资源描述
习 题,第三章,3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l) 是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。,解:,3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的,，,，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。,解:,IDQ、VGSQ,双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。,3-7,解:,3-13,各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)值，并画出|VDS| =5V 时相应的转移特性。,解: (a): N沟道, JFET (b): N沟道, DMOS FET (c): P沟道, DMOS FET,3-15,由有源电阻构成的分压器如图P3-15所示，设各管,相同，|VGS(th)|=1V、,=0，试指出各管工作区及其VO值。,解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在饱和区; (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在饱和区; (c): VO=5 V,MOS管都工作在饱和区.,3-16,图P3-16所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，VI=200mV，,VGS(th)=1.5V，试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO值，并进行分析.,解:,VGS越大,MOS管电阻越小,
展开阅读全文