MOS管型号知识培训.ppt

MOS管型号知识培训 一 型号命名规则二 基础知识三 主要参数四 其它表贴MOS管五 高压MOS与酷MOS 型号命名规则 1 突出桂微品牌2 力争与知名品牌兼容3 自主型号规律4 极性规律5 印字规律 具体规则 所有型号以GM开头用最多4位数字区分具体极性和参数借用其他公司数字代码第1位数字乘10基本表示击穿电压数量级第2位或第2加第3位基本表示电流数量级后两位数字基本表示电阻范围或序号 序号越大电流越大 电阻越小 单数代表P沟道 双数代表N沟道时省略极性字母 具体规则 续 如果不满足单双数规律时在GM后或型号最后增加代表极性的P或N型号最后的字母除代表极性外A B C D还代表电流或电阻的细分档 E代表防静电保护印字中的A B C D E I等分别代表击穿电压等级为20V 30V 40V 50V 60V 100V等印字后数字基本与型号后1到2位数字对应桂微自主型号印字直接用型号上的全部数字 基础知识 1 MOS概念2 极性知识3 工作状态4 带ESD静电保护区别 MOS概念 MOS MetalOxidSemiconductor金属氧化物半导体FET FieldEffectTransistor场效应晶体管Gate栅极 基极BDrain漏极 集电极CSource源极 发射极E 极性知识 P沟道 加负电源 负开启电压N沟道 加正电源 正开启电压体二极管 寄生 续流二极管单一极性载流子参与导电 单极型晶体管 三极管 二极管 双极型晶体管 无复合效应 开关速度快电荷密试低 LowQg 开关功耗低 极性知识 图 工作状态 垂直导电 VDMOS 元胞结构 并联导电栅极沟槽 TrenchMOS 缩小元胞间距 减小芯片面积MOS管不工作时 由外延层承担击穿电压 体二极管反压 MOS管工作时存在导通电阻RDS ON RCH REPI RSUB 工作状态 图 ESD保护 栅源静电吸收电路 一级或多级 IGSS会增大 VGS100nA 10uA VTH略低相同芯片面积时RDS略大相同RDS ID 成本略高 ESD保护 图 主要参数 1 BVDSS击穿电压MOS管不工作 导通 时漏源之间所能承受的最高电压2 VGS TH 开启电压为了使MOS管开始工作 导通 栅源之间要加的最小电压3 RDS ON 导通电阻在不同栅极电压下 MOS管导通时漏源之间的电阻 饱和压降 其它表贴MOS管 所有型号以GM开头SOT 26 TSSOP8 SOP 8 DFN8等型号用最多4位数字区分具体极性和参数借用其他公司数字代码第3个字母W代表TO 252封装接下来的1到2位数字代表电流接下来的字母P或N代表极性最后的数字乘10表示击穿电压 高压MOS与酷MOS 所有型号以GM开头第3个字母P代表TO 220封装 F代表TO 220F封装 D代表TO 251封装 T代表TO 92封装接下来的1到2位数字代表电流接下来的字母P或N代表极性最后的数字或直接或乘10表示击穿电压酷MOS第4和5位数字乘10表示击穿电压 接下来的R和数字表示导通电阻技术支持QQ 280322039