重庆大学模电(唐治德版)课后习题答案习题.ppt

上传人:zhu****ei 文档编号:5413827 上传时间:2020-01-28 格式:PPT 页数:7 大小:318KB
返回 下载 相关 举报
重庆大学模电(唐治德版)课后习题答案习题.ppt_第1页
第1页 / 共7页
重庆大学模电(唐治德版)课后习题答案习题.ppt_第2页
第2页 / 共7页
重庆大学模电(唐治德版)课后习题答案习题.ppt_第3页
第3页 / 共7页
点击查看更多>>
资源描述
8 3在题8 3图所示电路中 已知场效应管的VP 5V 问在下列三种情况下 管子分别工作在哪个状态 1 vGS 8V vDS 4V 2 vGS 3V vDS 4V 3 vGS 3V vDS 1V 解 NJFET 2 因为 且 所以管子工作在恒流区 3 因为 且 所以管子工作在可变电阻区 8 4测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如题8 4表所示 试分析各管的工作状态 截止区 恒流区 可变电阻区 并填入表内 因为三只管子均有开启电压 所以它们均为增强型MOS管 解 T1管 VT 4V 0V 所以T1为N沟道增强型MOS管 且因此管子处于恒流区 N沟道增强型MOS管 T2管 VT 4V 0V 所以T2为P沟道增强型MOS管 因此管子处于截止区 P沟道增强型MOS管 T3管 VT 4V 0V 所以T3为P沟道增强型MOS管 且时 因此管子处于可变电阻区 恒流区 截止区 可变电阻区 8 10一个MOSFET的转移特性如题8 10图所示 其中漏极电流iD的方向是它的实际方向 试问 1 该FET是耗尽型还是增强型 2 是N沟道还是P沟道FET 3 从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT 其值等于多少 解 P沟道增强型MOSFET 其开启电压VT 4V N沟道增强型MOS N沟道耗尽型MOS P沟道增强型MOS P沟道耗尽型MOS N沟道FET P沟道FET 8 13电路如题8 13图所示 设FET T1 的参数为gm 0 8ms rd 200k 三极管 T2 的参数 40 rbe 1k 1 画出放大电路的小信号等效电路 2 计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri 解 1 由于rd Rd 故rd可忽略 画出小信号等效电路 2 计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri 解 2 电阻Rd的电流 由b点的KCL定律 即 可得 8 16电路如题8 16图 a 所示 已知Rg1 100k Rg2 300k Rg3 2M Rd 10k Rs1 10k Rs2 2k VDD 20V gm 1ms 1 画出电路的小信号等效电路 2 求电压增益Av 3 求放大器的输入电阻Ri及输出电阻Ro a 放大电路 b 小信号等效电路 解 1 小信号等效电路如图 b 所示 2 3 8 17源极输出器电路如题8 17图 a 所示 已知FET工作点上的互导gm 0 9s 其它参数如图所示 1 画出电路的小信号等效电路 2 求电压增益Av 输入电阻Ri 输出电阻Ro a 放大电路 b 小信号等效电路 解 1 小信号等效电路如图 b 所示 2
展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 图纸专区 > 课件教案


copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!