防光晕特性。在像素位置内产生的电压先是被切换到一种纵列的缓冲区内，然后再被传播到输出放大器中，因此不会发生传播过程中的电荷损耗以及随后产生的光晕现象。它的不利因素是每个像素中放大器的阈值电压均有细小的差别，这种不均匀性就会引起固定图像噪声。然而，随着CMOS图像传感器的构造设计和制造工艺的不断改善，这种效应已经得到明显弱化。 这种多功能的集成化，使得许多此前无法应用图像技术的地方目前也变得可行了，如孩子的玩具，更加分散的保安摄像机、嵌入在显示屏和膝上型计算机显示屏中的摄像机、带相机的移动电路、指纹辨认系统、甚至于医学图像上所使用的一次性照相机等，这些都已在某些设计者的考虑之中。3设计考虑 然而，这个行业尚有一种受到普遍关注的问题，那就是测量措施，具体指标、阵列大小和特性等方面还缺少统一的原则。每一位工程师在比较多种资料一览表时，也许会发目前一张表上列出的是有关读出噪声或信噪比的资料，而在另一张表上也许只是强调有关动态范畴或最大势阱容量的资料。因此，这就规定设计者们可以判断哪一种参数对她们最重要，并且尽量充足运用多产品的CMOS图像传感器家族。 某些核心的性能参数是任何一种图像传感器都需要关注的，涉及信噪比、动态范畴、噪声（固定图形噪声和读出噪声）、光学尺寸以及电压的规定。应当懂得并用来对比的重要参数有：最大势阱容量、多种工作状态下的读出噪声、量子效率以及暗电流，至于信噪比之类的其他参数都是由那些基本量度推导出来的。 对于像保安摄像机一类的低照度级的应用，读出噪声和量子效应最重要。然而对于象户外照相一类的中、高照度级的应用，比较大的最大势阱容量就显得更为重要。 动态范畴和信噪比是最容易被误解和误用的参数。动态范畴是最大势阱容量与最低读出噪声的比值，它之因此引起误解，是由于读出噪声常常不是在典型的运营速度下测得的，并且暗电流散粒噪声也常常没有被计算在内。信噪比重要决定于入射光的亮度级（事实上，在亮度很低的状况下，噪声也许比信号还要大）。 因此，信噪比应当将所有的噪声源都考虑在内，有些资料一览表中常常忽视散粒噪声，而它恰恰是中、高信号电平的重要噪声来源。而SNRDARK得到阐明，事实上与动态范畴没有什么两样。数字信噪比或数字动态范畴是另一种容易引起混淆的概念，它表白的只是模拟/数字（A/D）转换器的一种特性。虽然这也许很重要，但它并不能精确地描述图像的质量。同步我们也应清晰地结识到，当图像传感器具有多种可调模拟增益设立时，模拟/数字转换器的辨别率不会对图像传感器的动态范畴产生限制。 光学尺寸的概念的模糊，是由于老式观念而致。使用光导摄像管只能在部分范畴内产生有用的图像。它的计算涉及度量单位的转换和向上舍入的措施。采用向上舍入的措施，先以毫米为单位测量图像传感器的对角线除以16，就能得到以英寸为单位的光学尺寸。例如0.97cm的尺寸是1.27cm而不是0.85cm。如果你选择了一种光学尺寸为0.85cm的图像传感器，很也许浮现图像的四周角落上的映影（阴影）现象。这是由于有些资料一览表欺骗性地使用了向下舍入的措施。例如，将0.97cm的尺寸称为0.85cm,理由很简朴：0.85cm光学尺寸的图像传感器的价格要比1.27cm光学尺寸的图像传感器的价格低得多，但是这对系统工作性能产生不利影响。因此，设计者应当通过计算试用多种不同的图像传感器来得到想要的性能。 CMOS图像传感器的一种很大的长处就是它只规定一种单电压来驱动整个装置。但是设计者仍应谨慎地布置电路板驱动芯片。根据实际规定，数字电压和模拟电压之间尽量地分离开以避免串扰。因此良好的电路板设计，接地和屏蔽就显得非常重要。尽管这种图像传感器是一种CMOS装置并具有原则的输入/输出（I/O）电压，但它实际的输入信号相称小，并且对噪声也很敏感。 到目前为止，已设计出高集成度单芯片CMOS图像传感器。设计者力求使有关图像的应用更容易实现多功能，涉及自动增益控制（AGC）、自动曝光控制（AEC）、自动平衡（AMB）、伽玛样正、背景补偿和自动黑电平校正。所有的彩色矩阵解决功能都集成在芯片中。CMOS图像传感器容许片上的寄存器通过I2C总线对摄像机编程，具有动态范畴宽、抗浮散且几乎没有拖影的长处。4CMOS-APS的潜在长处和设计措施41CMOS-APS赛过CCD图像传感器的潜在长处 CMOSAPS赛过CCD图像传感器的潜在长处涉及15： 1）消除了电荷反复转移的麻烦，免除了在辐射条件下电荷转移效率（CTE）的退化和下降。 2）工作电流很小，可以避免单一振动和信号闭锁。 3）在集成电路芯片中可进行信号解决，因此可提供芯迹线，模/数转换的自调节，也能提供由电压漂移引起的辐射调节。 与硅探测器有关，需要解决的难题和争论点涉及12： 1）在体材料界面由于辐射损伤而产生的暗电流的增长问题。 2）涉及动态范畴损失的阈值漂移问题。 3）在模/数转换电路中，定期和控制中的信号闭锁和单一扰动问题。42CMOS-APS的设计措施 CMOS-APS的设计措施涉及： 1）为了减少暗电流而进行研制创新的像素构造。 2）使用耐辐射的锻造措施，再研制和开发中档尺寸“dumb”（哑）成像仪（通过反复地开发最佳像素构造）。 3）研制在芯片上进行信号解决的器件，以适应自动调节自身电压Vt的漂移和动态范畴的损失。 4）研制和开发耐辐射（单一扰动环境）的定期和控制装置。 5）研制和加固耐辐射的模/数转换器。 6）寻找低温工作条件，以便在承受最大幅射强度时，找到并证明最佳的工作温度。 7）研制和开发大尺寸、全数字化、耐辐射的CMOS-APS，以便生产。 8）测试、评价和鉴定该器件的性能。 9）引入现代最高水平的组合式光学通信/成像系统测试台。5像素电路构造设计 目前，已设计的CMOS图像传感器像素构造有：空隙积累二极管（HAD）型构造、光电二极管型无源像素构造、光电二极管型有源像素构造、对数变换积分电路型构造、掩埋电荷积累和敏感晶体管阵列（BCAST）型构造、低压驱动掩埋光电二极管（LVBPD）型构造、深P阱光电二极管型构造、针型光电二极管（PPD）构造和光栅型有源像素构造等。51CMOSPPS像素构造设计 光电二极管型CMOS无源像素传感器（CMOS-PPS）的构造自从1967年Weckler初次提出以来实质上始终没有变化，其构造如图1所示。它由一种反向偏置的光敏二极管和一种开关管构成。当开关管启动时，光敏二极管与垂直的列线连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路保持列线电压为一常数，并减小KTC噪声。当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同步，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。 单管的PD-CMOS-PPS容许在给定的像素尺寸下有最高的设计填充系数，或者在给定的设计填充系数下，可以设计出最小的像素尺寸。此外一种开关管也可以采用，以实现二维的XY寻址。由于填充系数高且没有许多CCD中多晶硅叠层，CMOS-PPS像素构造的量子效率较高。但是，由于传播线电容较大，CMOS-PPS读出噪声较高，典型值为250个均方根电子，这是致命的弱点。52CMOS-APS的像素构造设计 几乎在CMOS-PPS像素构造发明的同步，科学家不久结识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能。虽然CMOS图像传感器的成像装置将光子转换为电子的措施与CCD相似，但它不是时钟驱动，而是由晶体三极管作为电荷感应放大器。在某些CMOS图像传感器中，每组像素的顶端有一种放大器，每个像素只有一种作为阈值电流值开关的三极管。开关像素中的电荷为放大器充电，其过程类似DRAM中的读取电路，这种传感器被称为PPS。PPS的构造很简朴，它具有高填充系数。各像元没有诸多的多晶硅层覆盖，其量子效率很高，但是PPS的读取干扰很高，只适应于小阵列传感器。 在CMOS-APS中每一像素内均有自己的放大器。CMOS-APS的填充系数比CMOS-PPS的小，集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，减少了“封装密度”，使4050的入射光被反射。这种传感器的另一种问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过减少残存水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS-APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发，因此CMOS-APS的功耗比CCD图像传感器的还小。与CMOS-PPS相比，CMOSAPS的填充系数较小，其设计填充系数典型值为2030，接近内线转换CCD的值。521光敏二极管CMOS-APS（PD-CMOS-APS）的像素构造 1968年，Noble描述了PD-CMOS-APS。后来，这种像素构造有所改善。PD-CMOS-APS的像素构造如图2所示。 高性能CMOSAPS由美国哥伦比亚大学电子工程系和喷气推动实验室（JPL）在1994年初次研制成功，像素数为128128，像素尺寸为40m40m，管芯尺寸为6.8mm6.8mm，采用1.2mCMOSn阱工艺试制，动态范畴为72dB,固定图形噪声不不小于0.15饱和信号水平。固定图形噪声不不小于0.15饱和信号水平。1997年日本东芝公司研制成功了640480像素光敏二极管型CMOSAPS，其像素尺寸为5.6m5.6m,具有彩色滤色膜和微透镜阵列。美国Foveon公司与美国国家半导体公司采用0.18mCMOS工艺研制成功40964096像素CMOSAPS10，像素尺寸为5m5m，管芯尺寸为22mm22mm，这是迄今为止世界上集成度最高、辨别率最高的CMOS固体摄像器件。有关CMOSAPS的工作原理、发呈现状及其应用，笔者已作过具体简介68。 由于光敏面没有多晶硅叠层，PD-CMOS-APS的量子效率较高，它的读出噪声由复位噪声限制，典型值为75均方根电子100均方根电子。PD-CMOS-APS的每个像素采用3个晶体管，典型的像元间距为15m。PD-CMOS-APS合适于大多数低性能应用。522光栅型CMOSAPS(PG-CMOS-APS)的像素构造 1993年由JPL最早研制成功PG-CMOS-APS并用于高性能科学成像的低光照明成像。PG-CMOS-APS结合了CCD和XY寻址的长处，其构造如图3所示。 光栅信号电荷积分在光栅（PG）下，浮置扩散点（A）复位（电压为VDD），然后变化光栅脉冲，收集在光栅下的信号电荷转移到扩散点，复位电压水平与信号电压水平之差就是传感器的输出信号。 当采用双层多晶硅工艺时，PG与转移栅（TX）之间要恰当交叠。在光栅与转移栅之间插入扩散桥，可以采用单层多晶硅工艺，这种扩散桥要引起大概100个电子的拖影。 光栅型CMOSAPS每个像素采用5个晶体管，典型的像素间距为20m（最小特性尺寸）。采用0.25mCMOS工艺将容许达到5m的像素间距。浮置扩散电容的典型值为1014F量级，产生20V/e的增益，读出噪声一般为10均方根电子20均方根电子，已有读出噪声为5均方根电子的报道。 CMOS图像传感器的设计分为两大部分，即电路设计和工艺设计，CMOS图像传感器的性能好坏，不仅与材料、工艺有关，更重要的是取决于电路设计和工艺流程以及工艺参数设计。这对设计人员提出更高的规定，设计人员面要宽，在设计中，不仅要懂电路、工艺、系统方面的知识，还要有较深的理论知识。这个时代对设计者来说是一种令人兴奋和布满挑战的时代。计算机辅助设计技术为设计者提供了极大的以便，但图像系统的用途以及目的顾客的范畴由制造商决定。如果顾客装有Windows95的系统，那么就要拟定图像系统不是Windows98的。如果你只是为了获取并存储大量的低辨别率图像，那就不要选择一种可以提供优质图像但同步会产生更多数据以致于无法存储的高辨别率图像传感器。目前还存在许多非原则的接口系统。目前仅供数字相机所使用可装卸存储介质就涉及PCMCIA卡、东芝（Toshiba）的速闪存储器及软磁盘。重要的是，要根据产品将来所在的工作环境，对样品进行细致的性能评估。53CCD和CMOS系统的设计 CCD图像传感器和CMOS图像传感器在设计上各不相似，对于CCD图像传感器，不能在同一芯片上集成所需的功能电路。因此，在设计时，除设计光敏感部分（即CCD图像传感器）外，还要考虑设计提供信号和图像解决的功能电路，即信号读出和解决电路，这些电路需要在此外的基片上制备好后才干组装在CCD图像传感器的外围；而CMOS图像传感器则不同，特别是CMOSAPS可以将所有的功能电路与光敏感部分（光电二极管）同步集成在同一基片上，制作成高度集成化的单芯片摄像系统。与前者相比，成本低、制备容易、体积小、微型化、功耗低，虽然开始有人觉得光照敏捷度不如CCD图像传感器的高，并且暗电流和噪声比较大，近来由于改善了电路设计，采用亚微米和深亚微米光刻技术，使CMOS图像传感器的性能得到改善。已经具有与CCD图像传感器进行竞争的条件，21世纪，CMOS摄像器件将成为信息获取与解决领域的佼佼者。到那时，单芯片摄像机和单芯片数码相机将进入千家万户。这些都得益于CMOSAPS为人们提供了高度集成化的系统，如图4所示。图5示出CMOS数码相机的框图，从中可见数码相机设计的复杂性。霍尔器件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一种品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用。本文简要简介其工作原理、产品特性及其典型应用。 图39霍尔电流传感器在逆变器中的应用（CS为霍尔电流传感器）图40霍尔电流传感器在UPS中的应用（1、2、3均为霍尔电流传感器）图41霍尔电流传感器在电子点焊机中的应用3.2.12.3在逆变器中的应用 在逆变器中，用霍尔电流传感器进行接地故障检测、直接侧和交流侧的模拟量传感，以保证逆变器能安全工作。应用线路如图39所示。3.2.12.4在不间断电源中的应用 如图40所示，霍尔电流传感器1发出信号并进行反馈，以控制晶闸管的触发角，电流传感器2发出的信号控制逆变器，传感器3控制浮充电源。用霍尔电流传感器进行控制，保证逆变电源正常工作。由于其响应速度快，特别合用于计算机中的不间断电源。3.2.12.5在电子点焊机中的应用 在电子点焊机电源中，霍尔电流传感器起测量和控制作用。它的迅速响应能再现电流、电压波形，将它们反馈到可控整流器A、B，可控制其输出。用斩波器给直流迭加上一种交流，可更精确地控制电流。用霍尔电流传感器进行电流检测，既可测量电流的真正瞬时值，又不致引入损耗，如图41所示。3.2.12.6用于电车斩波器的控制 电车中的调速是由调节电压实现的。将霍尔电流传感器和其他元件配合使用，并将传感器的所有信号输入控制系统，可保证电车正常工作。其控制原理示 图42霍尔电流传感器在电车斩波器中的应用图43在变频调速电机中的应用（I，R，S，T均为霍尔电流传感器）图44用于电能管理的霍尔电流传感器图45霍尔接地故障检测器的原理和构造于图42。图中，SCR1是主串联晶闸管，SCR2为辅助晶闸管，Lo、Co构成输入滤波器，Ls是平滑扼流圈，M1M5是霍尔电流传感器。3.2.12.7在交流变频调速电机中的应用 用变频器来对交流电机实行调速，在世界各发达国家已普遍使用，且有取代直流调速的趋势。用变频器控制电机实现调速，可节省10以上的电能。在变频器中，霍尔电流传感器的重要作用是保护昂贵的大功率晶体管。由于霍尔电流传感器的响应时间短于1s，因此，浮现过载短路时，在晶全管未达到极限温度之前即可切断电源，使晶体管得到可靠的保护，如图43所示。3.2.12.8用于电能管理 图44给出一种用于电能管理的电流传感器的示意图。图中，12是通电导线，11是导磁材料带，17是霍尔元件，19是霍尔元件的输入、输出引线。由此构成的电流传感器，可安装到配电线路上进行负载管理。霍尔器件的输出和计算机连接起来，对用电状况进行监控，若发现过载，便及时使受控的线路断开，保证用电设备的安全。用这种装置，也可进行负载分派及电网的遥控、遥测和巡检等。3.2.12.9在接地故障检测中的应用 在配电和多种用电设备中，可靠的接地是保证配电和用电设备安全的重要措施。采用霍尔电流传感器来进行接地故障的自动监测，可保证用电安全。图45示出一种霍尔接地故障监测装置。3.2.12.10在电网无功功率自动补偿中的应用 电力系统无功功率的自动补偿，是指补偿容量随负荷和电压波动而变化，及时精确地投入和切除电容器，避免补偿过程中浮现过补偿和欠补偿的不合理和不经济，使电网的功率因数始终保持最佳。无功功率的自动采样若用霍尔电流、电压传感器来进行，在保证“及时、精确”上具有明显的长处。由于它们的响应速度快，且无相位差，如图46所示。 图46电网无功功率自动补偿控制器的原理框图3.2.12.14霍尔钳形电流表 将磁芯做成张合构造，在磁芯开口处放置霍尔器件，将环形磁芯夹在被测电流流过的导线外，即可测出其中流过的电流。这种钳形表既可测交流也可测直流。图48示出一种数字钳形交流电流表的线路。 用钳形表可对多种供电和用电设备进行随机电流检测。3.2.13电功率测量 使负载电压变换，令其与霍尔器件的工作电流成比例，将负载电流通入磁芯绕组中，作为霍尔电流传感器的被测电流，即可构成霍尔功率计。由霍尔器件输出的霍尔电压来批示功率，其工作原理如图49所示。3.2.12.11在电力工频谐波分析仪中的应用 在电力系统中，电网的谐波含量用电力工频谐波仪来进行测试。为了将被测电压和电流变换成适合计算机A/D采样的电压，将多种电力工频谐波分析仪的取样装置，如电流互感器、电压互感器、电阻取样与光隔离耦合电路等和霍尔电流传感取样测试对比，成果表白霍尔电流传感器最为合用。对比成果如表8所示。 表8电力工频谐波分析仪中使用的3种接口部件的比较（LEM模块是一种霍尔零磁通电流传感器） CT和PT 电阻取样与光耦隔离电路 LEM模块 线性度 0.5 0.1 频率范畴 较窄 030kHz 0100kHz 对各次谐波幅度有否衰减及衰减一致性 有，不一致 无 无 对各次谐波有否相移及相移一致性 有，不一致 很小，可以忽视 很小，可以忽视 所需电源 不需要 二组 一组 辅助电路 无 恒温电路 无 体积 大 大 小 重量 重 轻 轻 安装与否以便 不便 不便 以便 调试难易限度 容易 较难 容易 接口部件性能、特点3.2.12.12在开关电源中的应用近代浮现的开关电源，是将电网的非稳定的交流电压变换成稳定的直流电压输出的功率变换装置。无论是电压控制型还是电流控制型开关电源，均采用脉冲宽度调制，借助驱动脉冲宽度与输出电压幅值之间存在的某种比例关系来维持恒压输出。其中，宽度变化的脉冲电压或电流的采样、传感等均需用电流、电压传感器来完毕。霍尔电流、电压传感器以其频带宽、响应时间快以及安装简便而成为首选的电流、电压传感器。3.2.12.13在大电流检测中的应用 在冶金、化工、超导体的应用以及高能物理（例如可控核聚变）实验装置中均有许多超大型电流用电设备。用多霍尔探头制成的电流传感器来进行大电流的测量和控制，既可满足测量精确的规定，又不引入插入损耗，还免除了像使用罗果勘斯基线圈法中需用的昂贵的测试装置。图47示出一种用于DD托卡马克中的霍尔电流传感器装置。采用这种霍尔电流传感器，可检测高达到300kA的电流。 图47（a）为G10安装构造，中心为电流汇流排，(b)为电缆型多霍尔探头，(c)为霍尔电压放大电路。(a)G10安装构造(b)电缆型多霍尔探头(c)霍尔电压放大电路图47多霍尔探头大电流传感器图48霍尔钳形数字电流表线路示意图图49霍尔功率计原理图(a)霍尔控制电路(b)霍尔磁场电路图50霍尔三相功率变送器中的霍尔乘法器图51霍尔电度表功能框图图52霍尔隔离放大器的功能框图3.2.13.1霍尔三相功率变送器 运用霍尔器件的乘法器功能，还可构成三相功率变送器，用以检测三相平衡或不平衡负载电路的三相有功功率和无功功率。图50示出霍尔三相功率变送器的乘法器。将其霍尔电压经滤波、放大和输出变换后，将三相功率量变成直流电压和电流。直流电压可供应远动装置、巡检装置等，直流电流可供应近距离测量及仪表等。三相功率变送器是实现电网自动化不可缺少的一种环节。3.2.13.2构成电度表 在前述功率计后加上V/f变换及分频计数，即可构成电度表，加上磁卡读出装置，可构成磁卡电度表。 图51示出霍尔磁卡电度表的功能框图。 以霍尔器件为功率批示器，还可构成多种各样的功能电表，在这些电表中加入某些功能电路可构成例如带绝缘缺陷检测的电度表，窃电检测电度表等。以霍尔器件的基本功能为基本，还也许集成多功能家用电表，可同步显示电流、电压，用电度数及电费、功率因数、谐波电压等等。霍尔电度表也许成为最佳的智能电度表之一。3.2.14霍尔隔离放大器 霍尔隔离放大器的原理框图示于图52，是以霍尔元件为中心，构成一种自平衡弱电流比较仪，用以取代变压器耦合隔离放大器中的调制、解调系统，使线路简化。仔细调节电流比较仪的电路，将放大器的频带大大展宽，使之可达DC2MHz，并且保持了磁耦合隔离放大器的增益精度和光耦合隔离放大器的线性度，是一种高精度宽频带的隔离放大器。隔离放大器在空间技术、计算机技术、医疗和仪器仪表中有十分重要的应用。南京中旭微电子有限公司已批量生产这种产品。3.2.15用作电磁隔离耦合器 用霍尔电流传感器的工作原理，可做成电磁耦合器。用初级线圈的电流控制霍尔器件的输出，用这个输出信号控制其他的电路，既收到隔离的效果，又达到耦合的目的。用这种电路可做成霍尔继电器、过载保护器、通信线路的保护开关等等。 这种电磁耦合器既可做成开关式，也可做成模拟量输出式。 此外，用霍尔器件还可检测异步电机的转差率和转速；测量磁性材料的磁化强度、各向异性、旋转损耗和时间效应；测量直流电机的电磁力矩等等；还可和热磁材料组合起来，构成热磁开关。霍尔器件已实现的多种应用如表9所列。CMOS图像传感器的前程是光明的，随着多媒体、数字电视、可视通讯等市场的增长，CMOS图像传感器的应用前景更加广阔。 CMOSAPS为MIS/CCD图像传感器设计提供了另一选择方案，它把电荷转换成电压所需的晶体管装在每个像素内。在这种器件内均不必进行电荷转移，由于数据读取是在单个像素内完毕的。与CCD图像传感器相比，这种器件有很成熟的CMOS集成电路工艺，在减少成本方面有潜力。预期CMOSAPS在许多非科学应用领域内将最后替代CCD图像传感器。