材料物理性能ppt课件

1.介质的击穿: 当电场强度超过某一临界值时，介质由介电状态变为导电状态。这种现象称介电强度的破坏，或叫介质的击穿。 2.击穿电场强度: 介质的击穿时，相应的临界电场强度称为介电强度，或称为击穿电场强度。 （介电强度：一种介电材料在不发生击穿或者放电的情况下承受的最大电场。）,3.3 电介质在电场中的破坏,3.3.1 介电强度,1,Emax=(V/d)max 通常，凝聚态绝缘体的击穿电场范围约为(105-5106)V.cm-1。 介电强度依赖于材料的厚度， 厚度减小，介电强度增加。由测试区域中出现的临界裂纹的几率决定。 还与环境温度和气氛、电极形状、材料表面状态、电场频率和波形、材料成分和孔隙、晶体各向异性，非晶态结构等因素有关。,2,例：设计一方案，满足3KV下存储10-4C的要求 ，设电介质材料厚0.02mm的BaTiO3，求电介质的厚度及面积。（注:BaTiO3的介电强度为120KV/cm）。,3.3.1 介电强度,3,一些电介质的介电强度 单位：106V/cm,4,1.介质的不均匀性 无机材料常常为不均匀介质，有晶相、玻璃相和气孔存在，这使无机材料的击穿性质与均匀材料不同。 不均匀介质最简单的情况是双层介质。设双层介质具有各不相同的电性质，1，1，d1和 2，2，d2 分别代表第一层、第二层的介电常数、电导率、厚度。 若在此系统上加直流电压U，则各层内的电场强度E1，E2，为：,3.3.2 影响无机材料击穿强度的各种因素,5,上式表明：电导率小的介质承受场强高，电导率大的介质承受场强低。在交流电压下也有类似的关系。 如果1和2 相差甚大，则必然其中一层的电场强度将大于平均场强E，这一层可能首先达到击穿强度而被击穿。一层击穿以后，增加了另一层的电压，且电场因此大大畸变，结果另一层也随之击穿。由此可见，材料的不均匀性可能引起击穿场强的降低。 陶瓷中的晶相和玻璃相的分布可看成多层介质的申联和并联，上述的分析方法同样适用。,3.3.2 影响无机材料击穿强度的各种因素,6,2. 材料中气泡的影响： 材料中含有气泡时，气泡的及很小，因此加上电压后气泡上的电场较高。而气泡本身的抗电强度比固体介质要低得多(一般空气的Eb33kv/cm，而陶瓷的Eb80kv/cm )，所以首先气泡击穿，引起气体放电(电离)，产生大量的热，容易引起整个介质击穿。由于在产生热量的同时，形成相当高的内应力，材料也易丧失机械强度而被破坏，这种击穿称为电机械热击穿。,3.3.2 影响无机材料击穿强度的各种因素,7,3.3.2 影响无机材料击穿强度的各种因素,3. 材料表面状态及边缘电场： （1）固体介质的表面放电 固体介质的表面放电属于气体放电。固体介质常处于周围气体媒质中，击穿时，常发现介质本身并未击穿，但有火花掠过它的表面，这就是表面放电。 a: 固体介质材料不同，表面放电电压也不同。陶瓷介质由于介电常数大、表面吸湿等原因，引起空间电荷极化，使表面电场畸变，降低表面击穿电压。 b: 固体介质与电极接触不好，则表面击穿电压降低。 c: 电场的频率不同，表面击穿电压也不同。频率升高，击穿电压降低。,8,3. 材料表面状态及边缘电场： （2）边缘电场： 电极边缘常常发生电场畸变，使边缘局部电场强度升高，导致击穿电压的下降。 影响因素： a: 电极周围媒质 b: 电场的分布(电极的形状、相互位置) c: 材料的介电系数、电导率,3.3.2 影响无机材料击穿强度的各种因素,9,1.压电性概念 1）正压电效应 ：晶体受到机械作用力时，在一定方向的表面上会出现数量相等、符号相反的束缚电荷；作用力反向时，表面荷电性质亦反号，而且在一定范围内电荷密度与作用力成正比。这种由机械能转化为电能的过程，为正压电效应。 逆压电效应 ：当晶体在外加电场作用下，晶体的某些 方向上产生形变，其形变与电场强度成正比。称为逆压电效应。 正压电效应与逆压电效应统称为压电效应。具有压电效应的物体称为压电体。,3.4 压电性和热释电性,3.4.1 压电性,10,a: 在X方向上的二个晶体面上接电极，测定电荷密度。 X方向上受正应力T1(N/m2)时，测得X方向电极面上产生的束缚电荷Q，其表面电荷密度 （C/m2）与作用力成正比。 1=d11T1 其中T1为沿法线方向正应力，d11为压电应变常量，其下标第一个1代表电学量，第二个1代表力学量。, 石英晶体,11,在Y方向上受正应力T2时，X方向上测电荷密度： 1=d12T2 在Z方向上受正应力T3时，测电流为0 1=d13T3=0 因为T3不等于0，则d13=0。,12,切应力：T4（yz或zy应力平面的切应力）， T5（xz或zx平面）， T6（xy或yx平面） 在切应力作用下，X方向上测电荷密度： 1=d14T4 而 d15=d16=0 X方向总电位移： 1=d11T1+d12T2+d14T4,13,x方向总电位移： 1=d11T1+d12T2+d14T4 同样，在晶体y方向的平面上被电极，测y方向的电位移D2： 2=d25T5+d26T6 同样，在晶体z方向的平面上被电极，测z方向的电位移D3： 3=0 对于 石英晶体，无论在哪个方向上施加应力，在z方向的 电极面上无压电效应。,14,3.4.1 压电性,以上正压电效应可以写成一般代数式的求和方式：即,m=1, 2, 3 m为电学量，j为力学量,采用矩阵方式可表示为：,d为压电应变常量，是有方向的，而且具有张量性质。 另外一种表示方法为： m=emiSi m=1, 2, 3 i=1, 2, 3, 4, 5, 6 Emi为压电应力常量，Si为应变,15,2 逆压电效应与电致伸缩 ： 逆压电效应：当晶体在外加电场作用下，晶体的某些 方向上产生形变，其形变与电场强度成正比。这种由电能转变为机械能的过程称为逆压电效应。 定量表示逆压电效应的一般式为：,Si =dmiEn n=1, 2, 3 i=1, 2, 3, 4, 5, 6 Ti =enjEn n=1, 2, 3 j=1, 2, 3, 4, 5, 6,逆压电效应的压电常量矩阵是正压电效应压电常量矩阵的转置矩阵，分别表示为dT、eT，则逆压电效应短阵式可简化为,S =dTE T =eTE,16,电致伸缩：任何电介质在外电场作用下，会发生尺寸变化，产生应变。为电致伸缩效应，其大小与所加电压平方成正比。 对于一般电介质而言：电致伸缩效应所产生的应变实在太小，可以忽略。 只有个别材料，共电致伸缩应变较大，在工程上有使用价值，这就是电致伸缩材料。例如电致伸缩陶瓷PZN(锌铌酸铅陶瓷)，其应变水平与压电陶瓷应变水平相当。,3.4.1 压电性,17,3 晶体压电性产生的原因：,3.4.1 压电性,石英晶体属于离子晶体三方晶系、无中心对称的32点群。三个硅离子和六个氧离子配置在晶胞的晶格上 。 图中大圆为硅原于，小圆为氧原子。硅离子按左螺旋线方向排列，3#硅离子比5#硅离子较深(向纸内)，而1#硅离于比3#硅离子较深。,18,3.4.1 压电性,x,y,19,压电效应与晶体的对称性有关。由前讨论可知，压电效应的本质是对晶体施加应力时，改变了晶体内的电极化，这种电极化只能在不具有对称中心的晶体内才可能发生。 只有结构上没有对称中心，才有可能产生压电效应 而且必须是： 电介质（或至少具有半导体性质）； 其结构必须有带正、负电荷的质点-离子或离子团存在（离子晶体或离子团组成的分子晶体） 常用： 石英晶体，钛酸钡，钛酸铅，铋酸钼等,20,4）压电材料的主要表征参数：,3.4.1 压电性,（1） 机械品质因数： 压电振子是最基本的压电元件，它是被覆激励电极的压电体。 谐振频率: 若压电振子是具有固有振动频率fr的弹性体，当施加于压电振子上的激励信号频率等于fr时，压电振子由于逆压电效应产生机械谐振，这种机械谐振又借助于正压电效应而输出电信号。 压电振子谐振时，存在内耗，反映损耗程度的参数:,Wm为振动一周单位体积存贮的机械能， Wm为振动一周单位体积消耗的能量。,21,3.4.1 压电性,（2） 机电耦合系数： 机电耦合系数k是综合反映压电材料性能的参数。它表示压电材料的机械能与电能的耦合效应，定义为： 由于压电元件的机械能与它的形状和振动方式有关，因此不同形状和不同振动方式所对应的机电耦合系数也不相同。 K ：反映压电材料机械能和电能相互转换的力度。,22,1.热释电现象： 热释电性（热电性） ：晶体由于温度的作用而使其电极化强度变化。,3.4.2 热释电性,电气石 : 化学成分（Na, Ca)(Mg, Fe)3B3Al6Si6(O, OH,F)31 在均匀加热的同时，让一束硫磺粉和铅丹粉经过筛孔喷向这个晶体。 结果会发现。晶体一端出现黄色。另一端变为红色。这就是坤持法显示的天然矿物晶体电气石的热释电性实验。,3m点群，只有一个三次转轴，没有加热时，自发极化电偶极矩被吸收的空气中的电荷屏蔽; 温度升高，这种平衡破坏，一端带正电，一端带负电。,23,2.热释电效应产生的条件：,3.4.2 热释电性,晶体：一定是具有自发极化的晶体，在结构上具有极轴。 极轴：晶体惟一的轴，二端往往具有不同性质，且采用对称操作不能与其它方向重合。 有热释电效应一定有压电效应，反之不然。 压电效应：由于机械应力引起正负电荷重心的相对位移； 热释电效应：由于热膨胀引起的正负电荷重心的相对位移。,石英晶体 在X1，X2，X3方向等位移，正负电荷重心不变，没有热释电性。,24,产生热释电效应的条件： （1）无对称中心； （2）存在自发极化； （3）有极轴；,Ps为自发极化强度， Pin为电场作用产生,热释电系数,综合热释电系数,25,铁电存储器,26,1. 电滞回线和铁电体,3.5 铁电体,罗息盐:酒石酸钾钠-NaKC4H4O6 4H2O,其极化强度随外加电场的变化如右图所示形状，称为电滞回线。 把具有这种性质的晶体称为铁电体。,Ps: 饱和极化强度 Pr: 剩余极化强度 Ec: 矫顽电场,27,居里温度：铁电体在定温度以上，电滞回线消失，这个温度为居里温度Tc,它是铁电态的一个标志。同铁磁体具有磁滞回线一样，所以人们把这类晶体称作“铁电体”。其实晶体中并不含有铁。,3.5 铁电体,28,2. 电畴,电畴：铁电体自发极化时能量升高，状态不稳定，晶体趋向于分成许多小区域，每个小区域电偶极子沿同一方向，不同小区域的电偶极子方向不同，每个小区域为电畴。 畴壁：畴之间的边界地区。决定畴壁厚度的因素是各种能量平衡的结果。 180度，90度 (单晶体） 60度， 120度 （斜方晶系） 71度，109度 （菱形晶系）,3.5 铁电体,29,30,铁电体在外电场的作用下，趋向与外电场方向一致，称为“畴”转向，通过新畴的出现，发展和畴壁移动来实现的。 外加电场撤去后，小部分电畴偏离极化方向，恢复原位，大部分停留在新转向的极化方向上，为剩余极化。,2. 电畴,3.5 铁电体,31,1. 设单晶体的极化强度方向只有沿某轴的正向或负向二种可能。在没有外电场时，晶体总电矩为零(能量最低)。加上外电场后，沿电场方向的电畴扩展、变大，而与电场方向反向的电畴变小。这样极化强度随外电场增加而增加。 2. 电场强度继续增大，电畴方向趋于电场方向，极化强度达到饱和。,3. 如再增加电场，则极化强度P与电场E成线性增加，沿这线性外推至E0处，相应的Ps值称为饱和极化强度，也就是自发极化强度。,3.5 铁电体,32,4. 若电场强度自c处下降，晶体极化强度亦随之减小。在E0时仍存在极化强度，就是剩余极化强度Pr。 5. 当反向电场强度为一Ec时，剩余极化强度Pr全部消失。 6. 反向电场继续增大极化强度才开始反向，直到反向极化到饱和达图中G处。Ec称为矫顽电场强度。,3.5 铁电体,G,33,3.铁电体的起源：,自发机制与铁电体的晶体结构有关，主要是晶体中原子位置的变化的结果。 自发机制： 氧八面体中离子偏离中心的位移（应变）运动； 氢键中质子运动的有序化； OH-集团择优分布； 含其它离子集团的极性分布。,3.5 铁电体,34,3.5 铁电体,四方 120 以下为铁电体，且电偶矩方向受外电场控制,120,5,-90,立方结构,四方结构,斜方,菱方结构,BaTiO3:,居里点,35,在温度TTc时，热能足以使Ti 4+ 在中心位置附近任意移动。这种运动的结果造成无对称可言。 当外加电场时，可以造成Ti 4+ 产生较大的电偶极矩，但不能产生自发极化。,3.5 铁电体,36,当温度T丁c时，此时Ti 4+和氧离于作用强于热振动晶体结构从立方改为四方结构，而且T4+偏离了对称中心，产生永久偶极矩，并形成电畴。,3.5 铁电体,37,3.5 铁电体,38,