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物理与电信工程学院(系)2012 2013 学年第一学期期末考试模拟电子技术基础课程试卷( A )专业 年级 班级 姓名 学号 题号一二三四五六七八总分得分一、填空(20分)1.本征半导体掺入 价元素可生成P型半导体,其少数载流子的浓度主要取决于 。2. 某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va =1.2V,Vb =0.5V, Vc=3.6V, 试问该三极管是 管(填硅、锗), 型(填NPN或PNP)的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 。3放大电路在高频时放大倍数下降主要是因为_密勒_电容的影响;低频时放大倍数下降则主要是因为_耦合_电容的影响。当工作频率等于上限频率()时,放大倍数的幅度下降为中频时的_ _倍,此时与中频时相比,附加相移约为_。4图1.3所示的复合管中,已知T1的1=40,T2的2=30,则 复合管的导电类型为_,电流放大系数为 _。5根据放大管的导通角,我们可把放大器分为几类工作状态: 当导通角_时,称为甲类;当导通角_时,称为乙类;当导通角_ 时,称为甲乙类。6.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为 dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为 dB。7、差分放大电路能够抑制 信号,放大 信号。在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极Re公共电阻对 信号的放大作用无影响。二、选择填空(14分)1测得工作于放大电路中的晶体管的三个电极对地电位分别V1=-0.7伏,V2=0伏,V3 c=-7.8伏,则该晶体管为_。 (a)NPN型硅管 (b)PNP型硅管 (c)NPN型锗管 (d)PNP锗管 2差动放大器的共模抑制比越大,表示该电路_。 (a) 放大共模信号的能力越强 (b) 放大差模信号的能力越强 (c) 抑制零点漂移的能力越强 (d) 零点漂移越大3N型半导体是本征半导体中_而成。 (a) 光热作用 (b) 加入3价元素 (c) 加入5元素4引起交越失真的原因是_。 (a) 信号太强 (b) 功放管静态电流太大 (c) 信号太弱 (d) 功放管静态电流太小5稳压管的稳压作用是利用其_特性来实现的。 (a) 单向导电性 (b) 正向导通 (c) 反向击穿6.判断下图各电路能否组成低频放大电路。(A)不能,能 (B)不能,不能 (C)能,不能 (D)能,能7负反馈使放大器的非线性失真_。 (a) 增大 (b) 减少 (c) 不变 三、电路如图3示, (v),D为理想二极管,试绘出的波形。(6分) 四、理想运放组成电路如下图所示,试求Vo与Vi1、Vi2、V3的关系(8分)五、在图4所示电路中R2=R3= 2K, RW =4K,Uz=3.3V。求输出电压的调节范围。(10分) 六、如图所示电路:1)如果电路要组成电压串联负反馈,电阻Rf因接在那两端。(6分)2)设电路满足深度负反馈的条件,计算电路的反馈系数和闭环电压增益,R1=10K, R2=500K (6分) 图6 七、图7为互补对称功率放大器,已知Vcc=16V,RL=8,功放管的饱和压降UCES2V,求:(1)最大不失真输出功率Pom、电源提供的功率PD,功放管的耗散功率PC和电路的效率;(2)当输入信号(V)时的输出功率Po、电源提供的功率PD、功放管的耗散功率PC和电路的效率。(14分) 图7八、 差分放大电路如图所示,晶体三极管的参数相同,UD=0.7V,100,rbe=2.4k,Rs=100,Rc6k,Re5.6K,VccVEE12V (16分)1) 计算三极管的静态工作点;2) 画出该放大电路的小信号H参数等效电路;3) 计算电路的差模电压放大倍数 5
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