半导体二极管的结构及特性.ppt

1.2半导体二极管的结构及特性,1.2.1半导体二极管的结构和类型,构成：,PN结+引线+管壳=二极管(Diode),符号：,A,(anode),C,(cathode),分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,第1章半导体二极管,1.2.2二极管的伏安特性,第1章半导体二极管,正向特性,Uth,iD=0,Uth=0.5V,0.2V,(硅管),(锗管),UUth,iD急剧上升,0UUth,UD(on)=0.60.7V,硅管0.7V,0.20.3V,锗管0.2V,反向特性,IS,U(BR),反向击穿,U（BR)U0,iD=IS,0.1A(硅),几十A(锗),UU（BR）,反向电流急剧增大,(反向击穿),反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿：（Zener),反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压6V,正温度系数),击穿电压在6V左右时，温度系数趋近零。,第1章半导体二极管,1.2.3温度对二极管特性的影响,T升高时，,UD(on)以22.5mV/C下降,第1章半导体二极管,