资源描述
.,4.4 场效应管,场效应管是另外一类晶体管，也有三个极，分别为栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。场效应管工作时，参与导电的是单一极性的载流子，所以是单极性晶体管：噪声小、抗辐射能力强、低电压工作场效应管分为两类，一类是结型场效应管，另一类是绝缘栅场效应管（MOS管）；按导电沟道分，每一类又分为P沟道和N沟道两种；,.,各种MOS管的符号,N沟道增强型,N沟道耗尽型,.,场效应管和三极管比较 1、三极管是两种载流子（多子和少子）参与导电，故称双极型晶体管。而场效应管是由一种载流子（多子）参与导电，N沟道管是电子，P沟道管是空穴，故称单极型晶体管。所以场效应管的温度稳定性好，因此，若使用条件恶劣，宜选用场效应管。 2、三极管的集电极电流IC受基极电流IB的控制，若工作在放大区可视为电流控制的电流源（CCCS）。场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。若工作在放大区可视为电压控制的电流源（VCCS）。 3、三极管的输入电阻低（102104），而场效应管的输入电阻可高达1061015。 4、三极管的制造工艺较复杂，场效应管的制造工艺较简单，因而成本低，适用于大规模和超大规模集成电路中。有些场效应管的漏极和源极可以互换使用，而三极管正常工作时集电极和发射极不能互换使用，这是基于结构和工作原理所致。场效应管产生的电噪声比三极管小，所以低噪声放大器的前级常选用场效应管。 5、三极管分NPN型和PNP型两种，有硅管和锗管之分。场效应管分结型和绝缘栅型两大类，每类场效应管又可分为N沟道和P沟道两种，都是由硅片制成。,.,4.5 晶闸管,晶闸管是由三个PN结构成的大功率半导体器件。体积小、重量轻、耐压高、效率高、控制灵活和使用寿命长的特点使半导体器件的应用从弱电领域进入强电领域，广泛应用于整流、逆变和调压等大功率电子电路中。,.,晶闸管应用电路:桥式整流电路,.,本章小结,半导体材料是制造半导体器件的物理基础，利用其掺杂性，控制其导电能力，从而把本征半导体变成有用的P型和N型两种杂质半导体；PN结是制造半导体的基础，具有单向导电性；半导体二极管由一个PN结组成，伏安特性反应了二极管的单向导电性和反向击穿特性。普通二极管工作在正向导通区，稳压管工作在反向击穿区；三极管由两个PN结组成，当发射结正偏，集电结反偏时，三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用，即电流放大作用：IC=IB, IE=IB+IC=(1+ ) IB,；三极管有截止，放大，饱和三个工作区域。主要不同的外部偏置情况；场效应管是单极型晶体管，工作原理和三极管不同，具有很高的输入电阻和较低的噪声系数，适合做多级放大器的前置级；晶体管由三个PN结构成的一种大功率半导体器件，多用于整流、逆变、调压等电路。,
展开阅读全文