半导体敏感元件热敏元件与温度传感器.ppt

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资源描述
,热敏元件与温度传感器,本章主要内容,1.概述2.热电偶3.热电阻4.半导体陶瓷热敏电阻5.硅电阻温度传感器6.半导体热敏二极管7.集成温度传感器,1.概述,液体膨胀式温度计,固体膨胀式温度计,玻璃管温度计,双金属温度计,温度最本质的性质,当两个冷热程度不同的物体接触后就会产生导热换热,换热结束后两物体处于热平衡状态,则它们具有相同的温度。,温度,分类,接触测温,非接触测温,热辐射测温,热传导测温,热阻式,热电式,金属,热电阻,半导体,半导体陶瓷热敏电阻,热电偶,温度传感器,敏感元件,电参数,PN结式,集成温度传感器,测量方法,1.概述,热敏二极管,热敏三极管,温度传感器,2.1工作原理(热电效应,或称为赛贝克效应),两种不同导体构成闭合回路,两个节点(A、B)温度不同,温差电势(汤姆逊电势),A-汤姆逊系数,接触电势(珀尔贴电势),不同导体自由电子密度不同扩散电势,同一导体两端温度不同电子迁移(高低)电势,2.热电偶,电动势,若两种导体相同:NA=NBE=0,若两端无温差:T=T0E=0,两种特殊情况,2.热电偶,2.1工作原理,=F(T)-F(T0),若T0为常数,E(T,T0)=F(T)-C,注:热电偶热电势的大小,只是与导体A和B的材料有关,与冷热端的温度有关,与导体的粗细长短及两导体接触面积无关。,2.2热电偶基本定律,中间导体定律,2.热电偶,中间温度定律,热电偶中接入第三种材料,只要接入材料两端温度相等,热电偶总热电势不变。,B,B,A,T2,T1,T3,A,A,B,EAB(T1,T3)=EAB(T1,T2)+EAB(T2,T3),2.3常用热电偶材料,2.热电偶,分度表-热电势与热端温度之间关系列成表格,冷端为0,a)普通热电偶:,结构:1-热电极2-绝缘套管3-保护套管4-接线盒,b)铠装热电偶:,结构:热电极+绝缘材料+金属保护套,c)薄膜型热电偶:,2.热电偶,2.4热电偶结构,特点:细长(13mm),可以弯曲,挠性好,强度高测端热容量小,动态响应快(0.01s)。,具有热容量小,反应速度快等的特点,热相应时间达到微秒级。,普通工业热电偶,2.热电偶(thermocouple),2.4热电偶结构,普通工业热电偶,铠装热电偶,表面温度热电偶,2.5热电偶的冷端补偿,热电势:,A0恒温法,测温:获得TT0固定T0=0(冷端),冷端:干扰、波动T00误差冷端温度补偿,冷端温度补偿方法:,2.热电偶,适用于实验室中的精确测量和检定热电偶时使用,冷端温度补偿方法:,2.热电偶,设:冷端温度恒为t0(t00)被测温度为t,修正公式,冷端t0的热电势,测量得出的热电势,被测温度t的热电势,将显示仪表的机械零点调至t0处,相当于在输入热电偶热电势之前就给显示仪表输入了电势E(t0,0)。,B冷端温度修正法,C仪表机械零点调整法,材料:纯金属-铂、铜、镍、铁,3热电阻,原理:热能热电阻电阻值,温度热电阻阻值,在0630.74范围内,金属铂的电阻值与温度的关系为,当-190t0时,A=3.9684710-3/,B=-5.84710-7/2,C=-4.2210-12/4,铂电阻,特点:,(1)在高温和氧化介质中性能极为稳定,易于提纯,工艺性好。不能用于还原介质。,(2)输入输出特性接近线性,构成:,金属铂丝(0.020.07mm)绕制成线圈,3热电阻,在-50180范围内,金属铜的电阻值与温度的关系为,温度0时的电阻值,:铜电阻温度系数(4.2510-3-4.2810-3/),铜电阻,热电阻结构,3热电阻,铂电阻温度传感器采用日本进口薄膜铂电阻元件精心制作而成,具有精度高,稳定性好,可靠性强,产品寿命长等优点,适用于小管道(1/2英吋8英吋)以及狭小空间高精度测温领域,与二次显示表以及PLC配合。,热电阻结构,3热电阻,金属氧化物为原料,采用陶瓷工艺制备的具有半导体特性的热敏电阻。,4半导体陶瓷热敏电阻,分类,B正温度系数热敏电阻(PTC),A负温度系数热敏电阻(NTC),C临界温度系数热敏电阻(CTR),温度范围较窄,一般用于恒温加热控制,或者温度开关。一些功率PTC元件作为发热元件使用;,测温范围宽,主要用于温度测量;,温控开关,4半导体陶瓷热敏电阻,A负温度系数热敏电阻(NTC),数学表达式,导电机理,B正温度系数热敏电阻(PTC),4半导体陶瓷热敏电阻,实验公式,导电机理,总结:导电机理-多晶材料的晶粒间界处势垒随温度变化。,5硅电阻温度传感器,利用半导体材料电阻率随温度变化的特性进行温度测量。,硅电阻率与温度关系示意图,A纯半导体材料,ni随温度增加而增大,室温附近,温度增加8摄氏度,硅的ni就增加一倍,因为迁移率只有稍微下降,电阻率降低一半左右;,B杂质半导体,载流子产生,散射结构,当电流密度J保持不变时,PN结正向压降随着温度T的上升而下降,近似线性关系,对于硅二极管,温度升高1摄氏度,正向电压下降2mV。,利用半导体PN结的正向压降与温度关系实现温-电转换。,6半导体热敏二极管,本征载流子浓度与温度的关系ni=CT3/2exp(-Eg0/2kT),对于理想PN结:,300K,且硅管Uf=0.65V时,,在强电离,小注入,Vf大于几个KT/q时,,测温电路,测温电路,V0=(VBE+100*W1)(1+W2/R1)-100*W2,REF为双恒流源集成芯片,提供两路100A的恒定电流。,三极管C-B结短接用作热敏二极管,6半导体热敏二极管,灵敏度,非线性误差,W2灵敏度调节,W1调零电阻,非线性误差不仅与温度有关,而且与正向电流有关。,集电极电流I与Vbe的关系:,(1),(2),(3),(4),集成电路对管温度传感器,7IC温度传感器,工作原理分析,总结:输出电压与绝对温度T成比例,线性较好,其比例系数只取决于4个电阻比值。,根据镜像电流源原理,Ic1=Ic2=Ic3=Ic4=I1,晶体管的反向饱和电流与发射结面积成正比,Is3=Is4,总结:I0与温度具有良好的线性关系。,改进型集成电路对管温度传感器,7IC温度传感器,工作原理分析,电路图,电流型温度传感器,电流输出型典型集成温度传感器有AD590(美国AD公司生产),国内同类产品SG590。器件电源电压430V,测温范围-50+150。,7IC温度传感器,AD590集成温度传感器,T1,T3,T6构成恒流源,Ic1=Ic3=I1=2Ic6,Ic10=Ic7+Ic8=Ic1=I1,Ic9=Ic11=Ic1=Ic3,总结:电流与温度成正比,误差较小,且线性较好。,电流型温度传感器,7IC温度传感器,A主要电路分析,AD590集成温度传感器,KT标定因子,为1A/。,I=KTTK,AD590伏安特性曲线,工作电压:4V30V,B)AD590伏安特性,电流型温度传感器,7IC温度传感器,省略非线性项后则有:,I=KTTc273.2,C)AD590温度特性,Tc摄氏温度;I的单位为A。,D)AD590的测量电路,AD590在温度25(298.2K)时,理想输出为298.2A,实际存在误差,可通过电位器调整,使输出电压满足1mV/K的关系。,AD590典型应用电路(1),电流型温度传感器,7IC温度传感器,电压型集成温度传感器,7IC温度传感器,电压型PTAT集成温度传感器,电路分析:,输出电压正比于绝对温度的集成温度传感器。,输出电压:,具有内部参考电压的温度传感器,特点:“失调电压”小,标定简单,使用方便,电路需要校准,成本高。,数字输出温度传感器,7IC温度传感器,7IC温度传感器,DS1820的工作原理,温度测量电路,DS1820的管脚排列,作业,1.对于掺杂的硅、锗等原子半导体,探讨其迁移率与温度的关系。,2.分析电压型集成温度传感器工作原理(p102)。,3.解释温标。,4.了解其他测温方法。,
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