资源描述
附录 A 1 能 ： （ 1） 与 容 （ 2） 4寿命： 1000写 /擦循环 ) （ 3） 全静态工作： 0 4） 三级程序存储器保密锁定 （ 5） 128*8位内部 6） 32条可编程 I/（ 7） 两个 16 位定时器 /计数器 （ 8） 6个中断源 （ 9） 可编程串行通道 （ 10） 低功耗的闲置和掉电模式 （ 11） 片内振荡器和时钟电路 2 描述 一种带 4K 字节闪烁可编程可擦除只读存储器（ 低电压，高性能 称单片机。该器件采用 工业标准的 令集和输出管脚相兼容。由于将多功能 8 位 闪烁存储器组合在单个芯片中， 一种高效微控制器，为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。 3 引脚配置 图 1 框图 供以 下标准性能： 4K 字节的闪存， 28 个字节， 32 条输入 /输出线，二 16位定时器或 计数器 、一个 5向量两级中断机构、一个全双工串行通信端口、在芯片内有振荡器和时钟电路。 另外， 且支持二种软件可选择的节电工作模式。空闲方式停止 允许 时器 /计数器、串行通信口和中断系统继续工作。掉电方式保存 振荡器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一个硬件复位。 4 述 电电压。 地。 ： 为一个 8 位漏级开路双向 I/O 口，每脚可吸收 8电流。当 时，被定义为高阻输入。 可以被定义为数据 /地址的第八位。在 作为原码输入口，当 行校验时， 时 位双向 I/电流。 管脚写入 1 后，被内部上拉为高，可用作输入， 输出电流，这是 由于内部上拉的缘故。在 作为第八位地址接收。 位双向 I/出 4个 1” 时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时， 的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。 当用于外部程序存储器或 16位地址外部数据存储器进行存取时， 给出地址 “1” 时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时， 2口 在 个带内部上拉电阻的双向 I/接收输出 4个 1” 后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉为低电平， 是由于上拉的缘故。 下所示： 备选功能 行输入口） 行输出口） 部中断 0） 部中断 1） 0（记时器 0外部输入） 1（记时器 1外部输入） 部数据存储器写选通） 图 in 部数据存储器读选通） 位输入。当振荡器复位器件时，要保持 访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。在 程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时， 频率为 振荡器频率的 1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个 想禁止 。此时， 令是 起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态 位无效 /部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间，每个机器周期两次 /效。但在访问外部数据存储器时，这两次有效的 /号将不出现。 / /持低 电平时，则在此期间外部程序存储器（ 0000不管是否有内部程序存储器。注意加密方式 1 时， /内部锁定为 ，此间内部程序存储器。在 引脚也用于施加 12 向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。 自反向振荡器的输出。 4 振荡器特性： 别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件 ， 余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器，因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求，但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。 5 空闲节电模式： 在空闲工作模式状态， 持睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时，片内 所有特殊功能寄存器的内容保持不变。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。要完成内部复位操作，硬件复位脉冲要保持两个机器周期（ 24 个时钟周期）有效，在这种情况下，内部禁止 允许访问其它端口。为了避免可能对端口产生意外写入，激活空闲模式的那条指令后一条指令不应是一条对端口或外部存储器的写入指令。 6 掉电模式： 在掉电模式下，振荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内 出掉电模式的唯一方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器但不改变 位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。 7 程序存储器的加密： 使用对芯片上的 3 个加密位进行编程（ P）或不编程（ U）来得到如 下表所示的功能加密位保护功能表： 表 1 加密保护功能表 序加密位 保护类型 U U U 没有程序保护功能 2 P U U 禁止从外部程序存储器中执行 3 P P U 除上表功能，还禁止程序校验 4 P P P 除以上功能外，同时禁止外部执 当加密位 编程时，在复位期间， 的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一 个随机数，且这个随机数会一直保存到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的 平值必须与该引脚当前的逻辑电平一致。 8 片机内部有 4k 字节的 个 储阵列出厂时已处于擦除状态（即所有存储单元的内容均为 用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电压（ +12V）或低电压（ 允许编程信号。低电压编程模式适合于用户在线编程系统，而高电压编程模式可与通用 程器兼容。 片机中，有 些属于低电压编程方式，而有些则是高电压编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的名字节获得该信息，见下表。 表 2 2v V 芯片顶面标识 名字节 （ 030H） =1 030H） =51H （ 032H） = 030H） =1 030H） =51H （ 032H） =05H 程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的 序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。 9 编程方法： 编程前，须设置好地址、数据及控制信号。 1) 在地址线上加上要编程单元的地址信号。 2) 在数据线上加上要写入的数据字节。 3) 激活相应的控制信号。 4) 在高电压编程方式时，将 加上 +12 5) 每对 储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个 程脉冲。改变编程单元的地址和写入的数据，重复 1 5 步骤，直到全部文件编程结束。每个字节写入周期是自身定时的，通常约为 10 数据查询： 片机用数据查询方式来检测一个写周期是否结束，在一个写周期中，如需读取最后写入的那个字节，则读出的数据的最高位（ 原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，有效的数据就会出现在所有输出端上，此时，可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，可在任意时刻进行数据查询。 11 字节编程的进度可通过 出 信号监测，编程期间， 为高电平“ H”后 电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后， 12 程序校验： 如果加密位 有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据。加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。 13 芯片擦除： 利用控制信号的正确组合（表 6）并保持 10低电平脉冲宽度即可将 k 字节）和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作 中将任何非空单元写入“ 1”，这步骤需再编程之前进行。 14 读片内签名字节： 读签名字节的过程和单元 030H、 03132需将 回值的意义如下： （ 030H） =1明产品由 （ 031H） =51H 声明为 （ 032H） =明为 12 （ 032H） =05H 声明为 5 15 编程接口： 采用控制信号的正确组合可对 速存储阵列中的每一代码字节进行写入和存储器的整片擦除，写操作周期 是自身定时的，初始化后它将自动定时到操作完成。 16 极限参数 工作温度 125 储藏温度 150 任一脚对地电压 高工作电压 流输出电流 15.0 录 B 1. 4K 1,000 0 Hz 4 128 x 8 32 6 2. is a K is s is to be or by a By a PU on a is a a to 3. 4K 128 32 I/O 6a a In is to PU to AM 4. is , TL s to be as be to be to In 0 is , of is , of to 6 In it s. to of 2 is , of of of as ) ) A on is of to is In LE is at a , be or LE is to If be by FR is a is no if is in is to is is to EA be ND in to to 000H up if is EA be on EA be CC 22to to 4. of an be as an a or be To an be is no on of to is a be 5. n PU to is by of AM be by or by a It be is by a it up to to AM in to is To of an to a is by be to a or to 6. n is is AM is is a be CC is to be to to 7. n be U) or be P) to in U U U No P U U EA is on of is 3 P P U as , is P P P as , is is at A is If is up a to a is It is A be in at in to 8. is in to be a 12or a a to s is is or in 12V 5V 030H) = 1031H) = 51H (032H) = 030H) = 1031H) = 51H (032H) = 05H is in To in be 9. be To 1. on 2. on 3. of 4. A/2V 5. to a in or is no .5 , or of is 10. to of a a an of in of on a 11. of be by SY is LE to is is to 12. If B1 B2 be be of is by 13. is by of by 0 is 1”s. be be 14. by as a of 30H, 031H, 32H, 3.6 3.7 be to a as (030H) = 1EH (031H) = 51H 9032H) = 2V 032H) = 05H V 5. in be be by of is to 16. . . . . . 125C . . . . . 150C in .V . C . 15.0 mA
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