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1,半導體管特性簡介,Date:2001/11/6,PreparedBy:李彭莉,2,半導體的基本特性一.半導體的定義.半導體是一種導電能力介於導體和絕緣體之間,或者說電阻率介於導體與絕緣體之間的物質.如:鍺硅硒及大多數金屬的氧化物,都是半導體.半導體的獨特性能不只在於它的電阻率大小,而且它的電阻率因溫度摻雜和光照會產生顯著變化.利用半導體的特性可制成二极管三极管等多種半導體器件.二.半導體的獨特性能.1)電阻值隨溫度變化敏感,只要有微弱的溫度升高,電阻值就顯著減少;溫度降低,則阻值就增大.利用半導體的這種性能,就可做成熱敏元件.2)半導體受光照射時,可以大大提高導電能力.利用這一特點,可以制成用於自動控制的光電二极管光敏電阻等.3)在純的半導體材料中,加入极懲量的某些雜質(約百万,3,分之一),其導電能力就會成百万倍的提高.這一我是半導體最重要的特性,利用這一我可以制成各種不同性質,不同用途的半導體器件,如各種各樣的半導體管.三.半導體物質的內部結構.半導體材料硅和鍺原子最外層有4個電子,並與相鄰原子組成共价鍵(如圖1所示),4,四.N型半導體和P型半導體.如果在純凈的半導體材料中摻入懲量的雜質.會使半導體的導電性能大大改善.例如,在半導體中摻入少量的五价元素磷,其外層的五個价電子與硅原子的四個价電子組成共价鍵時,就會多出一個電子,這個多出來的電子只受到磷原子核的昅引,不受共价鍵的束縛,因此它受到的束縛力很小,很容易形成自由電子.這種摻入五价元素的半導體,主要靠自由電子導電,叫電子型半導體,簡稱N型半導體.又例如,在半導體中摻入少量的硼,由於硼為三价元素,其最外層的三個价電子與硅原子的四個价電子組成共价鍵時,在共价鍵的結構中便缺少了一個价電子,產生一個空位,即空穴,相鄰硅原子的共价鍵電子就可以過來填補這個空穴,這樣,就可以在硅原子中產生一個空穴,從而使半導體硅中的空穴載流子大大增加.這種摻入三价元素的半導體,主要靠空穴導電,叫空穴型半導體,簡稱P型半導體.圖2為摻入雜質的半導體材料原子結構.,5,圖2.摻入雜質的半導體材料原子結構五.半導體中的電流1)漂移電流.在一塊半導體的兩瑞,如果加上電壓,半導體內便產生了電場.在電場的作用下,半導體內的導電電子和空穴,就以,6,相反方向移動.載流子有規則的移動,就形成了電流,稱為漂移電流.2)擴散電流在半導體內,如果載流子分布不均勻,即使沒有電場的,作用也會發生載流子的移動,形成電流,這就是擴散電流.擴散電流與溫度有關.,7,PN結一.PN結的形成.如果使一塊半導體的一部分是N型的,另一部分是P型的,那么就構成了一個理想的突變結.因為在P區域中有大量的空穴,而在N區域中有大量的電子,形成了載流子的不均勻,因而N區濃度大的載流子就會向P區擴散;而P區濃度大的空穴就會向N區擴散,形成了擴散電流.擴散的結果,使N區的電子減少,在N區一邊就出現了帶正電的原子,即正離子.同樣P區由於空穴減少,會使一邊出現帶負電的負離子.離子質量較大,不會移動.因此,在P區和N區交界處就形成了一個一邊帶正電荷,另一邊帶負電荷的空間電荷區,這就是PN結.如圖3所示.在空間電荷區產生的靜電場稱為內建電場,其電位差稱為勢壘.PN結電場對擴散運動起阻礙作用.隨著擴散的發展,空間電荷區會不斷擴大,內電場也就加強,反過來對,8,擴散的阻力也就愈大.另一方面,在P區除多數載流子空穴外,還有少數載流子電子;在N區除多數載流子電子外,還有少數載流子空穴,在電場作用下也要做漂移運動,形成漂移電流.很明顯,內建電場愈強,漂移運動也愈強.但是在一定的條件下,電場的,9,建立和漂移運動會趨向平衡,使擴散載流子和漂移載流子數量相等,即達到平衡狀態.在一般條件下,鍺PN結的勢壘為0.2V0.4V,硅PN結的勢為0.6V0.8V.二.外加電壓對結PN的影響.1.外加正向電壓的作用.如圖4(a)所示.外加電場削弱了PN結電場E內,破壞了擴散,10,與漂移的平衡,使擴散超過漂移,擴散電流大大增加.這時PN結呈現的電阻很小,處於導通狀態2.外加反向電壓的作用.如圖4樣(b)所示,.外加電場加強了PN結電場E內,它也破壞了擴散與漂移的平衡,使漂移運動增加,而擴散運動更難進行.但是漂移運動是少數載流子運動,所以電流很小.此時PN結所呈現的電阻很大,處於截止狀態.當溫度升高時,反向電流會增加很大,相當於陰擋層擊穿,這叫熱擊穿.一般鍺PN結工作溫度為超過7080,硅PN結工作溫度可過200.反向電壓也不能無限增大.當反向電壓達到某一數值時,會把晶格中的電子拉出來,使反向電流驟增,PN結也就擊穿.了這個電壓叫反向擊穿電壓.,11,二极管特性簡介,12,一.二极管的定義.晶體二极管簡稱“二极管”.它是由一個PN結組成的器件,具有單向導電性能,因此,常用作整流和檢波器件.二极管有兩個電極,接P型半導體的引線叫正极,接N型半導體的引線叫負极.如圖1所示.,圖1.二极管的結構示意圖與符號,二极管按材料分有鍺二极管硅二极管砷化鎵二极管,前二種應用最廣泛.二极管摟用途分有整流二极管檢波二极管開關二极管穩壓二极管變容二极管發光二极管等.二.二极管的特性.二极管的主要特性就是具有單向導電性.圖2.3分別為硅和鍺二极管電壓與電流的關係曲線,稱為伏安特性曲線.,13,14,15,從圖中可知,二极管端電壓UD=0時,ID=0;當UD0后,出現ID.但起始值很小.當UD超過門限電壓(鍺管為時0.2V0.4V,硅管為0.6V0.8V)時,二极管導電,ID便顯著增加,當UDUE,UBUC),集電极-發射极之間的電壓近似為零.截止區和飽和區之間為放大區,.在這個區域里,IC隨IB而變化,而且比IB變化大得多,但與Uce瓣大小基本無關.這正是電流放大作用.同時,在IB=0時,IC不為零,而為某一數值,通常叫它為穿透電流,以ICEO表示.其值受溫度的影響很大.這對工作的穩定很不利.綜上所述,三极管具有兩種作用,即放大區起眷放大作用,而開關作用則是利用截止和飽和狀態.,27,三.半導體三极管的主要參數.,28,29,30,場效應管特性簡介,31,一.場效應管(FET)的定義.場效應管(FET)是一種電壓控制的半導體器件,即管子的電流受控於柵极電壓.場效應管根據結構和工作原理的不同分為絕緣柵型(又稱MOS管或MOSFET)和結型JFET)兩類.與半導體三极管相比,它具有輸入電阻高製造工藝簡單特別適合大規模集成等許多優點,因此在放大器振蕩器及集成電路中得到了廣泛的應用.目前應用最廣泛的是MOSFET.二.MOSFET的基本特性.MOSFET有三個電极,即源极(S)柵极(G)與漏极(D),且分為N-溝道和P-溝道兩種.源極跨在兩個半導體區上,N-溝道管箭頭向左,表示載流子電子從源極出發,P-溝道管箭頭向右表示載流子空穴從源極出發.絕緣柵极有耗盡型和增強型之分,如表1所示,當VGS=0時,源极與漏极之間存在導電溝,32,表1.MOSFET分類,33,的,稱為耗盡型場效應管.如果必須在VGS0的情況下才存在導電溝的,則稱為增強型場效應管.三.MOSFET的基本參數.表2.MOSFET主要參數,34,35,
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