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电子元器件基础知识 第一节 常用元器件的识别 一、电阻 4 银色 / 10-2 10 6. 黑色 0 100 / 7. 棕色 1 101 18. 红色 2 102 29. 橙色 3 103 /10. 黄色 4 104 /11. 绿色 5 105 0.512. 蓝色 6 106 0.213. 紫色 7 107 0.114. 灰色 8 108 /15. 白色 9 109 +5至 -2016. 无色 / / 20二、电容数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10102PF=1000PF 224表示22104PF=0.22 uF3、电容容量误差表耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000电流（A） 均为1三、稳压二极管稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很 高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低 阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种 特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管 可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.稳压管的应用: 1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或 保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别 适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件.只要电源电压VS超过二极管的稳压 值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开. 2、电视机里的过压保护电路(如图3):EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三 极管BG导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使 电视机进入待机保护状态. 3、电弧抑制电路如图4:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只 普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了.这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它. 4、串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V, 那么其发射极就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别，当把集电极当发射极使用时，其电流放大系数较小，反之值较大。在确定基极后，比较三极管的值大小，可以确定集电极和发射极。使三极管基极开路，在发射极和集电极之间加一小电压，使发射结承受正向电压，集电结承受反向电压，这时集电极之间加一偏流电流（如用欧姆表，反映出来是电阻很大）。在基极和集电极之间加一偏流电阻，集电极电流显著增大（因有了一定的基极电流），这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断值的大小（用欧姆表时，如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大，则值就大）。 分类按生产工艺分：合金型、扩散型、抬面和平面型三极管。按内部结构分：点接触型和面接触型三极管。从使用角度，按工作频率分：低频三极管、高频三极管、开关三极管。按功率分：小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管按外形结构分：小功率封装、大功率封装、塑料封装等 四：电感 二、电感线圈的主要特性参数1、电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL 3、品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。三、常用线圈 1、单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。2、蜂房式线圈如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。4、铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。5、色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。6、阻流圈（扼流圈）限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。7、偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。 六：变容二极管 又称可变电抗二极管。是一种利用pn结电容（势垒电容）与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。主要参量是：零偏结电容。零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等，对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容m极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。align=leftalign=leftfont=宋体size=12pt双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。/size/fontfont=宋体size=12pt/size/font/align/alignalign=leftalign=leftfont=宋体size=12pt图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。/size/fontfont=宋体size=12pt/size/font/align/alignalign=leftalign=leftfont=宋体size=12pt双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5）。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当UV(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用V（B）表示。V（B）=V（B0）-V（BR）。一般V（B）应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，则V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5VV(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用V（B）表示。V（B）=V（B0）-V（BR）。一般V（B）应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，则V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V 2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。无 瓷片电容 薄瓷片两面渡金属膜 体积小，耐压高， 易碎！容量低银而成。 价格低，频率高（有一种是高频电容）无 云母电容 云母片上镀两层金属 容易生产，技术 体积大，容量小，薄膜 含量低 温度稳定 （几乎没有用了）性好无 独石电容 体积比CBB更小，其他同CBB，有感有 电解电容 两片铝带和两层绝缘 容量大。 高频特性不好。膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。有 钽电容 用金属钽作为正极， 稳定性好，容量大， 造价高。（一般在电解质外喷上金属 高频特性好。 用于关键地方）作为负极。七、电容的标称及识别方法由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果是 10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用14位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47101 pF=470pF。瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF。钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F。（电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢！）色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。电阻电容序列值电容容值系列【单位pF】3 P 5 P 8 P 10 P 12 P 15 P 20 P 39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100P 120P 150P 180P 200P 220P 240P 270P 300P 330P 360P 390P 470P560P 620P 680P 750P 【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82 【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 3.3电容的计算方法是这样的：AX表示A（一般两位数）乘上10的x次方pF,因此，104就是0.1uF.电阻的表示方法也是这样的。如103的电阻表示10 000欧姆，即10K，102也就是1K。有的电容标号474，那么就表示0.47uF加上一些：电容的基本知识从事电子电路设计开发的，既有有多年经验的老手，也有刚入道的新手。每个人都对单片机、DSP、嵌入式系统投入了大量的时间和精力去研究，但是对于电路设计中应用最多、最广泛的元器件电容，又有多少人能搞的很清楚呢？而这正是很多新手的疑惑之一，面对众多的电容类型：钽电解、铝电解、独石、薄膜、陶瓷、纸介质等，各种各样的封装形式：贴片、针式、方块、不规则等，不同的应用领域：去耦、滤波、高频、低频、谐振、开关电源中的应用等，您是否能做出正确的选择呢？建议大家多加补充，一方面相互学习，另一方面对新手也是一个帮助。在下抛砖引玉，引用其它网站的一些文章，（该网站名已经记不得了，现对其表示感谢）名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p-4u额定电压：63-630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p-10u额定电压：63-2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p-0。1u额定电压：100V-7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p-1u额定电压：100V-30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100-1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15-550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1-6800p额定电压：63-500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p-4。7u额定电压：50V-100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p-0。1u额定电压：63-400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路名称：铝电解电容符号：电容量：0。47-10000u额定电压：6。3-450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等名称：但电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0。1-1000u额定电压：6。3-125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1-29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0。3-22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路 独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了. 独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。容量范围：0.5PF-1UF耐压：二倍额定电压。里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。 就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.Bi-Directional-Trigger-Diode DB3www.china-diode.com1/4DIACFeatures1. VBO: 32V(TYP)2. Breakover voltage range: 28 to 36VApplicationsFunctioning as a trigger diode with a fixed voltagereference, the DB3 can be used in conjunctionwith triacs for simplified gate control circuits or asa starting element in fluorescent lamp ballasts.Absolute Maximum Ratings(Limiting values)Parameter Symbol Value UnitRepetitive peak on-state current (tp=20s F=120 Hz) ITRM 2 AOperating junction temperature range Tj -40 +125 Storage temperature range Tstg -40 +125 DB3www.china-diode.com2/4Electrical Characteristics(Tj=25 unless otherwise specified)Parameter Symbol Test Conditions Value UnitMIN. 28TYP. 32Breakover voltage* VBOMAX. 36VBreakover voltage symmetry |VBO1-VBO2| MAX. 3 VDynamic breakover voltage* V VBO and VF at 10mA MIN. 5 VOutput voltage* VO see diagram 2(R=20) MIN. 5 VBreakover current* IBO MAX. 50 ARise time* tr see diagram 3 MAX. 2 sLeakage current* IR VR=0.5VBO max MAX. 10 A*Applicable to both forward and reverse directions.*Connected in parallel to the device.DB3www.china-diode.com3/4DB3www.china-diode.com4/4Dimensions in mmStandard Glass CaseJEDEC DO 35symmetry |VBO1-VBO2| MAX. 3 VDynamic breakover voltage* V VBO and VF at 10mA MIN. 5 VOutput voltage* VO see diagram 2(R=20) MIN. 5 VBreakover current* IBO MAX. 50 ARise time* tr see diagram 3 MAX. 2 sLeakage current* IR VR=0.5VBO max MAX. 10 A*Applicable to both forward and reverse directions.*Connected in parallel to the device.DB3www.china-diode.com3/4DB3www.china-diode.com4/4Dimensions in mmStandard Glass CaseJEDEC DO 35