传感器技术光电式传感器

传感器技术光电式传感器1它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。件进一步将光信号转换成电信号。被测信息被测信息敏感元件敏感元件转换元件转换元件信号调理电路信号调理电路输出信息输出信息压电元件压电元件光电传感器光电传感器光电传感器光电传感器一般由一般由光源光源、光学通路光学通路和和光电元件光电元件三部分组成。三部分组成。光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。在检测和控制中应用非常广泛。传感器技术光电式传感器2钨丝通电加热作为光辐射源钨丝通电加热作为光辐射源u 光源（发光器件）光源（发光器件）最为普通，一般白炽灯的辐射光谱是最为普通，一般白炽灯的辐射光谱是连续的连续的发光范围发光范围：可见光外、大量红外线和紫外线，所以任何光敏元件都能：可见光外、大量红外线和紫外线，所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。和它配合接收到光信号。特点特点：寿命短而且发热大、效率低、动态特性差，但对接收光敏元件：寿命短而且发热大、效率低、动态特性差，但对接收光敏元件的光谱特性要求不高，是可取之处。的光谱特性要求不高，是可取之处。 在普通白炽灯基础上制作的发光器件有溴钨灯和碘钨灯，其体积较小，在普通白炽灯基础上制作的发光器件有溴钨灯和碘钨灯，其体积较小，光效高，寿命也较长。光效高，寿命也较长。1 1、钨丝白炽灯、钨丝白炽灯传感器技术光电式传感器32 2、气体放电灯、气体放电灯气体放电灯消耗的能量仅为白炽灯气体放电灯消耗的能量仅为白炽灯1/21/3。如：低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯，是光谱仪器中常用的光源，如：低压汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯，是光谱仪器中常用的光源，统称为光谱灯。统称为光谱灯。定义定义：利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。：利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。例如低压汞灯的辐射波长为例如低压汞灯的辐射波长为254nm，钠灯的辐射波长为，钠灯的辐射波长为589nm，它们经，它们经常用作光电检测仪器的常用作光电检测仪器的单色光源单色光源。如果光谱灯涂以如果光谱灯涂以荧光剂荧光剂，由于光线与涂层材料的作用，荧光剂可以将气，由于光线与涂层材料的作用，荧光剂可以将气体放电谱线转化为体放电谱线转化为更长的波长更长的波长，目前荧光剂的选择范围很广，通过对荧，目前荧光剂的选择范围很广，通过对荧光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的波长，如，照明日光灯。光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的波长，如，照明日光灯。传感器技术光电式传感器43 3、发光二极管、发光二极管LED（Light Emitting Diode）由半导体由半导体PN结构成，其工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重结构成，其工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。量轻，因此获得了广泛的应用。 在半导体在半导体PN结中，结中，P区的空穴由于扩散而移动到区的空穴由于扩散而移动到N区，区，N区的电子则扩散区的电子则扩散到到P区，在区，在PN结处形成势垒，从而抑制了空穴和电子的继续扩散。结处形成势垒，从而抑制了空穴和电子的继续扩散。当当PN结上加有正向电压时，势垒降低，电子由结上加有正向电压时，势垒降低，电子由N区注入到区注入到P区，空穴则由区，空穴则由P区注入到区注入到N区，称为少数载流子注入。所注入到区，称为少数载流子注入。所注入到P区里的电子和区里的电子和P区里的区里的空穴复合，注入到空穴复合，注入到N区里的空穴和区里的空穴和N区里的电子复合，这种复合同时伴随区里的电子复合，这种复合同时伴随着以光子形式放出能量，因而有发光现象。着以光子形式放出能量，因而有发光现象。不同材料发光二极管有不同的光谱特性。不同材料发光二极管有不同的光谱特性。传感器技术光电式传感器54 4、激光器、激光器激光是激光是20世纪世纪60年代出现的最重大科技成就之一，具有高方向性、高单色年代出现的最重大科技成就之一，具有高方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24m到远红外整个光频波段范到远红外整个光频波段范围。围。激光器种类激光器种类繁多，按工作物质分类：繁多，按工作物质分类：u 固体固体激光器（如红宝石激光器）激光器（如红宝石激光器）u 气体气体激光器（如氦激光器（如氦-氖气体激光器、二氧化碳激光器）氖气体激光器、二氧化碳激光器）u 半导体半导体激光器（如砷化镓激光器）激光器（如砷化镓激光器）u 液体液体激光器激光器传感器技术光电式传感器6 外光电效应及其器件外光电效应及其器件 内光电效应及其器件内光电效应及其器件 光生伏特效应及其器件光生伏特效应及其器件光电传感器的物理基础是光电传感器的物理基础是光电效应光电效应。当光照射到某些物质上时，使该物质的。当光照射到某些物质上时，使该物质的电特性发生变化，这种现象就是光电效应。光电效应通常分为电特性发生变化，这种现象就是光电效应。光电效应通常分为外光电效应外光电效应、内光电效应内光电效应和和光生伏特效应光生伏特效应。传感器技术光电式传感器71) 1) 外光电效应及其器件外光电效应及其器件n当光照射到当光照射到金属或金属氧化物金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间，这种现象的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间，这种现象称为外光电效应。称为外光电效应。n即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的现象。现象。n根据外光电效应做出的光电器件有根据外光电效应做出的光电器件有光电管光电管和和光电倍增光电倍增管管。传感器技术光电式传感器8光子是具有能量的粒子，每个光子的能量：光子是具有能量的粒子，每个光子的能量：E=hh普朗克常数，6.62610-34Js；光的频率（s-1）光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速c=2.997931010cm/s，通常通常c31010cm/s。光的波长光的波长和频率和频率的关系为的关系为 =31010cm / s的单位为Hz，的单位为cm。 传感器技术光电式传感器9根据能量守恒定理根据能量守恒定理 式中式中 m电子质量；电子质量；v0电子逸出速度。电子逸出速度。 根据爱因斯坦假设，根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量一个电子只能接受一个光子的能量，所以要使一个电子，所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功光子的能量大于该物体的表面逸出功A，超过部分，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10- -9s。2012hmA该方程称为爱因斯坦光电效应方程该方程称为爱因斯坦光电效应方程。可见：光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。可见：光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。hA01.239hcmAA即入射光波长小于波长限即入射光波长小于波长限01.239mA时才能产生外光电效应时才能产生外光电效应传感器技术光电式传感器10根据外光电效应做出的光电器件有根据外光电效应做出的光电器件有光电管光电管和和光电倍增管光电倍增管。光电管光电管光电管是装有光阴极和阳极的真空玻璃管，其阴极受到适当的光照后发光电管是装有光阴极和阳极的真空玻璃管，其阴极受到适当的光照后发射光电子，这些光电子被具有一定电位的阳极吸引，并在管内形成空间射光电子，这些光电子被具有一定电位的阳极吸引，并在管内形成空间电子流，称为光电流。电子流，称为光电流。此时若光强增大，轰击阴极的光子数增多，单位时间内发射的光电子数此时若光强增大，轰击阴极的光子数增多，单位时间内发射的光电子数也就增多，光电流变大。也就增多，光电流变大。在光电管的外电路上接适当电阻，电阻上的电压降将和管内空间电流成在光电管的外电路上接适当电阻，电阻上的电压降将和管内空间电流成正比，或与照射到光电管阴极上的光有函数关系，从而实现光电转换。正比，或与照射到光电管阴极上的光有函数关系，从而实现光电转换。 传感器技术光电式传感器11光电倍增管光电倍增管光电倍增管主要由光阴极K、倍增极D和阳极A组成。由于真空光电管的灵敏度低，因此人们研制了具有放大光电流能力的由于真空光电管的灵敏度低，因此人们研制了具有放大光电流能力的光电倍增管。光电倍增管。因此，光电倍增管有极高的灵敏度。在输出电流小于因此，光电倍增管有极高的灵敏度。在输出电流小于1mA的情况下的情况下，它的光电特性在很宽的范围内具有良好的线性关系。光电倍增管的，它的光电特性在很宽的范围内具有良好的线性关系。光电倍增管的这个特点，使它多用于微光测量。若将灵敏检流计串接在阳极回路中这个特点，使它多用于微光测量。若将灵敏检流计串接在阳极回路中，则可直接测量阳极输出电流。，则可直接测量阳极输出电流。传感器技术光电式传感器12Siemens原装光电管QRA2 传感器技术光电式传感器132 2）内光电效应及其器件）内光电效应及其器件当光照射在物体上，使物体的导电率发生变化当光照射在物体上，使物体的导电率发生变化叫做内光电效应，它多发生叫做内光电效应，它多发生于于半导体半导体内。内。基于内光电效应的主要有：光敏电阻、光敏晶体管（光敏二极管、光基于内光电效应的主要有：光敏电阻、光敏晶体管（光敏二极管、光敏三极管）敏三极管）传感器技术光电式传感器14光敏电阻光敏电阻 当光敏电阻受到光照时，当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。阻值减小。内光电效应：在光线内光电效应：在光线作用下能使物体的电作用下能使物体的电阻率改变的现象阻率改变的现象. .传感器技术光电式传感器15优点优点：灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量轻、机械强度高，耐冲击、：灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等。耐振动、抗过载能力强和寿命长等。不足不足：需要外部电源，有电流时会发热。：需要外部电源，有电流时会发热。 光敏电阻光敏电阻传感器技术光电式传感器16u 光敏电阻的结构光敏电阻的结构 金属封装的硫化镉光敏电阻结构图ACdS光导电材料绝缘衬底引线电极引线光电导体1234567(a)结构1-光导层; 2-玻璃窗口; 3-金属外壳; 4-电极;5-陶瓷基座; 6-黑色绝缘玻璃; 7-电极引线。由一两边带有金属电极的光电半导体组成，电极与半导体之间呈欧姆接触，由一两边带有金属电极的光电半导体组成，电极与半导体之间呈欧姆接触，使用时在两电极上加直流或交流工作电压。使用时在两电极上加直流或交流工作电压。传感器技术光电式传感器17传感器技术光电式传感器18u 光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数光敏电阻的光敏电阻的暗电阻越大暗电阻越大，而，而亮电阻越小亮电阻越小，则则性能越好性能越好。也就是说，。也就是说，暗电流越暗电流越小小，光电流越大光电流越大，这样的光敏电阻的，这样的光敏电阻的灵敏度越高灵敏度越高。（1 1）暗电流、亮电流、光电流）暗电流、亮电流、光电流暗电流：暗电流：光敏电阻在室温条件下，全暗（无光照射）后经过一定时间测量的光敏电阻在室温条件下，全暗（无光照射）后经过一定时间测量的电阻值，称为电阻值，称为暗电阻暗电阻。此时在给定电压下流过的电流称为。此时在给定电压下流过的电流称为暗电流暗电流。亮电流：亮电流：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻亮电阻。此时流过。此时流过的电流称为的电流称为亮电流亮电流。光电流：光电流：亮电流与暗电流之差亮电流与暗电流之差。实用的光敏电阻的暗电阻往往超过实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1M,甚至高达甚至高达100M，而亮电阻则在几，而亮电阻则在几k以下，暗电阻与亮电阻之比在以下，暗电阻与亮电阻之比在102106之间，可见光敏电阻的灵敏度很高。之间，可见光敏电阻的灵敏度很高。 传感器技术光电式传感器19u 光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数（2 2）光谱响应范围与峰值波长）光谱响应范围与峰值波长光谱响应特性表示光敏电阻对各种单色光的敏感程度。对应于一定敏感程度光谱响应特性表示光敏电阻对各种单色光的敏感程度。对应于一定敏感程度的波长区间称为的波长区间称为光谱响应范围光谱响应范围。对光谱响应最敏感的波长数值称为。对光谱响应最敏感的波长数值称为光谱响应光谱响应峰值波长峰值波长。（3 3）时间常数）时间常数时间常数是指光敏电阻自停止光照起，到电流下降到原来值的时间常数是指光敏电阻自停止光照起，到电流下降到原来值的63%所需的时所需的时间。不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数。间。不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数。传感器技术光电式传感器20l 伏安特性伏安特性l 光照特性光照特性l 光谱特性光谱特性l 频率特性频率特性l 温度特性温度特性u 光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性传感器技术光电式传感器21（1 1） 伏安特性伏安特性 5010015020012U/V02040I/ A在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。图中曲线图中曲线1、2分别表示分别表示照度为零照度为零及及照度为某值照度为某值时的伏安特性。时的伏安特性。由曲线可知：由曲线可知：但是电压不能无限地增大，因为任何光但是电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受敏电阻都受额定功率额定功率、最高工作电压最高工作电压和和额定电流额定电流的限制。超过最高工作电压和的限制。超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。性损坏。照度为零照度为零照度为某值照度为某值在给定偏压下在给定偏压下,光照度越大，光电流也越大。光照度越大，光电流也越大。在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。伏安特性是传感器设计时选择电参数的伏安特性是传感器设计时选择电参数的依据，实际使用时要注意不超过器件的依据，实际使用时要注意不超过器件的允许功耗限。允许功耗限。传感器技术光电式传感器22（2 2）光照特性）光照特性012345I/mA L/lm10002000在一定的外加电压作用下，光敏电阻的光电流与光通量之间的关系。在一定的外加电压作用下，光敏电阻的光电流与光通量之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。因此它不因此它不宜作定量检测元件宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之处。，这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用一般在自动控制系统中用作光电开关。作光电开关。传感器技术光电式传感器23（3 3）光谱特性）光谱特性 204060801000.40.81.21.622.4/m312相对灵敏度1硫化镉（CdS）2硒化镉（CdSe）3硫化铅（PbS）光谱特性与光敏电阻的材料有关光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知，硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在从图中可知，硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。因此，在选用光敏电阻时，红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。因此，在选用光敏电阻时，应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。光敏电阻对不同波长的光，其灵敏度不同，该特性称为光谱特性。光敏电阻对不同波长的光，其灵敏度不同，该特性称为光谱特性。传感器技术光电式传感器24（4 4）频率特性（反映时延特性）频率特性（反映时延特性）当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才能达到稳态值，光当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才能达到稳态值，光照突然消失时，光电流也不立刻为零。这说明光敏电阻有照突然消失时，光电流也不立刻为零。这说明光敏电阻有时延特性时延特性。由于。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不相同。不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不相同。下图给出相对灵敏度与光强变化频率之间的关系曲线，可以看出硫化铅的下图给出相对灵敏度与光强变化频率之间的关系曲线，可以看出硫化铅的使用频率比硫化铊高的多。使用频率比硫化铊高的多。但多数光敏电阻的时延都较大，因此不能用在但多数光敏电阻的时延都较大，因此不能用在要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个缺陷。要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个缺陷。 100806040200101001 00010 000硫化镉硫化铅S /( %)f / Hz常用响应时间来表示器常用响应时间来表示器件动态特性的好坏，响件动态特性的好坏，响应时间越小，动态特性应时间越小，动态特性越好。越好。传感器技术光电式传感器25（5 5）温度特性）温度特性2040608010001.02.03.04.0/mI/mA+20 C-20 C光敏电阻的性能光敏电阻的性能(灵敏度、暗电阻灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。受温度的影响较大。随着温度的升高，其随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下降，同时光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。暗电阻和灵敏度下降，同时光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。有时为为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，红外探测有时为为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。例如，红外探测器往往采取制冷措施器往往采取制冷措施 。传感器技术光电式传感器26 光敏晶体管光敏晶体管广泛应用于光纤通信、红外线遥控器、光电耦合器、控制伺服电广泛应用于光纤通信、红外线遥控器、光电耦合器、控制伺服电机转速的检测、光电读出装置等场合。机转速的检测、光电读出装置等场合。PN光光敏二极管符号光敏二极管的结构与一般二极管相似，其光敏二极管的结构与一般二极管相似，其PN结装在管顶，以便接受光照，结装在管顶，以便接受光照，上面有一个透镜制成的窗口，可使光线集中在敏感面上。上面有一个透镜制成的窗口，可使光线集中在敏感面上。 光敏二极管光敏二极管传感器技术光电式传感器27红外发射、接收对管外形红外发射、接收对管外形 红外发射管红外发射管红外接收管红外接收管传感器技术光电式传感器28当光不照射时，光敏二极管反偏，处于载止状态，这时当光不照射时，光敏二极管反偏，处于载止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流，即成微小的反向电流，即暗电流暗电流；光敏二极管的光电流光敏二极管的光电流 I 与照度之间呈近似线性关系。与照度之间呈近似线性关系。受光照射时，受光照射时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子- -空穴对，从而使空穴对，从而使P区和区和N区的少数载流子浓度大大增加，因此在外加反向偏压和内电场的作用区的少数载流子浓度大大增加，因此在外加反向偏压和内电场的作用下，下， P区的少数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入N区，区， N区的少数载流子渡越阻挡层进区的少数载流子渡越阻挡层进入入P区，从而使通过区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，这就形成了结的反向电流大为增加，这就形成了光电流光电流。光敏二极管的光照特性是近似线性的，所以适合检测等方面的应用。光敏二极管的光照特性是近似线性的，所以适合检测等方面的应用。RL PN光敏二极管接线 光敏二极管在电路中通常工作在反向偏压的状态下。光敏二极管在电路中通常工作在反向偏压的状态下。传感器技术光电式传感器29 光敏二极管的反向偏置接线（及光敏二极管的反向偏置接线（及光电特性演示光电特性演示 在没有光照时，由于二在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。（暗电流）很小。 当当光照增加光照增加时，时，光电流光电流I与与光照度成正比关光照度成正比关系。系。 光敏光敏二极二极管的反向管的反向偏置接法偏置接法光照光照传感器技术光电式传感器30光敏二极管的优点：光敏二极管的优点：线性好，响应速度快，对宽范围波长的光具有较高线性好，响应速度快，对宽范围波长的光具有较高的灵敏度，噪声低，小型轻量以及耐振动和冲击等。的灵敏度，噪声低，小型轻量以及耐振动和冲击等。光敏二极管的缺点：光敏二极管的缺点：输出电流小。输出电流小。 光敏二极管主要参数：光敏二极管主要参数：最高工作电压最高工作电压：是指光敏二极管在无光照条件下，反向漏电流不超过一：是指光敏二极管在无光照条件下，反向漏电流不超过一定值时（一般不超过定值时（一般不超过0.1uA）所能承受的最高反向电压，此值越高，光敏）所能承受的最高反向电压，此值越高，光敏二极管性能越稳定。二极管性能越稳定。暗电流暗电流：是指光敏二极管在无光照时和最高工作电压下通过光敏二极管：是指光敏二极管在无光照时和最高工作电压下通过光敏二极管PN结测得的反向漏电流，暗电流小的光敏二极管工作性能稳定，检测弱结测得的反向漏电流，暗电流小的光敏二极管工作性能稳定，检测弱光信号的能力强。光信号的能力强。光电流光电流：是指光敏二极管在最高工作电压下受一定光照射所产生的电流，：是指光敏二极管在最高工作电压下受一定光照射所产生的电流，一般希望此值越大越好。一般希望此值越大越好。传感器技术光电式传感器31 光敏三极管光敏三极管光敏三极管（晶体管）是光电传感器中光敏三极管（晶体管）是光电传感器中响应特性良好响应特性良好、测量范围最广测量范围最广、利用利用价值最高价值最高的一种传感器。的一种传感器。其结构与一般三极管很相似，具有电流增益，且其基极不接引线（少数基极其结构与一般三极管很相似，具有电流增益，且其基极不接引线（少数基极有引线）。有引线）。当集电极加上正电压（当集电极加上正电压（ NPN型），基极开路时，集电极处于型），基极开路时，集电极处于反向偏置反向偏置状态。状态。当光线照射在当光线照射在PN结附近时，会产生电子结附近时，会产生电子-空穴对，在内电场的作用下，便会有空穴对，在内电场的作用下，便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，大量的电子流向集电极，形成输出电流，PPNNNPe b bc RL Eec由于光照射集电结产生的光电流相当于一般三极管的集电极电流，因此集电极由于光照射集电结产生的光电流相当于一般三极管的集电极电流，因此集电极电流为光电流的电流为光电流的倍，从而使光敏三极管具有比二极管更高的灵敏度。倍，从而使光敏三极管具有比二极管更高的灵敏度。传感器技术光电式传感器32光敏三极管的检测方法如下：光敏三极管的检测方法如下：光敏晶体管与光敏二极管外壳形状基本相同，管脚较长的是发射极，另一管光敏晶体管与光敏二极管外壳形状基本相同，管脚较长的是发射极，另一管脚是集电极。脚是集电极。判别时，用黑布遮住窗口，选用万用表判别时，用黑布遮住窗口，选用万用表R*1k档，测两管脚引线间正反向电档，测两管脚引线间正反向电阻，均为无限大的为光敏三极管。阻，均为无限大的为光敏三极管。拿走黑布，万用表指针向右偏转至拿走黑布，万用表指针向右偏转至15k欧欧35k欧，偏转角度越大说明其灵欧，偏转角度越大说明其灵敏度越高。敏度越高。传感器技术光电式传感器33 光敏管的基本特性光敏管的基本特性l 伏安特性伏安特性l 光照特性光照特性l 光谱特性光谱特性l 频率特性频率特性l 温度特性温度特性传感器技术光电式传感器34（1 1）伏安特性）伏安特性光敏二（三）极管的伏安特性曲线如图所示。光敏二（三）极管的伏安特性曲线如图所示。只要将入射产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体只要将入射产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体管。管。光敏三极管的光电流比相同管型的二极管的光电流大上百倍。光敏三极管的光电流比相同管型的二极管的光电流大上百倍。传感器技术光电式传感器35（2 2）光照特性）光照特性 光敏二（三）极管的光照特性如图所示。它给出了输出电流光敏二（三）极管的光照特性如图所示。它给出了输出电流 I 和照度之间的和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。关系。它们之间呈现了近似线性关系。光敏三极管当光照足够大光敏三极管当光照足够大(几几Klx)时，将会出现饱和现象，从而使光敏三极管时，将会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关元件。既可作线性转换元件，也可作开关元件。光敏二极管的光照特性曲线的线性较好。光敏二极管的光照特性曲线的线性较好。传感器技术光电式传感器36（3 3）光谱特性）光谱特性（两者相同）（两者相同）光敏二（三）极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，光敏二（三）极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的相对灵敏度要下降。因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。当入射光的波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，波长缩短时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，并且在表面激发的电子空穴对不能到达并且在表面激发的电子空穴对不能到达PN结，因而使相对灵敏度下降。结，因而使相对灵敏度下降。故在可见光或探测赤热状故在可见光或探测赤热状态物体时，一般选用硅管；态物体时，一般选用硅管；但对红外线进行探测时但对红外线进行探测时,则则采用锗管较合适。采用锗管较合适。在照度一定时，输出的光电流（或相对光谱灵敏度）随光波波长的变化而变在照度一定时，输出的光电流（或相对光谱灵敏度）随光波波长的变化而变化，这就是光敏管的光谱特性。化，这就是光敏管的光谱特性。传感器技术光电式传感器37（4 4）频率特性）频率特性光敏管的频率特性与本身光敏管的频率特性与本身的物理结构、工作状态、的物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因负载以及入射光波长等因素有关。素有关。硅光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的频率特性受负载电硅光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应，但同时却使输出降低。阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应，但同时却使输出降低。一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差，光敏三极管的响应时一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差，光敏三极管的响应时间为间为210-5s，光敏二极管的响应时间为比它小一个数量级，光敏二极管的响应时间为比它小一个数量级 。对于锗管，。对于锗管，入射光的调制频率要求在入射光的调制频率要求在5kHz以下。硅管的频率响应要比锗管好，响应时以下。硅管的频率响应要比锗管好，响应时间要小一个数量级。间要小一个数量级。传感器技术光电式传感器38（5 5）温度特性）温度特性温度特性曲线反映的是光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。温度特性曲线反映的是光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响较小，而对暗电流的影响很从特性曲线可以看出，温度变化对光电流的影响较小，而对暗电流的影响很大光敏管的暗电流是一种噪声电流。大光敏管的暗电流是一种噪声电流。减小方法：减小方法：1. 选用硅光敏管，因为硅管的暗电流比锗管小几个数量级；选用硅光敏管，因为硅管的暗电流比锗管小几个数量级；2. 电电路中采用温度补偿措施；路中采用温度补偿措施；3.将光信号进行调制，对输出的电信号采用交流放将光信号进行调制，对输出的电信号采用交流放大，利用电路中隔直电容的作用，阻断暗电流。大，利用电路中隔直电容的作用，阻断暗电流。传感器技术光电式传感器39光敏二极管的应用光敏二极管的应用1. 光电控制电路光电控制电路如右图，一个路灯的自动控制电路。从图可知，在无光照射时，光敏二极如右图，一个路灯的自动控制电路。从图可知，在无光照射时，光敏二极管（反向）截止，电阻管（反向）截止，电阻R1上的压降上的压降VA很小，则晶体管很小，则晶体管T1截止，截止，T2截止，继截止，继电器电器J不动作，路灯保持亮。有光照时，光敏管产生光电流不动作，路灯保持亮。有光照时，光敏管产生光电流IL，R1电压升高，电压升高，VA上升，光强达到某一值时上升，光强达到某一值时T1导通，导通，T2导通，导通，J动作，常闭端打开，使路灯动作，常闭端打开，使路灯灭。即白天灯灭，晚上灯亮，实现了自动控制的作用。灭。即白天灯灭，晚上灯亮，实现了自动控制的作用。传感器技术光电式传感器402. 光强测量电路光强测量电路右图为稳压管、光敏二极管和电桥组成的测量电路。无光照时，右图为稳压管、光敏二极管和电桥组成的测量电路。无光照时，VA很大，很大，FET导通，调整导通，调整RW，使电桥平衡，即指针为，使电桥平衡，即指针为0。有光照时，光敏管产生。有光照时，光敏管产生IL，A点电位点电位VA下降，下降，R2上电流下降，上电流下降，VB减小，光照不同，减小，光照不同，IL不同，不同，VA不同，不同，R2上压降不同，光强可以通过电流计读数显示出来。上压降不同，光强可以通过电流计读数显示出来。传感器技术光电式传感器41光敏三极管的应用光敏三极管的应用1. 脉冲编码器脉冲编码器Vi为为24V电源电压，电源电压，V0为输出电压，为输出电压，N为光栅转盘上的总的光栅辐条数，为光栅转盘上的总的光栅辐条数，R1和和R2为限流电阻器，而为限流电阻器，而A和和B则分别是发光二极管和光敏三极管。则分别是发光二极管和光敏三极管。所以，在转轴转动一圈的时间内，接收端将接收到所以，在转轴转动一圈的时间内，接收端将接收到N个光信号，从而在个光信号，从而在其输出端输出其输出端输出N个电脉冲信号。个电脉冲信号。由此可知，脉冲编码器输出的电信号由此可知，脉冲编码器输出的电信号V0的频率的频率f是由转轴的转速是由转轴的转速n确定的。确定的。于是有：于是有： ，上式决定了脉冲编码器输出信号的频率，上式决定了脉冲编码器输出信号的频率f与转轴与转轴的转速之间的关系。的转速之间的关系。/60fnN传感器技术光电式传感器422. 光电转速传感器光电转速传感器图图a是透光式，在待测转速轴上固定一带孔的调置盘，在调置盘一边由是透光式，在待测转速轴上固定一带孔的调置盘，在调置盘一边由白识灯产生恒定光，透过盘上的小孔到达光敏二极管组成光电转换器上，白识灯产生恒定光，透过盘上的小孔到达光敏二极管组成光电转换器上，转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转转换成相应的电脉冲信号，经过放大整形电路输出整齐的脉冲信号，转速通过该脉冲频率测定。速通过该脉冲频率测定。图图b是反光式，在待测转速的盘上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，是反光式，在待测转速的盘上固定一个涂上黑白相间条纹的圆盘，它们具有不同的反射信号，转换成电脉冲信号。它们具有不同的反射信号，转换成电脉冲信号。传感器技术光电式传感器43光电转换电路如下图所示。光电转换电路如下图所示。BG1为光敏三极管，当光线照射为光敏三极管，当光线照射BG1时，产生时，产生光电流，使光电流，使R1上压降增大，导致晶体管上压降增大，导致晶体管BG2导通，触发由晶体管导通，触发由晶体管BG3和和BG4组成的射极耦合触发器，使组成的射极耦合触发器，使U0为高电位。反之为高电位。反之U0为低电位。该脉冲为低电位。该脉冲信号信号U可送到计数电路计数。可送到计数电路计数。每分钟转速每分钟转速n与脉冲频率与脉冲频率f的关系式为：的关系式为：频率可用一般的频率计测量。光电元件多采用光电池、光敏二极管和光敏频率可用一般的频率计测量。光电元件多采用光电池、光敏二极管和光敏三极管以提高寿命、减小体积、减小功耗和提高可靠性。三极管以提高寿命、减小体积、减小功耗和提高可靠性。式中式中N为孔数或黑白条纹数目。为孔数或黑白条纹数目。60Nfn传感器技术光电式传感器44 3 3） 光生伏特效应及其器件光生伏特效应及其器件 在光线作用下能够在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势使物体产生一定方向的电动势的现象叫做的现象叫做光生伏特效应光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池。基于该效应的光电器件有光电池。传感器技术光电式传感器45光电池光电池 l 硅光电池硅光电池价格便宜，价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光转换效率高，寿命长，适于接受红外光。l 硒光电池硒光电池光电转换效率低光电转换效率低(0.02)、寿命短，适于接收可见光、寿命短，适于接收可见光(响应峰值响应峰值波长波长0.56m)，最适宜制造照度计。，最适宜制造照度计。l 砷化镓光电池砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太阳光谱最转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性则与太阳光谱最吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它在宇宙飞船、吻合。且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源方面的应用是有发展前途的。卫星、太空探测器等电源方面的应用是有发展前途的。光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。由于它可把太阳能。由于它可把太阳能直接变电能，因此又称为直接变电能，因此又称为太阳能电池太阳能电池。它是基于光生伏特效应制成的，是发。它是基于光生伏特效应制成的，是发电式有源元件。它有较大面积的电式有源元件。它有较大面积的PN结，当光照射在结，当光照射在PN结上时，在结的两端结上时，在结的两端出现电动势。出现电动势。命名方式：命名方式：把光电池的半导体材料的名称冠于光电池把光电池的半导体材料的名称冠于光电池(或太阳能电池或太阳能电池)之前。之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前，应用最广、最有发展前如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前，应用最广、最有发展前途的是途的是硅光电池硅光电池。传感器技术光电式传感器46光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。IU(a)(b)图 光电池符号和基本工作电路传感器技术光电式传感器47光电池光电池外形外形光敏面光敏面光生伏特效应：在光线的作用下光生伏特效应：在光线的作用下, ,物体产生一定方向物体产生一定方向电动势的现象电动势的现象. .传感器技术光电式传感器48能提供较大电流的大能提供较大电流的大面积光电池面积光电池外形外形传感器技术光电式传感器49 4 4） 新型光电器件（主要为光敏二极管）新型光电器件（主要为光敏二极管）高速光电二极管高速光电二极管：主要用于光纤通信和光电自动控制：主要用于光纤通信和光电自动控制的快速接受器件。的快速接受器件。u PIN PIN结光电二极管结光电二极管u 雪崩式光电二极管雪崩式光电二极管色敏光电传感器色敏光电传感器：用来直接测量从可见光到红外光波：用来直接测量从可见光到红外光波段内的单色辐射的波长（原检测在一定波长范围内的段内的单色辐射的波长（原检测在一定波长范围内的光的强度）（如光的强度）（如CS-1CS-1型）型）光位置传感器（光位置传感器（PSDPSD）：用于机器人的眼睛及其它位：用于机器人的眼睛及其它位置检测置检测传感器技术光电式传感器50光电式传感器具有结构简单、隔离性能好、可靠性高、体积小、重量轻、光电式传感器具有结构简单、隔离性能好、可靠性高、体积小、重量轻、价格低廉、灵敏度高和反应快等优点。在自动化、检测技术领域应用广泛。价格低廉、灵敏度高和反应快等优点。在自动化、检测技术领域应用广泛。传感器技术光电式传感器51n光电传感器的分类光电传感器的分类传感器技术光电式传感器52n1）模拟式光电传感器传感器技术光电式传感器53传感器技术光电式传感器54传感器技术光电式传感器55传感器技术光电式传感器56平行平行光源光源光电光电探测探测放大放大显示显示刻度刻度 校正校正报警器报警器吸收式烟尘浊度检测系统原理图吸收式烟尘浊度检测系统原理图烟道烟道传感器技术光电式传感器57传感器技术光电式传感器58在自动计数、光控开关、光电编码器、光电报警装置及其在自动计数、光控开关、光电编码器、光电报警装置及其它光电输入设备场合有广泛的应用。它光电输入设备场合有广泛的应用。n2）开关式光电传感器传感器技术光电式传感器59R1R2信号处信号处理系统理系统光电计数器光电计数器传感器技术光电式传感器60总总 结结n 光电式传感器光电式传感器：1.掌握光电效应分类及各分类主要光电器件；掌握光电效应分类及各分类主要光电器件；2.了解光电传感器的应用了解光电传感器的应用