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习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。试判别其类型，并说明各管子在UDS= 10V时的饱和漏电流IDSS、夹断电压UGSOff（或开启电压UGSth）各为多少。uGS/ViD/mA12312UDS=10V(a)uGS/ViD/mA12312UDS=10V(b)34uDS/ViD/mA246851015204.5V4V3.5V3V2.5VUGS=2V(c)题图3.1 解：FET有JFET和MOSFET，JFET有P沟（只能为正）和N沟（只能为负）之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟（可为正、零或负），增强型P沟（只能为负）和N沟（只能为正）。 图 (a)：N沟耗尽型MOSFET，=2mA,V。 图 (b)：P沟结型FET，=3mA, V。 图 (c)：N沟增强型MOSFET，无意义 ，V。3.2 已知某JFET的IDSS=10mA，UGSoff=-4V，试定性画出它的转移特性曲线，并用平方律电流方程求出uGS=-2V时的跨导gm。解：（1）转移特性如下图所示。 3.3 已知各FET各极电压如题图3.3所示，并设各管的V。试分别判别其工作状态（可变电阻区，恒流区，截止区或不能正常工作）。(a)(b)(c)(d)D 3VD 5VD -5VD 9V5VGS 2VS 0VS 0VS 0VG-3V题图3.3 解：图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为VV，VV，所以工作在恒流区。 图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET，VV，VV，所以工作在可变电阻区。 图 (c)中，P沟增强型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流区。 图（d）中，为N沟JFET，VV，所以工作在截止区。3.4 电路如题图3.4所示。设FET参数为：mA，V。当分别取下列两个数值时，判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区，并求恒流区中的电流。（1）。（2）。UDD(+15V)RD+uiVRGC1C2+uoID题图3.43.5 在题图3.5（a）和（b）所示电路中。TRD 1kRG 1MRS 4kUSS(-10V)(a)UDD(+10V)TC2RD 30kR21M C1RS 6k+Ui+UoR11.5M (b)题图3.5UDD(+12V)（1）已知JFET的mV，V。试求、和的值。（2）已知MOSFET的。试求、和的值。解(1) 解得：(2) 解得：3.6 已知场效应管电路如题图3.6所示。设MOSFET的，V，忽略沟道长度调制效应。 （1）试求漏极电流，场效应管的和。 （2）画出电路的低频小信号等效电路，并求参数的值。 UDD(10V)RG1RG21M1.5MRD10kRS1k题图3.6+UgsrdsRDRS1k gmUgsRG1/RG2(a)(b)解：（1）设电路工作在饱和区，则 联立上式求解得 mA V V V VV=V可见符合工作在恒流区的假设条件。 （2）低频小信号等效电路如图（b）所示。 3.7 场效应管电路如题图3.7所示。设MOSFET的，V。试求分别为2k和10k时的值。 RSUoGUDD9VT题图3.7解：k时， 可得mA, V(舍去mA) k时，计算得到mA, V3.8 FET放大电路如题图3.8所示。图中器件相同，和相同符号的电阻相等，各电容对交流信号可视为短路。(a)C1RG1RG2RSUDDTC2UiC2CSUDDC1RG1RD1RG2RST+Ui+Uo+UoC2C1UDDC1RG1RD1RG2RST+Uo+UiCG(b)(c)题图3.8gmUgsrdsRD+Ui+UgsRG1/ RG2(d)+Ui+UgsRG1/ RG2gmUgsrds+Uo+UoRS(e)+Ui+UoRD+Ugsgmvgsrds(f)（1）说明各电路的电路组态。（2）画出个电路的低频小信号等效电路。（3）写出三个电路中最小增益，最小输入电阻和最小输出电阻的表达式。解：（1）图3.8（a）是共源放大电路，图3.8（b）是共漏放大电路，图3.8（c）是共栅放大电路。（2）与图（a）、（b）和（c）相对应的小信号等效电路如图3.8（d）、（e）和（f）所示（3）由图3.8可见，各电路的静态工作点相同，所以值相等。电压放大倍数最小的是共漏放大器，由3.8（e）可求得。输入电阻最小的是共栅放大器。如不考虑，由图（f）可得；如考虑，且满足，则。输出电阻的是共漏放大器，由图(e)可得。3.9 画出题图3.9所示电路的直流通路和交流通路。+UsC1RS 2kRiRoC2UDD(+18V)C3+Ui+UoR1 2kRG2 160kRG1 1MRD 5kRL 100k题图3.9V(a)解:VRG1RDRG2R1(b)UDDVRDRLR1RS+Us+UiRiRo(c)+Uo题图3.93.10 放大电路如题图3.7所示。已知V，mA，gm=1.2ms，V。+UiTC1C2RD6kRL6kRS1kRG1MUDDCS+Uo题图3.10gmUgsrds+Ui+UgsRG+RDRLUo(b)(a)（1）试求该电路的静态漏极电流和栅源电压。（2）为保证JFET工作在饱和区，试问电源电压应取何值？（3）画出低频小信号等效电路。（4）试求器件的值，电路的、和。解：（1）T为N沟JFET，所以V，故可列出 联立解上述方程，可得 （2）为保证JFET工作在恒流区，则应满足 因为 所以 （V）如果考虑一定的输出电压动态范围，可取1012V。（3）低频小信号等效电路如图3.10（b）所示。 （4） 3.11 放大电路如题图3.11所示，已知FET的参数：。电容对信号可视为短路。(1) 画出该电路的交流通路(2) 当时，计算输出电压。题图3.11+us+uo+uiC1C2UDDR1 4MR2 10MRL 10kRD 20kRS(a)解:(1)其交流通路如题图3.12所示T+UsRSR1R2RDRL+Uo+Ui题图3.11(b) (2) 3.12 题图3.12电路中JFET共源放大电路的元器件参数如下：在工作点上的管子跨gm=1mS，rds=200k，R1=300 k，R2=100k，R3=1M，R4=10k，R5=2k，R6=2k，试估算放大电路的电压增益、输入电阻、输出电阻。题图3.123.13 两级MOSFET阻容耦合放大电路如题图3.13所示。已知V1和V2的跨导gm=0.7mS，并设，电容C1 C4对交流信号可视作短路。(1)试画出电路的低频小信号等效电路。(2)计算电路的电压放大倍数Au和输入电阻Ri。(3)如将RG1的接地端改接到R1和R2的连接点，试问输入电阻Ri为多少?+UiC1RG11M V1V2C2C3C4R12k R25.1k RG21M R41k R333k R510k UDD+Uo题图3.13(a)解: (1)低频小信号等效电路如题图3.13(b)所示+Ugs1+Ugs2+Ui+UoRG1R1R2RG2R4R3gmUgs2gmUgs1(b)+Ugs1R1R2gmUgs1isRG1+Ui(c)题图3.13(2)(3)由题图5.17(c)所示电路可求得（略去RG2）
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