第三节影响谱带位置的影响因素

第三节影响谱带位置的因素、内部因素:1.诱导效应：取代基电负性不同，诱导效应引起分子中电子分布的变化，吸收移向高频区如vc=o-R,-H,-Cl,-F,电负性T强，1715,1730,1800,1920,吸收峰t高频2共轭效应：是电子云密度平均化，吸收峰t低频3空间位阻：空间位阻影响共轭，吸收峰t高频(1)分子内氢键不受浓度的影响,吸收峰的位置与浓度无关,有助于结构的分析。(2)分子间氢键与溶液的浓度有关,振动频率常随溶液浓度的改变而改变。4氢键效应：有分子内氢键和分子间氢键，形成氢键后使H原子周围的力场发生变化，改变了X-H的键力常数,吸收峰移向低频。分子间氢键可以通过改变溶液浓度的方法来测定。通常,吸收峰强度受跃迁几率,振动偶极矩变化,分子的对称性,以及溶剂的影响。5.偶极场效应：是通过空间排列起作用,与分子的立体结构有关。通常只有那些在立体结构上相互靠近的基团之间才能产生偶极场效应，也称F效应它能使电子云的分布发生变化。二、外部因素：外部因素主要是分子所处的物理状态和化学环境,如温度、溶剂和仪器色散元件的影响。其中溶剂的影响主要表现为使极性基团的谱带发生位移。由于极性基团与极性溶剂之间能形成氢键,伸缩振动频率向低频方向移动,形成氢键的能力越强,移动的幅度越大。