胡喜雷毕业论文设计2

南通职业大学毕业设计（论文） 多晶硅太阳能电池片的合成毕业设计（论文）类 型：毕业设计说明书 毕业论文题 目：多晶硅太阳能电池片的合成学生姓名：胡喜雷指导教师：陈玲霞专 业：应用化工技术时 间：2016年4月摘 要 本文简要阐述了太阳能电池发展历史和分类，以及太阳能电池的发展现状。对不同种类的太阳能电池做了简要介绍，并对比它们的优缺点。文章主要研究太阳能电池中的无机多晶硅太阳能电池的制作工艺。首先自原料硅的合成开始，经一次清洗、扩散、二次清洗、PECVD、丝网印刷、测试、目检七道工序，至多晶硅电池制作完毕包装结束，重点介绍多晶硅电池片合成工艺的各个工序步骤，以及各步骤的反应原理、作用和注意事项。文章结尾对多晶硅电池的研究略作总结。关键词：多晶硅太阳能电池，合成，工艺，性质，展望1、 摘要和目录的顺序错了，我已经帮你调整好。2、 文中好多地方的文字，图表我改了不少，也有很多地方还需要修改，我在文中用红色或蓝色的字体标出来了，你继续在现在文章的基础上继续改，不要再到自己原来的论文中去改。3、 页码编号应从正文第一页开始编，摘要和目录都不要编入。4、 还有好多地方我没有标出来的，比如上下标，首行空两格等，全文仔细核对，有问题的都要改。5、 看你论文的架构，估计重复率低不了，学校要求是低于30%，我明天上午把你论文检测一下，然后把结果发给你，你自己对照修改。2Abstract This paper briefly expounds the developing history and classification of solar cells and solar cell development present situation. For different types of solar cells are briefly introduced, and compared the advantages and disadvantages of them. This paper mainly studies the inorganic polysilicon solar cell production process in the solar cell. Since raw silicon synthesis, first by a clean, diffusion and secondary cleaning, PECVD, screen printing, testing, visual inspection technique for seven procedures, until the end of polysilicon batteries produced packaging, emphasis on the synthesis process of polycrystalline silicon cells of each process step, and the reaction principle and function of the step, and the matters needing attention. The articles at the end of the study of polysilicon batteries summed up slightly.Key words: Polysilicon solar cell, synthesis, process, nature, outlook目 录1 绪论41.1概述41.2太阳能电池的分类及优缺点42 原料多晶硅62.1 多晶硅的作用62.2 多晶硅生产方法62.2.1 改良西门子法62.2.2 新硅烷法72.2.3 热分解法73 多晶硅太阳能电池83.1 多晶硅太阳能电池结构及原理83.2 多晶硅太阳能电池的制备工艺93.2.1 一次清洗93.2.2 扩散123.2.3 二次清洗153.2.4等离子体增强化学气相沉积工序（PECVD)173.2.5丝网印刷183.2.6测试分选20结 论23参考文献2431 绪论1.1概述 目前，传统的燃料能源正在不断衰减，同时传统能源对环境也带来一定的危害且日益加剧，并且全世界的能源供应还没有完全普及。所以全世界都在关注可再生能源方面，希望可再生能源能够广泛应用于生产和生活中。这之中太阳能以其自身的优势得到人们广泛的关注。太阳能是一种重要的可再生能源，是取之不尽、用之不竭的新能源，并且它无污染、价格低，是人类能够重复利用的能源。在各国政府和政策的扶持下，光伏产业得到快速有利的发展。1.2太阳能电池的分类及优缺点 太阳能电池有很多种，往大的方面可分为无机太阳能电池、有机太阳能电池、光化学太阳能电池；无机太阳能电池又可分为多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池。而有机聚合物太阳能电池作为一种新型太阳能电池，其以有机聚合物半导体作为实现光电转换的一种活性材料。 向磊. 全球光伏产业发展状况及趋势. 世界有色金属，2010，(8)，23-24 与无机太阳能电池相比较，它的优点有以下几点：（1）生产过程简单，制作时消耗能量少（2）环保性好，其构成成分均为容易处理的材料（3）适应性强，高温和弱光条件下的优异（4）可制成半透明器件，柔性器件等等形式灵活多样的器件（5）有机物来源广泛，效率提升潜力大（6）具有很好的发展和应用前景，是目前新能源的主要研究方向之一。同样，有机太阳能电池存在以下缺点：（1）载流子迁移率低；（2）能量转换效率有待提高；（3）使用寿命短，易损坏；（4）目前为主无法实现大规模商业化；（5）转化效率较低，难于大规模并网发电。 Tiger Nie，王海生，孙韵琳，等. 光伏产业目光直指新兴市场. Solarzoom 光伏杂质，2011，4（1）：2-3 最大效率染料敏化纳米晶电池也仅能达到10%左右。无机太阳能电池生产技术也较为成熟，目前为止，太阳能电池片的生产还是以无机多晶硅电池片为主。本文也主要研究无机多晶硅电池的生产工艺。图和表应该各自编号，取名表格最好另外画，尽量避免用现成的图片格式的表格最高转换效率制造能耗成本材料来源工艺成熟性污染可靠性无机块状光伏电池单晶硅24.7最大最大丰富很成熟最大最好多晶硅18大大丰富成熟大好薄膜光伏电池多晶硅薄膜16较小较小丰富比较成熟较小好非晶硅薄膜12小小丰富比较成熟较小不好碲化镉15小小比较丰富比较成熟大一般砷化镓19.9小小不太丰富比较成熟较小一般铜铟镓硒37.4小大不太丰富不太成熟大好有机太阳能电池混合异质结6小小丰富不成熟小未知染料敏化纳米晶10小小丰富不太成熟小好表1-1 各种太阳能电池优缺点比较图1-1 2007年各类太阳能电池生产比重（这张图很不清楚，重新找一张或者自己用excel画一张饼状图）22 原料多晶硅2.1 多晶硅的作用 从硅矿到太阳能电池片,再经光伏组件的组合,到形成完整的发电系统。其过程包括硅的合成、提纯、硅锭/片、太阳能电池片、太阳能电池组件等。最后由或多或少的太阳能电池组件组合成完整的、功率大小不一的太阳能发电站。图2-1 多晶硅电池生产步骤图示生产无机太阳能电池片，最主要的原料就是多晶硅。完整的太阳能电池发电系统包含很多部分，但是其中最主要的核心部分由多晶硅经过各种工序加工而成的太阳能电池片，生产太阳能电池片占总成本的82%左右。电子芯片的制造一般用纯度较高的多晶硅。多晶硅生产提纯过程具有高压高温，有毒物质易燃物质较多，生产环境比较恶劣。此外，生产过程的安全性，是否节能环保，工艺人员的对生产流程熟悉程度都是多晶硅生产、提纯过程中的要点。 刘志刚. 多晶硅太阳电池新腐蚀液的研究及其应用：博士学位论文. 上海：上海交通大学理学院物理系，2006 2.2 多晶硅生产方法2.2.1 改良西门子法 德国西门子公司在硅棒发热体上用H还原成功研究制备多晶硅取得了成功。其系统属于闭路循环系统，利用氢化工艺把副产物SiCld转化为SiHCl，实现了回收利用。大大降低了生产过程中原辅材料的消耗；还原炉采用大型不锈钢钟罩节电还原炉，能耗低。目前该生产工艺还在研究发展中，但基本上在实际生产中已经取代了传统的西门子法。 梁昌鑫，陈孝祺. 太阳能电池现状及其发展前景. 上海电机学院学报，2010，13（3）：182-186 图2-2 改良西门子法的生产工艺流程图2.2.2 新硅烷法新硅烷法是由美国UCC公司率先开发研究的用硅烷生产高纯硅的新工艺。该生产工艺原料相对低廉，是以SiCl4为原料，其系统属于闭路循环系统，不会得到其它产物。新硅烷法工艺如下：这种简单的表示式尽量自己重新画，下同新硅烷法具有以下优点：（1） 新硅烷法中硅烷热分解温度较低；（2） 整个生产流程中能耗较低；（3） 新硅烷法产品更容易提纯，产品纯度高；（4） 新硅烷法硅烷中硅质量分数较高(w=87.5)；（5） 新硅烷法原料消耗低； 液氨在该反应中作为溶剂，不会发生化学反应。硅烷发生的过程伴有纯化现象，能够完全清除挥发性的氢化物杂质，而且除硼效果良好。但其用到的SiCl4属于易燃易爆气体的一种，存储困难，且硅烷热分解炉结构复杂，所以硅棒直径必须受到限制。 Helge Haverkamp，Amir Dastgheib-Shirazi，Bernd Raabe，et al. Minimizing the Electrical Losses on the Front Side：Development of a Selective Emitter Process From a Single Diffusion. Photovoltaic Specialists Conference，San Diego，2008，1-4 2.2.3 热分解法热分解法：是以对SiH2C12进行加热分解生成多晶硅，此法生产的产品纯度较低，设备没有循环利用装置，其副产物无法循环利用。目前此法很少使用，在此不做详述。3 多晶硅太阳能电池3.1 多晶硅太阳能电池结构及原理图3-1 多晶硅太阳能电池结构 光伏效应产生：第一，需要在P型硅的底部表面上，制取厚度约为0.5um的N型重掺杂层利用三氯氧磷的液态源扩散工艺来获得，当N与P型层相互触碰时，就会形成pn结，从而发生光伏效应。光子将能量传递给硅原子而产生新的电子空穴对。新的电子-空穴对在内建电场的作用下电子由p区流向n区，空穴由n区流向p区，电子和空穴在 pn结两侧集聚形成了电势差，当外部电路接通后，在电势差的作用下，外部电路会有电流流过，从而产生一定的输出功率。 任丙彦，吴鑫，勾宪芳，等. 背接触硅太阳电池研究进展. 材料导报，2008，22（9）：101-105 多晶硅太阳能电池的发电原理如下图所示。 图3-2 多晶硅太阳能电池的p-n结发电原理3.2 多晶硅太阳能电池的制备流程工艺 由上述多晶硅太阳能电池的组成结构和发电原理，经过历代前辈的不断完善。多晶硅太阳能电池片的制备工艺流程如下：表面制绒扩散 除去背结PECVD丝网印刷测试。接下来向大家介绍多晶硅生产工艺的各个组成部分，以及一些在生产过程中的重要工艺参数和关于对工艺的优化。3.2.1 一次清洗 3.2.1.1 一次清洗的原理一次清洗工序是多晶硅太阳能电池片生产制备流程中的第一道工序，其主要目的是去除原硅片表面的脏污和机械损伤层，工序中添加特殊的制绒剂，可以有效的在硅片表面形成不规则的绒面结构（俗称制绒），不规则的绒面结构能够在太阳光照射时增强太阳能电池的陷光作用。我们知道，单晶硅太阳能电池的制绒与多晶硅不同，前者主要是依靠碱的各向异性腐蚀特性，就可以在单晶硅晶面上形成均匀、连续、细腻的正金字塔结构，从而起到良好的陷光作用。从成本预算及生产过程的复杂难度综合考虑，本文选用化学腐蚀制备多晶硅太阳能电池绒面的原理做一下简单介绍。多晶硅太阳能电池片的制绒方式与单晶硅的碱制绒相比有所区别，多晶硅采取酸制绒工艺体系主要由HNO3和HF两部分组成，溶液与多晶硅发生的反应方程式如下：SiO2 +6HFH2(SiF6)+2H2O (3.1)3Si+4HNO33SiO2+2H2O+4NO (3.2) 化学反应中，HNO3属于强氧化剂，与单质硅发生氧化反应生成SiO2，SiO2吸附在硅片表面上来阻止HNO3与硅进一步发生化学反应。SiO2与溶液中的HF在接下来继续发生化学反应，得到溶于水的络合物H2(SiF6)。所以单质硅遇到HNO3就会再次发生化学反应。随着化学反应的不断进行，硅片表面不断的受到腐蚀，最终会形成连续致密的不规则“蜂窝状”结构，见图 3-3。使用此方法进行制绒，具有以下优点：（1） 采用的反应装置结构简单，易操作；（2） 生产过程较容易、成本低廉；（3） 此法制备出的多晶硅电池片，反射率低，符合制造要求。化学反应的过程不稳定导致该方法存在一系列缺点，容易受到各种不确定因素的影响。而设备运行中的一些参数，比如滚轮转速、溶液温度等，也都会对反应速率造成影响，最终影响硅片的制绒效果。 图3-3 多晶硅电池片经制绒后的表面放大图3.2.1.2 一次清洗的工艺参数 本工序所采用的制绒设备为全自动制绒设备。设备由三个腐蚀槽、三道DI水淋洗装置和一道热风刀构成。其顺序从前到后为腐蚀槽、DI水、碱洗槽、DI水、酸洗槽、DI水、风刀。在准备生产向各槽内通入化学溶液前，需要用水枪将各溶液槽清洗干净，之后注入DI水启东设备循环约15min后，排除循环水。如此在重复操作一遍，之后便可以向各溶液槽通入所需溶液。表3-1 Rena全自动多晶硅制绒设备工艺参数表实际生产过程中，设备内各反应槽内填充的化学溶液，初始溶液的浓度和体积为： （1） 腐蚀槽：取浓度为55%的氢氟酸溶液48升，浓度为70%的硝酸溶液30升；（2） 碱洗槽：取浓度为45%的氢氧化钠溶液5.3升；（3） 酸洗槽：取浓度为48%的氢氟酸溶液30升，浓度为38%的盐酸溶液60升。 Michael Quirk ， Julian Serda. Semiconductor Manufacturing Technology. Copyright Prentice Hall，2006 由于一次清洗的制绒过程是以化学反应为原理来进行的，所以随着化学反应的不断进行，原料液会随之消耗。为了保证反应可以继续进行，我们需要在生产过程中不断加入适量的原料液。具体的补液量如下：（1） 腐蚀槽：取浓度为50%的氢氟酸溶12.5升，浓度68%的硝酸溶液11.5升；（2） 碱洗槽：取浓度为45%的氢氧化钠溶1.8升；（3） 酸洗槽：取浓度为50%的氢氟酸溶液1.9升，浓度为38%的盐酸溶液3.5升。 刘志刚，孙铁囤，苦史伟，等. 被腐蚀法分离 p-n 结的研究. 太阳能学报，2007，（2）:165-168 此外，连续生产大量电池片，虽然有不断进行的补液，也会造成各腐蚀槽内溶液浓度、杂质不符合要求。所以当设备连续生产多晶硅片约15000片后，需要对腐蚀槽进行换液。当设备停机超过一个小时，需要把设备内的腐蚀槽内的溶液打回对应的储备槽内。而对于碱槽和酸槽内的溶液，无论是否使用，在配置完成260h后，必须重新配置换液。如果为降低成本继续使用，则会对多晶硅电池片的制绒结果造成不良影响。3.2.2 扩散 3.2.2.1 多晶硅电池片中扩散工艺的原理 物理学上扩散的定义是指物质分子由高浓度区域向低浓度区域转移，直到分布均匀的一种物理现象。但在多晶硅电池片的制备工艺中，扩散工序的目的就是在电池片的P型硅的衬底表面上制造一层N型的物质，这样就可以形成多晶硅电池片的发电核心pn结。经过近年来人们的不断研究， 已经开发出很多种多晶硅太阳能电池的扩散工艺，比如三氯氧磷（POCl3）液态源扩散、喷涂磷酸水溶液后链式扩散、丝网印刷磷浆料后链式扩散等。本文将选取采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散工艺来制取pn结进行研究，其扩散原理为：在某种特定的条件下氮气携带POCl3，可被分解成五氧化二磷（P2O5）和五氯化磷（PCl5），具体反应方程式如下：5POCl33PCl5+P2O5（T600） （3.3） 在800-900的高温下，P2O5与Si发生化学反应，生成P和二氧化硅，其反应方程式表达如下：2P2O5+5Si5SiO2+4P （3.4） 从上述化学反应方程式中不难看出，在完全没有氧气提供的前提下，POCl3 可被热分解生成对硅表面有腐蚀作用且极不易分解的PCl5，且对PN结有不好的影响。当O2 有足够多时，PCl5就会再次发生分解，生成P2O5和Cl2，具体反应方程式如下：4PCl5+5O22P2O5+10Cl2 （3.5） P2O5将再一次与硅发生化学反应，生成磷原子和SiO2。在O2 足够多存在的情况下，POCl3液态源扩散的总化学反应方程式为：4POCl3+5O22P2O5+6Cl2 (3.6)所有下标为了扩散能够均匀，避免硅片表面出现死层，通常采取在POCl3扩散之前使硅表面被热氧化，形成一层极薄的氧化层，来调节反应快慢。 陈炳若. 发射结磷扩散方法的改进. 半导体技术，1998，23（2）：32-35 3.2.2.2 扩散工艺的参数 扩散工序采用的设备是捷佳伟创扩散炉DS300A，其是在扩散炉的基础上改进得来的，主要有以下两个优点：（1）喷淋扩散：这种扩散工艺具有生产方便简单，使用寿命长，温度适中等。 （2）软着陆系统：这种工艺可以避免舟浆带入污染，同时不需要对舟浆和石英炉管经常清洗。因为喷淋扩散和尾部通源工艺有所区别，所以这两种设备的工艺参数也有所不同，喷淋扩散的工艺主要参数如下表3.3：表3.3扩散工艺参数表其中，t（s）代表每一步工艺运行的时间，T1-T5代表炉口至炉尾每个温区的温度，大氮为通入炉管内氮气的流量（sccm），小氮为通入炉管内POCl3的流量（sccm），干氧为通入炉管内氧气的流量（sccm）。表第1、2步为进炉以及升温稳定过程，第3步为氧化过程。第4步为低温扩散过程，第5、6、7步为边升温边通源扩散过程。第8步为氧化推进过程，第9、10、11步为吹氮冷却以及出炉过程。 本文采取的是经过改善优良的两步扩散工艺，该扩散工艺为：预扩主扩推扩。改善的磷扩散工艺有以下几个特点：(1)同时进行磷源的再分布和硅片表面的三次氧化。(2)高温扩散过程中不会伴有硅片与高浓度的磷直接接触过程。(3)两步扩散法制备pn结，制备条件没有那么复杂，工艺参数调节范围大。3.2.3 二次清洗3.2.3.1 二次清洗工艺的原理 本文主要采用正面无保护的湿法刻蚀方法去除电池背面的pn结，来达到分离pn结。 刘志刚，孙铁囤，苦史伟，等. 被腐蚀法分离 p-n 结的研究. 太阳能学报，2007，（2）:165-168 其原理如下： 第一步：硅表面被硝酸氧化而生成一氧化氮或二氧化氮，见式（3.7，3.8）：Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O （3.7）Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O （3.8） 氧化后生成的一氧化氮、二氧化氮会继续与水继续发生反应，得到亚硝酸会快速与硅氧化生成二氧化硅，见式（3.9,3.10,3.11）：2NO2+H2O=HNO2+HNO3 （3.9）Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O （3.10）4HNO3+NO+H2O=6HNO2 （3.11）由上述化学反应方程式可以看出，其化学反应是一个循环过程，最终的还原产物是氮氧化合物是硝酸，二氧化硅是与腐蚀溶液接触的硅片背表面的氧化产物。第二步：二氧化硅溶解后所得产物将快速与混合液中的氢氟酸反应，生成产物为六氟硅酸，SiO2+4HF=SiF4+2H2O （3.12）SiF4+2HF=H2SiF6 （3.13）总反应式为：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O （3.14） 可见，最终腐蚀掉的硅将以六氟硅酸的形式溶入溶液中。采用湿法刻蚀去背结工艺将扩散后电池片的正面与背面pn结分开，与其它方法相比具有以下优点：1)等离子体刻蚀法刻蚀过程中需要用到CF4毒性气体，对人体健康会产生危害。2)电池片的使用功率不高。3)正面无保护的湿法刻蚀方法与其它两种方法相比较，克服了这两种方法存在的缺点。3.2.3.2 二次清洗工艺的设备及参数 湿法刻蚀工序采用的是德国SCHMID设备，整个设备由8个模组构成，如下图：图3-7 德国SCHMID设备构造图 湿法刻蚀工序所需溶液为：纯水55L；HF70L；HNO3196L。最终制得的电池片满足如下要求：1）.腐蚀深度：1.3-1.5um；2）.腐蚀面颜色光亮且周围有亮边；3）.正表面干净整洁；4）.用PN结导电类型测试仪测腐蚀面四周，显示皆为“P”型。测正表面四个角以及四周，显示皆为“N”型。3.2.4等离子体增强化学气相沉积工序（PECVD)3.2.4.1等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的原理 等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）的工作原理为：在真空压力下，加在电极板上的射频（低频、微波等）电场，使反应室内气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子39。由于电子受到外加电场的加速作用，会导致其自身能量增加，然后通过撞击把自身能量传递给反应气体分子，使反应气体分子具有较高的活性。这些活性分子覆盖在硅基底上，彼此间发生化学反应，制得所需的介质薄膜，产生的副产物被真空泵抽走。本文采用PECVD技术，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，具体原理如下：SiH4+NH3SiNx+H2 （3.15）此法制备的氮化硅薄膜具有减反射和钝化的作用，其减反射原理图如下：图3-8 氮化硅薄膜减反射原理图3.2.4.2等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的工艺参数等离子体增强化学气相沉积工序采用的是德国CentrothermPECVD设备。设备主要作用是通过计算机来远程控制和监督设备运行状况，执行的工艺是采用Centrotherm公司自己定义的类似编写的VB语言，通过软件CccRM执行和管理。具体工艺参数为：表3.4 PECVD沉积氮化硅薄膜工艺参数表在化学反应期间，氮化硅薄膜的物化性质受SiH4与NH3流量比的影响。随着SiH4与NH3流量比的增大，Si与N之比增大，氮化硅薄膜的折射率上升、介电强度和腐蚀速度下降；当SiH4与NH3之比为1：2时，生产的氮化硅薄膜质量最优；除沉积速度不受SiH4与NH3流量比的影响之外，SiH4与NH3流量比对致密性和折射率有较大影响。3.2.5丝网印刷3.2.5.1丝网印刷的原理图3-9丝网印刷工艺的原理图 丝网印刷的原理：将带有图案的模板覆盖在丝网上，利用图案部分网孔透过浆料来进行印刷。丝网印刷有以下几个工艺，即丝印网版、印刷刮刀、电子浆料、印刷台面和承印物，印刷时，在网版一端倒入浆料，利用刮刀对网版中的浆料边施加压力边朝另一端推动。浆料在移动的过程中透过网孔被刮刀挤压到承印物上。3.2.5.2丝网印刷的工艺参数 本工序采用的是Baccini印刷机+Despatch烧结炉。将整个工序分成四段，工艺参数分别为：(1)正面电极印刷以及烘干参数：印刷速度：160-320mm/s；反料速度：380mm/s；丝网间距：-900um(实际值)；刮板压力：80-100N；脱离速度：36mm/s；刮板 高度：-1900-2300um；烘箱1、2、3、4温区的温度分别为：90、110、160、 180，烘箱循环时间为：10min；印刷湿重：0.23-0.28g。(2)背面电极印刷以及烘干参数：印刷速度：160-320mm/s；反料速度：380mm/s；丝网间距：-1000um(实际值)；刮板压力：80-90N；脱离速度：38mm/s；刮板高度：-1600um；烘箱1、2、3、4温区的温度分别为：90、110、160、180，烘箱循环时间为：10min；印刷湿重：0.22-0.26g。(3)背面电场印刷以及烘干参数：印刷速度：160-320mm/s；反料速度：380mm/s；丝网间距：-1400um(实际值)；刮板压力：80-100N；脱离速度：38mm/s；刮板高度：-2100um；烘箱1、2、3、4温区的温度分别为：90、110、160、180，烘箱循环时间为：10min；印刷湿重：1.2-1.7g。 烧结参数与所选浆料及重量有一定的影响，下表为主要的烧结工艺参数。从表中可以看出，在低温情况下，金属浆料中的有机物会挥发。在高温下将其烘干，有机物会充分燃烧。高温快烧，可使浆料穿透SiNx层与硅片形成良好的欧姆接触。表3-5烧结炉工艺参数表3.2.6测试分选3.2.6.1测试分选的原理 测试分选采用的测试仪器为太阳能测试仪。首先能够用来测量太阳能电池片的电性能参数，随着专家对测试技术的不断研发，目前集成的太阳能电池测试系统还可以进行EL测试、外观测试等。太阳能电池测试系统要求：能够通过测试时间来调节太阳光模拟器的开关，通过采样电路、温度传感器和数据采集卡(DAQ)读取太阳能电池的即时电流、电压和相应的温度及光谱测量值等参量，经过计算机的数值运算处理，得到逼近标准测试条件下的I值和V值，从而绘出逼近标准测试条件下的I/V特性曲线。下图为太阳能电池测试仪的结构图，其中采用高压短弧氙灯来模拟自然光。 曾令驰，潘涛，曾祥斌.适合教学的高性能太阳能电池测试系统. 物理实验，2008，28（8）：45-48 图3-10太阳能电池硬件测试的系统框图15结 论 要想光伏发电技术得到普及，必须做到高效、生产低成本。目前市场上生产的新型高效多晶硅太阳能电池，都是在传统制备工艺的基础上进行改良。我国目前研究光伏技术还处于初期，制备工艺还需要继续完善。本文对多晶硅太阳能电池制备过程中出现的不足，对各主要工艺参数进行了改善，以得到具有最佳性能的制备工艺及生产方法。参考文献