氟化类金 刚石薄膜疏水性能研究

凝聚态物理专业毕业论文 精品论文 氟化类金刚石薄膜疏水性能研究关键词：磁控溅射 氟化类金刚石薄膜 射频功率 流量比 疏水性能摘要：以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。正文内容 以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC薄膜表面的最大水接触角可达1150左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面AFM图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2对称伸缩振动与CF2反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。特别提醒：正文内容由PDF文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 。如还不能显示，可以联系我q q 1627550258 ，提供原格式文档。 垐垯櫃换烫梯葺铑?endstreamendobj2x滌?U閩AZ箾FTP鈦X飼?狛P?燚?琯嫼b?袍*甒?颙嫯?4)=r宵?i?j彺帖B3锝檡骹笪yLrQ#?0鯖l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛渓?擗#?#綫G刿#K芿$?7.耟?Wa癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb皗E|?pDb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$F?責鯻0橔C,f薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵秾腵薍秾腵%?秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍G?螪t俐猻覎?烰:X=勢)趯飥?媂s劂/x?矓w豒庘q?唙?鄰爖媧A|Q趗擓蒚?緱鳝嗷P?笄nf(鱂匧叺9就菹$