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電子學第 4 章答案及詳解再最後面_選擇題 共216題( (共0分) )()1.電晶體的共基極電流放大率與共射極電流放大率兩者之間的關係為：: 一 ：:1J (A):1(B)：(C)：-1(D)1-:()2. 一電晶體若射極電流IE=35mA，基極電流IB=50从，則集極電流Ic為多少？(A)4mA (B)3.55mA (C)3.45mA (D)3mA()3.若電晶體位於截止區(Cutoff Region)，則各接面的偏壓特性為何？(A)EB 接面順偏、CB 接面順偏(B)EB 接面順偏、CB 接面逆偏(C)EB 接面逆偏、CB 接面順偏(D)EB 接面逆偏、CB 接面逆偏()4.電晶體：值由 49 變化至 99,則值由(A)0.98 增至 0.985(B)0.49 增至 0.99(C)0.98增至 0.99(D)0.99增至 0.995()5. NPN 電晶體工作於主動區(active region)時，有關基極電流IB的敘述,下列何者正確？(A)只有多數載子電子流(B)只有多數載子電洞流(C)含多數載子電子流及少數載子電洞流兩種(D)含多數載子電洞流及少數載子電子流兩種()6.某電晶體工作於線性區中，若IC=0.98mA流的影響，則下列敘述何者錯誤?()7.某 NPN 電晶體電路，測得厂.5mA,I厂2mA，若已知集極飽和電流Ic(sat2mA，則下列敘述何者錯誤？(人厂二40(B)I2.05mA(C)電路工作於飽和區(D)若增加IB電流，故電晶體工作於飽和區I20lA，忽略逆向漏電(A)IE= 1mA(B)：- 0.98(C) 一98(D)二50()8. 1N4148 是下列何種元件？(A)二極體(B)電晶體(C)場效電晶體 FET (D)UJT()9.電晶體位於飽和區時，下列各極間偏壓狀況何者正確？(A)BE 順偏，CB 反偏 (B)BE 反偏，CB 反偏 (C)BE 反偏，CB 順 偏 (D)BE順偏，CB 順偏()10.使用三用電表 RX0 檔測量某電晶體，若紅棒固定一腳不動，移動黑棒 測量另兩支接腳，電表指示皆為低電阻值，則可以判斷紅棒所接腳位名稱 及電晶體型式為何？(A)基極 B, NPN(B)基極 B，PNP (C)射極 E, NPN (D)射極 E，PNP()11.有關電晶體之漏電流及耐壓的敘述，下列何者錯誤？(D)ICBO = I CO)12.於工作區工作之共射極電晶體放大器，若(A)302(B)299(C)298(D)301)13.編號 2SC945 的電晶體為下列那一種用途及型態的元件(A)高頻用 NPN 型(B)低頻用 NPN 型(C)高頻用 PNP 型(D) 低頻用 PNP 型()14.某電晶體放大電路，基極電流IB=5从，集極電流IC=2mA，已知電晶體 值為 100，且忽略逆向電流，則此電晶體工作於何種模式？(A)主動區(B)截止區(C)飽和區(D)反主動區()15.有一電晶體工作於主動區，若B= 99,射極電流IE=2mA，若忽略逆向飽和電流值，則基極電流IB為(A)1.98mA(B)0.04mA(C)0.02mA(D)0.01mA()16.某電晶體電路，其基極電流IB=5从，若電子由射極出發而成功抵達集極的比率為 95%，試求參數a值與B值各為多少？(A)0.95，20(B)0.95，19(C)0.952，20(D)0.952，19()17.雙載子電晶體的三個半導體區域濃度最高者為(A)射極(B)基極(C)集極(D)源極(A)ICEO = )ICBO(B)VCEOVCBO(C)VCBOVEBO2a b則應為Vc=6V VB=2.7V()18.某 NPN 電晶體電路，電晶體各點電壓分別為VE=2V，則此電晶體工作區域為何？(A)主動區(B)截止區(C)飽和區(D)反主動區()19.下列有關雙極性電晶體特性的描述，何者錯誤？(A)電晶體操作在作用(active)區時，射極(E)-基極(B)接面為順向 偏壓，集極(C)-基極(B)接面為逆向偏壓(B)電晶體操作在飽和(saturation)區時，射極(E)-基極(B)接面為逆向偏壓，集極(C)- 基極(B)接面為逆向偏壓(C)一般電晶體放大器之輸入阻抗：共基極(CB)v共射極(CE)v共集極(CC)(D)一般電晶體放大器之輸出阻抗：共集極(CC)v共射極(CE)v共基極(CB)()20.有關雙極性電晶體的特性敘述，下列何者錯誤？(A)依其結合方式，可以分成 NPN 與 PNP 兩種結構(B)NPN 型電晶體 之射極為高摻雜之 N 型半導體 (C)PNP 型電晶體之射極為低摻雜之 P 型半導體(D)電晶體集極電流含有多數載子流及少數載子流兩種成份()21.下列關於 BJT 的敘述，何者錯誤？(A)對 NPN 而言，操作於主動區時，IC八1B(B)對 PNP 而言，操作於飽和區時，IE=IBC(C)在飽和區模式下，IB(D)在截止區模式下，ICCB。()22.某一電晶體偏壓電路，測得IB=0.2mA、IC=1mA，若已知。，則電晶體之工作區域為何？(A)主動區(B)截止區(C)飽和區(D)無法判斷()23.有一電晶體電路，偏壓於工作區，測得1厂.3mA,IE= 3mA，則此電晶體的-參數為多少？(A).1(B)0.99(C)1(D)11()24.要將電晶體當作小信號的線性放大器，電晶體必須施加適當的偏壓，使 工作點落在(A)截止區(B)崩潰區(C)作用區(D)飽和區()25.下列有關 BJT 電晶體之敘述何者錯誤？(A)為電流控制元件(B)BJT 當線性放大器使用時是工作於飽和區或截止區(C)BJT 在作用區的偏壓方式是 BE 接面順向偏壓，BC 接面逆向偏壓(D)BJT 在飽和區集極電流達到最大()26.共射極組態雙極性電晶體作為開關使用，當導通時，此電晶體之工作區域為何？(A)歐姆區(B)作用區(C)截止區(D)飽和區()27.下列敘述何者正確?(A)電晶體開關 ON 時VCE=Vcc(B)電晶體開關 OFF 時VCE二0VI I i(C)電晶體工作於飽和時BC(sat)(D)電晶體開關 ON 工作於截止區()28.在不考慮漏電流的情況下，下列有關雙極性電晶體的敘述，何者正確?()29.有關三種組態放大電路的比較，下列敘述何者正確？(A)共基極(CB)電路的高頻響應最差(B)共射極(CE)電路的電壓增益最大(C)共集極(CC)電路的電流增益最大(D)三種組態的輸入阻抗皆很小，以避免負載效應()30.某 NPN 電晶體偏壓電路操作於飽和區(saturation regior)模式下，則此 NPN 電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE()31.共射極電晶體電路中，若射極電流為 5mA，基極電流為 0.1mA，則此 電路的電流增益為(A)49(B)50(C)51(D)52()32.某放大電路中，電晶體工作於作用區，且其a=0.98,基極電流IB=0.04mA，則射極電流為多少？(A)0.1mA (B)2mA (C)3.8mA (D)5mA()33.下列對電晶體工作在飽和區時之敘述，何者正確？(A)基極與射極接面逆偏，基極與集極接面逆偏(B)基極與射極接面順偏，基極與集極接面逆偏(C)基極與射極接面逆偏，基極與集極接面順偏(D)基極與射極接面順偏，基極與集極接面順偏()34.在雙極性電晶體的共射極組態中，作用區常被用來放大信號，主要是因 為在該區有何特性？(A)IC與IB無關(B)輸入阻抗極高(C)電晶體輸出電流對輸入電流(A)IC(C)IE=(iBp(D)反應極為靈敏(D)IC約等於丨CBO()35.若電晶體操作於作用區(主動區)模式下，則電晶體E、B、C 三端之電壓大小的關係為何？(電晶體為 NPN 型)(A)VEVBVC(B)VCVEVB(C)VBVCVE()36.兼具電壓與電流放大作用的電晶體放大器是(A)共基極組態(B)共射極組態(C)共集極組態(D)達靈頓組態()37.雙極性接面電晶體(BJT)在作用區時(A)BE 接面是逆向偏壓，而 BC 接面是順向偏壓(B)BE 與 BC 接面都是順向偏壓 (C)BE 與 BC 接面都是逆向偏壓(D)BE 接面是順向偏壓，而 BC 接面是逆向偏壓()38.電晶體是(A)電流控制元件的主動元件(B)電壓控制元件的主動元件(C)電流控制元件的被動元件(D)電壓控制元件的被動元件()39.電晶體的三種組態放大電路，其輸出阻抗的大小為(A)CC CE CB (B)CB CC CE (C)CE CB CC (D)CB CE CC()40.電晶體若欲工作在飽和區則(A)基射接面需順偏，基集接面需反偏(B)基射接面需順偏，基集接面需順偏(C)基射接面需反偏，基集接面需順偏(D)基射接面需反偏，基集接面需反偏()41.逆向飽和電流ICBO與ICEO的關係，下列何者正確？ICBOICEO -.(D)1- :()42. 一般雙極性接面電晶體(BJT)的摻雜濃度大小依序為：(A)BCE(B)BEC(C)ECB(D)EBC()43.電晶體的放大電路中，何種組態的電壓增益可能為一25？(A)共基極(B)共集極(C)共射極(D)以上皆非()44.下列哪一種元件是靠單一種載子來傳送電流？(A)FET (B)BJT (C)二極體 (D)SCR()45.已知 NPN 電晶體放大電路之IB=10A時，Ic=1mA，IB=50A時,(D)VCVBVE(A)1CBO二(1 JICE。(B)1CE。二-ICBOICBO(C)ICEO1 -:IC=2mA，求此電晶體電路之電流增益B為多少？(A)25(B)40(C)100(D)200()46.電晶體作為線性放大器，其操作偏壓之區域為(A)飽和區(B)截止區(C)主動區(D)反主動區()47.已知某電晶體之共基極(CB)電流增益 由 0.99 變為 0.98,若此電晶體 基極電流IB=0.02mA，請問下列敘述何者錯誤？(A)共射極(CE)電流增益B將會增加(B)射極電流由 2mA 降為 1mA(C)集極電流由 1.98mA 降為 0.98mA(D)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流()48.某一電晶體之射極電流由 2mA 改變為 2.3mA 時，集極電流由 1.95mA改變為 2.22mA，則此電晶體之a值為(A)1.25(B)1.00(C)0.9(D)0.8()49.如下圖所示電路，VCE(sat)可忽略，若二20，發光二極體之VD=2V，求電流ID二？(A)1.4mA(B)13mA(C)15mA(D)28mA15V()50.電晶體放大電路組態(CE、CB、CC)的功率增益依序為(A)CC CB CE (B)CE CB CC (C)CB CC CE (D)CC CE CB()51.下列關於 BJT 的敘述，何者錯誤？1kV(A)對 NPN 而言，操作於工作區時，VCVBVE(B)對 PNP 而言，操作於飽和區時，VEVBVC(C)B值隨溫度上升而增加(D)共射極放大器具有最大電壓增益與電流增益乘積()52.有一電晶體，其共射極(CE)電流增益由 99 變為 49,若此電晶體基極電流I0.02mA，則下列敘述何者錯誤？(A)共基極(CB )電流增益a由 0.99 變為 0.98 (B)集極電流由 1.98mA 變為0.98mA (C)射極電流由 2mA 變為 1mA(D)若要維持原來的集極電流，可減少基極電流()53.於工作區工作之共射極電晶體放大器，若IB=.05mA,IE=5.05mA,B應為(A)100(B)125(C)150(D)200()54.有一電晶體之集極電流IC為 4.9mA，射極電流IE為 5.0mA，則此電晶體之值為(A)29(B)39(C)49(D)50)55.選出三種放大組態正確的輸出阻抗大小順序?(A)CBCECC (B)CBCCCE(D)CCCECB(D)500mA()57.下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述何者不正確？(A)共集極之輸入阻抗最高(B)共射極之功率增率最高(C)共基極之輸出阻抗最低(D)共射極為反相放大()58. NPN 型電晶體交換速度比 PNP 型快的主要原因為何？(A)NPN 型為單載子，載子為電子(B)NPN 型為單載子，載子為電洞(C)NPN 型為雙載子，多數載子為電子(D)NPN 型為隻載子，多數載子為電洞(C)CECCCB)56.如圖所示，若電晶體的B值為 100,則使電晶體處於飽和狀態的最小丨B約為多少?(B)0.5mA (C)5mA()59.電晶體使用於放大電路時，應處於(A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)飽和區與截止區()60.某一電晶體工作在主動區內，若其B值為49,射極電流】=2mA，且忽略所有逆向電流，則基極電流IB為(A)1.96mA(B)0.98mA(C)0.04mA(D)0.01mA()61.共基極放大電路工作在主動區 (active region),當基極電流由 20 卩 A 增 加至 30卩 A 時,射極電流由 0.5mA 增加至 1.0mA,求電晶體B值為多少？(A)49(B)50(C)99(D)100()62.若電晶體a值為 0.98，若改接成共射極時，其電流放大因數B為(A)20(B)35(C)49(D)98()63.當電晶體欲作為線性放大器使用時，須工作於(A)飽和區(Saturation Region)(B)作用區(Active Region)(C)截止區(Cutoff Region)(D)空乏區(Depletion Region)()64. 一共基極放大器若其a值變化 0.990.995,則B值之變化為(A)49 99(B)69 99(C)99 199(D)99 159()65.有關雙極性電晶體之特性及結構敘述，下列何者誤？(A)依結合方式，可分成 NPN 與 PNP 兩種(B)摻雜濃度由高而低，依 序為射極、集極、基極(C)NPN 交換速度比 PNP 快 (D)PNP 型射極的多數載子為電洞，少數載子為電子()66.對於電晶體的三種基本組態而言，下列敘述何者錯誤？(A)共射極組態功率增益最大(B)共基極組態中輸出與輸入信號相位180 (C)共集極組態常作為阻抗匹配之用(D)共集極組態電壓增益約為 1()67.某一電晶體電路，當IB由 20 卩 A 變動至 30 卩 A 時，IC由 1mA 變動至2mA，已知集極飽和電流lc(sat广5mA，求|B為 60 卩 A 時之IC為多少？(A)4mA (B)5mA (C)6mA (D)7mA()68.有一電晶體，若值由 49 增至 99,則值的變化率約為何？(A)1%(B)2%(C)50%(D)100%()69.若 PNP 電晶體操作於工作區(active region)模式下，則此 PNP 電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VC乂 乂(D)VCVBVE()70.在數位電路中，要將電晶體當成開關使用，則此電晶體必須工作於那兩區？(A)作用區與截止區(B)作用區與崩潰區(C)飽和區與逆電阻區(D)飽和區與截止區()71.某一電晶體之B值為 100,適當偏壓於作用區，測得I2.02mA，則此電晶體的IC電流值為多少？(A)1.98mA(B)2.0mA(C)2.02mA(D)2.04mA()72. NPN 電晶體在飽和區工作時，基極、射極和集極之間電壓關係為(D)VBE0 VBC0()73.電晶體的放大電路中，何種敘述有誤？(A)共基極高頻響應最好(B)共集極適合做為低輸出阻抗電源與高阻抗負載間的阻抗匹配(C)共射極是唯一輸出與輸入反相的電路(D)為雙載子元件()74.某一電晶體偏壓電路，測得订.02mA、IC=1mA，若已知一100，求此電晶體之射極電流IE為多少?(A)0.98mA(B)1.02mA (C)2mA (D)2.02mA()75.如下圖所示，若RB將改為 500kQ，則最大集極電流1 C(max)約為多少?(B)5.5mA(C)6.5mA(D)7.5mA(A)VBEVBC龙0(B)VBE：: 0VBC0(C)VBE0VBC0(A)4.5mAVCC-20.7ViC(mA )76.下列何者不是 NPN 型電晶體的編號?(A)CS9013 (B)TIP41 (C)CS9012(D)2N3569()77.下列有關電晶體(BJT)之敘述何者錯誤？(A)BJT 當開關使用時是工作於飽和區(Saturation Region)或截止區 (CutoffRegion)(B)BJT 在作用區(Active Region)的偏壓方式是BE 接面順向偏壓、BC 接面逆向偏壓(C)BJT 為電流控制元件(D)BJT 在飽和區(Saturation Region)的偏壓方式是 BE 接面逆向偏壓， BC接面逆向偏壓()78.若一電晶體的ICBO值為 10nA,而其ICEO值為 1 卩 A，則此電晶體的B值 約為(A)100(B)1(C)50(D)10()79. 一般電晶體之B值，會隨溫度的升高而(A)增加(B)減少(C)不變(D)不一定()80.電晶體的共射極電流增益為：， 共基極電流增益為?， 則下列何者為 正確的關係式？)81.如下圖所示電路，欲使電晶體操作於飽和區，則電晶體之最小：值為多少？(A)30(B)60(C)90(D)10015V1k1.157V 2衆)82.在不考慮漏電流之關係時，下列有關BJT 之描述何者錯誤？p = J(A)IC八B(B)1：(C)ICIB(D)ICIE)83.若電晶體的電流IB，則電晶體工作於(A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區)84.編號 2SD261 的電晶體為下列哪一種用途及型態的元件？(A)高頻用 NPN 型(B)低頻 NPN 型(C)高頻用 PNP 型(D)低頻10(A)1-(B)1:(C)1 _1 :(D)用 PNP 型()85.功率電晶體其外殼的金屬，一般都與電晶體本身的哪一極相連以便散熱？(A)射極(B)基極(C)集極(D)閘極()86.下列關於電晶體的敘述，何者正確？(A)電晶體內傳導的電流是由電子移動所形成(B)PNP 型電晶體的多數載子是電子(C)雜質濃度為射極高於集極(D)電晶體是一個單載子元件()87.某電晶體電路，電流分量IB=2从，IEmA，則下列何者錯誤？()88.若電晶體工作於飽和區，則電壓特性為(A)射極接面順偏，集極接面順偏(B)射極接面順偏，集極接面逆偏(C)射極接面逆偏，集極接面逆偏(D)射極接面逆偏，集極接面順偏()89.已知某電晶體之共基極(CB)電流增益由 0.99 變為 0.96,若此電晶體基極電流10.02mA，則下列敘述何者錯誤?(A)共射極(CE)電流增益將變為 24(B)射極電流由 2mA 降為0.5mA(C)集極電流由 1.98mA 降為 0.98mA(D)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流()90.下列那一個不是射極隨耦器的特徵？(A)高電流增益(B)高電壓增益(C)高輸入阻抗(D)低輸出阻抗()91.若電晶體a之值為 0.98,則其B值應為(A)88(B)49(C)66(D)99()92.某電晶體由實驗得知IB=25微安培(卩 A )，IC=3毫安培(mA )，VCE可 0 伏特，則此電晶體的a值應為(A)0.92(B)0.964(C)0.985(D)0.992()93.某一電晶體之射極電流由 2mA 改變為 2.3mA 時，集極電流由 1.95mA 改變為2.19mA，則此電晶體之a值為(A)1.25(B)1.00(C)0.9(D)0.8(A)IC= 0.98mA(B)二=.98(C) 一50(D)()94.某電晶體電路，已知集極飽和電流“厂2mA，若1厂30弘，二100，則集極電流IC為多少？(A)2mA (B)3mA (C)2.03mA(D)3.03mA()95.電晶體編號 2N3055 中的2N代表(A)2 安培的耐流(B)2 個接合面(C)生產國家(D)出廠序號()96.有一電晶體，若電流ICB=50nA時，ICE&A，求IB=2从時之集極電流IC為多少？(A)4mA (B)3.98mA (C)2mA (D)1.98mA()97.電晶體作為開關時，當開關開啟時(OFF),電晶體應操作於(A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區()98.如下圖所示，若電晶體的B值為 100,則使電晶體處於飽和狀態的最小IB約為多少？(A)0.05mA(B)0.5mA (C)5mA (D)500mA()99.某一電晶體電路，當IB由 20 卩 A 變動至 30 卩 A 時，IC由 1mA 變動至 2mA，已知集極飽和電流lc(sat广5mA，求|B為 40 卩 A 時之IC為多少？(A)1mA (B)2mA (C)4mA (D)5mA()100.下列何者不是 NPN 型電晶體的編號？(A)2N3055(B)TIP41(C)CS9013(D)MJ2955()101.若一電晶體的lc 7B 時，則電晶體之工作區為何？(A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)無法判斷()102.下列何種 BJT 電晶體放大電路組態之功率增益最高？(A)共閘極組態(B)共集極組態(C)共基極組態(D)共射極組態()103.利用電晶體作小信號的線性放大器，電晶體必須施加適當的偏壓，使工作點(operating point)落在何區域內？(A)作用區與飽和區交界(B)作用區內(C)截止區內(D)飽和區或截止區均可()104.射極隨耦器(emitter follower)之阻抗特性是(A)輸出阻抗小，輸入阻抗大(B)輸出阻抗大，輸入阻抗小(C)兩者均大(D)兩者均小()105.若 PNP 電晶體操作於主動區(active region)模式下，測得1B=0.02mA，lc= 2.8mA，則下列敘述何者錯誤?(A)IE=2.82mA(B)- 0.985(C)VEVBVC)106.某電晶體工作在主動區(active region)，若其B值為IE=2mA，且忽略逆向電流，則基極電流IB為多少?(A)20 A (B)20.2 A (C)1.98mA (D)2mA)107.具有較大輸入電阻的電晶體電路是(A)共基極組態(B)共射極組態(C)共集極組態)108.下列有關雙極性電晶體的特性參數，何者錯誤？Pa =-(B)1不具電壓放大的電晶體組態是(B)共射極電路(C)共集極電路(D)共陽極電路)110.有關雙極性接面電晶體(BJT，特性之敘述，下列何者有誤？(A)BJT 為電流控制元件(B)NPN 型 BJT 正常工作時，流通之多數載子為電子(C)BJT 用於線性放大時，基射極需接反偏，基集極接順偏(D)不可以兩個頭或尾對接之二極體來代替BJT 元件使用)111.有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者錯誤？(A)集極接面大於射極接面(B)雜質濃度為射極高於集極(C)崩潰電壓為集極接面高於射極接面(D)PNP 型電晶體的射極內，電子為多數載子)112.關於電晶體放大電路的三種基本組態(CE、CB、CC)，下列敘述何者 錯誤？(D) 二14099,射極電流(D)無法比較(A)a值接近 1P =(D)-1)109.具電流放大，(A)共基極電路(C)B值通常在數十以上(A)共基極(CB，電路具有最低的輸入阻抗及最高的輸出阻抗(B)共集極(CC)電路的電壓增益小於並趨近於一(C)共射極(CE)電路具有最高的輸入阻抗及最低的輸出阻抗(D)共基極(CB)電路的電流增益小於並趨近於一(A)輸入信號領先輸出信號之相位為 90(B)輸入信號落後輸出信號之()113.電晶體編號 2SB77A，其中 B 表示(A)PNP 高頻用電晶體(B)NPN 高頻用電晶體(C)PNP 低頻用電晶體 (D)NPN 低頻用電晶體()114.有一共射極放大電路，若基極電流IB=1A時，集極電流ICmA,求基極電流订=5人時之集極電流為多少？(若集極飽和電流1c(sat)二4 mA)(A)1mA (B)2mA (C)4mA (D)5mA()115.下列關於電晶體基本放大電路組態特性的敘述，何者錯誤？(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器(B)共射極組態之輸入與輸出信號相位差 180 度(C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳(D)共射極組態兼具有電流放大與電壓放大的作用(C) 電壓增益依序為CE CB CC(D)功率增益依序為CE CB CC()118.有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得IB1mA，IE=5mA，則此 電晶體的a參數值為多少？(A)0.02(B)0.98(C)9.8(D)50()119.選出三種放大組態正確的輸入阻抗大小順序？(A)CBCECC (B)CBCCCE (C)CECCCB(D) CCCECB()120.對共射極(CE )組態而言，若VBE固定，當VCE增加時，基極電流IB將 會(A)增加(B)減少(C)不變(D)不一定()121.共基極放大電路的輸入信號與輸出信號的相位關係為()116. 一 NPN 型電晶體偏壓於主動區,(A)VBE 0VCEA0 VBCV0(C)VBE0VCE0 VBC0()117.有關電晶體放大電路三種組態(錯誤？則(B)VBE: 0VCE0VBC0(D)VBE0VCE0VBC：0CE、CB、CC)的特性敘述，下列何者(A)輸入阻抗依序為CC CECB(B) 輸出阻抗依序為CB CE CC相位為 90(C)兩者之相位差為 180(D)兩者為同相位()122.有關 NPN 電晶體共射極放大電路之敘述，下列何者錯誤？(A)當固定時VCE，VBE增加，則IB增加(B)當固定時VBE，VCE增加，則1 B增加(C)當固定時VCE，VBE增加，則IC增加(D)當固定時VBE，VCE增加，則IC增加()123. 電晶體放大電路中，電晶體之hfe=99，熱電壓VT=25mV，基極直流電流為 50 卩 A，則電晶體之射極交流電阻r?(A)0.25Q(B)5Q(C)50Q(D)500Q()124. NPN 電晶體若欲工作在作用區(active regio n) 則 U(A)基射接面需順偏，基集接面需順偏(B)基射接面需順偏，基集接面需反偏(C)基射接面需反偏，基集接面需順偏(D)基射接面需反偏，基集接面需反偏()125. NPN 型電晶體的符號為()126.對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗，卻不要求高電流增益的電流而 言(如：電流緩衝器)，最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路？ (A)無射極電阻之共射極放大電路(B)有射極電阻之共射極放大電路(C)共基極放大電路(D)共集極放大電路()127.某一電晶體之?由 0.99 變至 0.995,則值變化為何？(A)49 增至 99(B)60 增至 120(C)75 增至 150(D)99 增至 199()128.在一共射極(com mon emitter)雙極性電晶體(bipolar tran sistor)電路 中，雙極性電晶體電流增益B值為 49，射極(emitter)電流為 5mA，則 其基極電流為：(A)1mA (B)0.1mA(C)10mA(D)1A()129.某電晶體偏壓電路，測得1厂25从、1厂35mA、血NOV，則此電晶體的a值約為多少？(A)0.95(B)0.965(C)0.982(D)0.993()130. 一般大型 BJT 功率電晶體包裝外殼為電晶體的那一極？(A)射極(B)基極(C)集極(D)沒有通用的規範()131.電晶體作為開關用途時，是操作於哪些區？(A)截止區與作用區(B)截止區與飽和區(C)僅於作用區(D)作用區與飽和區()132.若 NPN 電晶體工作於作用區(Active Region)，則射極、基極、集極之 電壓大小關係為何？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE()133.若電晶體工作於截止區，則電壓特性為(A)射極接面順偏，集極接面順偏(B)射極接面順偏，集極接面逆偏(C) 射極接面逆偏，集極接面逆偏(D)射極接面逆偏，集極接面順偏()134.電晶體之射極 E 與集極 C 可否調換使用？(A)可以，毫無影響(B)可以，但增益降低(C)可以，但增益增加(D) 不可以()135.在共射極電晶體電路中，若射極電流為 6.2mA,基極電流為 0.2mA，則 此電路的電流增益為(A)29(B)30(C)31(D)39()136.下列那一種元件包含多數載子及少數載子兩種電流成份？(A)JFET (B)MOSFET (C)電阻(D)BJT()137.某 NPN 電晶體偏壓電路，三端電流分別為IB=20从、IC= 0.98mA、IE=1mA，若電晶體參數：=100，則此 NPN 電晶體工作於何種模式？(A)截止區(B)主動區(C)飽和區(D)反主動區()138.有關三種組態放大電路的比較，下列敘述何者正確？(A)共基極放大電路輸入阻抗最大(B)共集極放大電路輸出阻抗最小(C)共集極放大電路功率增益最大(D)共基極放大電路因米勒效應，高頻影響最差()139.某 NPN 型電晶體操作於線性區，若VCE=10V時，最大額定集極電流Ig =5mA，求VCE=5V時之最大額定集極電流I C(max)為多少?(A)2.5mA (B)5mA (C)7.5mA(D)10mA()140.若定義流入雙極性電晶體各極電流為正值，已知基極、集極上的電流分 別為0.3mA 與 2.1mA，則射極電流為(電晶體為 NPN 型)(A)1.8mA(B)2.4mA(C) -.8mA (D) -.4mA()141.電晶體放大電路之功率增益Ap，電壓增益為 代，電流增益A,三者之關係為Ap二代A，試問下列何種電路之功率增益Ap最高？(A)共基極放大電路(B)共射極放大電路(C)共集極放大電路(D)以上皆是()142.電晶體之基極電流IB由 10 卩 A 增至 110 卩 A 時，集極電流IC由 1mA 增至 6mA，此電晶體之：參數為(A)20(B)60(C)24(D)50()143.若電晶體工作於作用區，則電壓特性為(A)射極接面順偏，集極接面順偏(B)射極接面順偏，集極接面逆偏(C)射極接面逆偏，集極接面逆偏(D)射極接面逆偏，集極接面順偏()144.電晶體之a由 0.95 變至 0.958,則B值由(A)19 增至 23(B)25 增至 46(C)30 增至 58(D)48 增至 72()145.某 PNP 電晶體偏壓電路的三支接腳大小為乂 乂VB，則此卩“卩電晶體操作於何種模式？(A)截止區(B)主動區(C)飽和區(D)反主動區()146.某電晶體電路，已知集極飽和電流Ic(sat2mA，若IE=2.4mA，-=100，求基極電流IB為多少？(A)20 A (B)24 A (C)0.4mA(D)40 A()147.電晶體在數位電路中，主要功能為(A)開關(B)整流(C)放大(D)濾波()148.電晶體電路，在正常情況下若將電晶體當開關，當OFF 狀態時，其工作區域為(A)線性工作區(B)截止區(C)飽和區(D)負電阻區()149.電晶體作為開關時，當開關關閉時(ON),電晶體應操作於(A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區()150.某電晶體電路，其基極電流IB=500从，若電子由射極出發而成功抵達集極的比率為 95%，試求集極電流IC為多少？(A)10.5mA(B)10mA(C)9.5mA (D)9mA()151.如圖所示電路，若VBBWV、VBE=0.7V、VcE(sat0.2V，且B= 50，則此電晶體工作於RBAA/V20k. i()152.下列敘述何者錯誤？(A)BJT 當開關使用時是工作於飽和區 (saturation regior)或截止區(cut offregion)(B)BJT 當放大器使用時是工作於作用區(active region)(C)BJT 在作用區(active region)的偏壓方式是 B-E 接面順向偏壓，B-C 接面逆向偏壓 (D)BJT 在飽和區(saturation regior)的偏壓方式是 B-E 接面逆向偏壓，B-C 接面逆向偏壓()153.若 PNP 電晶體工作於主動區(active region)，則此 PNP 電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE()154.有一電晶體，給予適當偏壓後，測得1厂.1mA、1厂1.01mA，則該電晶體的a、B參數為(A)a= 0.95、B= 99(B)a= 0.99、B= 1(C)a= 0.95、B= .5(D)a= 0.95、B= 95()155.電晶體射極電流IE=5mA，基極電流IB=100从，若口 = 0.99 則此電晶體工作於(A)主動區(B)截止區(C)飽和區(D)反主動區()156.有關共集極放大器之特性，下列何者錯誤？(A)很高的電流增益(B)又稱射極隨耦器(C)電壓增益略小於 1(D)輸出阻抗很高(A)作用區(主動區)動區)(B)飽和區(C)截止區(D)反轉區(反主Vcc=10V1kj()157.電晶體的共射極電流增益為B,共基極電流增益為a,則a值與B值之關係應為1=）158.某 PNP 電晶體電路，電晶體各點電壓分別為 二9.8VVEV，則此電晶體工作區域為何？（A）主動區（B）截止區（C）飽和區（D）反主動區（）159.電晶體有三種放大電路型式，對於共集極放大電路的特性，下列何者錯 誤？（A）輸入阻抗最高（B）輸出阻抗最低（C）電流增益最大（D）電壓增益最大（）160. BJT 電晶體作為放大器使用時，工作於（A）作用區（B）飽和區（C）截止區（D）任一區均可（）161.下列關於 BJT 的敘述，何者錯誤？（A）對 NPN 而言，在線性區工作時，IEBTc （B）對 PNP 而言，在飽和區工作時，IE*IBIC（C）對共基極（CB）組態而言，電晶體操作於截止區時，ICCB。（D）對共射極（CE）組態而言，電晶體操作於線性區時，IC=IBICEO（）162.關於雙極性接面電晶體的共基極偏壓組態的特性，下列敘述何者錯誤？ （A）輸入信號與輸出信號同相位（B）輸入阻抗低，輸出阻抗高（C）電壓增益大，電流增益約等於 1（D）適合用於低頻電路中作阻抗匹配（）163.功率電晶體的集極與外殼通常接在一起，其主要目的是（A）較易辨認集極接腳（B）製造方便（C）可增加電流（D）散熱考慮（）164.電晶體共射集（CE）， 共基（CB），共集極（CC）三種放大電路特性 比較，下列敘述何者錯誤？（A）輸入阻抗以 CC 電路最高（B）輸入阻抗以 CB 電路最低（C）功率增益以 CB 最高 （D）CC 之電壓增益比 1 小,接近於 1（）165.在雙載子接面電晶體（BJT）放大器中，具有最大電壓增益與電流增益 乘積的是何種組態？（A）共基極放大器（B）共射極放大器（C）共集極放大器（D）共汲極放大器（）166.已知某電晶體之共射極（CE）電流增益由 99 變為 49,若此電晶體基極 電流P =亠(A)1-: J -：(B)P= (C)1-P(D)VB二9.2V1=IB=20从，請問下列敘述何者正確？(A)共基極(CB)電流增益a將由 100 變為 50(B)共集極(CC)電流增益 將由 0.99 變為 0.98 (C)集極電流由 1.98mA 變為 0.99mA (D) 射極電流由2mA 變為 1mA()167.下列關於 BJT 電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者錯誤？(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同(B)電壓增益略小於 1(C)電流增益低於 1(D)輸入阻抗甚高()168. NPN 型電晶體若操作於飽和區時，則下列各極電壓之大小何者正確？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE()169.電晶體接成共射極組態時，若IB=6从，* = 6.06mA，則電晶體之直流增益c為何值？(A)100(B)10(C)50(D)6()170.若一電晶體之IcB。=50nA，其心。0 3，試求此電晶體之值為(A)59(B)79(C)99(D)199()171. PNP 型電晶體若操作於主動區時，則下列各極電壓之大小何者正確？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE)172.某電晶體工作在主動區(active region)，若其卩值為 120,集極電流Ic =2.4mA，求射極電流IE為多少?(A)2.4mA(B)2.42mA(C)0.02mA(D)2.38mA)173.下列關於 BJT 的敘述，何者錯誤？(C)B為共射極放大器的電流增益)174.下列敘述何者正確？(A)共射極電路常用於高頻振盪電路器(C)共集極電路常用作電壓隨耦路放大器)175.某 NPN 型電晶體操作於線性區，若VCE=20V時之最大額定集極電流i=i + i(A)對 NPN BJT 而言，IE-IBici=i + i(B) 對 PNP BJT 而言，IE-IBIc(D)a為共集極放大器的電流增益(B)共射極電路常用作阻抗匹配(D)共基極電路適合作電流Ic(max) =10mA，求VCE=5V時之最大額定集極電流Ic(max)為多少?(A)2.5mA (B)5mA (C)20mA(D)40mA)176.電晶體在數位電路中的用途是作為(A)放大(B)振盪(C)開關(D)整流)177.有一電晶體偏壓電路，操作於線性區，測得IC.95mA,IE=5mA，則此電晶體參數，下列何者錯誤？(A)1B=0.05mA(B)= 0.98(C) - =99(D)=100)178.電晶體加入載子濃度的大小為(A)BCE (B)ECB (C)CEB (D)EBC )179.電晶體被用作線性增量放大時，主要是工作在(A)工作區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區)180.電晶體編號 2SC1815 中的 S 表示(A)小型，small (B)快速，speed (C)柔軟，soft(D)半導體，semic on ductor)181.關於電晶體三種基本放大電路組態的特性比較，下列何者是錯誤的？(A)電流增益最大的是共基極(CB)(B)電壓增益最小的是共集極(CC)(C)功率增益最大的是共射極(CE)(D)輸入阻抗最大的是共集極(CC)182. 一 PNP 電晶體工作在作用區時，下列敘述何者正確？(A)基極電壓大於射極電壓(B)集極電壓大於基極電壓(C)射極電壓大於集極電壓(D)集極電壓等於射極電壓)183.下列電晶體放大器中，具有最低輸出阻抗的為何者？(A)共集極放大器(B)共射極放大器(C)共基極放大器(D)多級共射極放大器)184.電晶體 2SC536 表示(A)NPN 高頻用(B)PNP 高頻用(C)PNP 低頻用用)185.電晶體a與B的關係，下列何者不正確？(C)開關(D)NPN 低頻1 11 a P(A)186.在雙極性電晶體的三種組態放大器中，電壓增益及電流增益最大者分別為(A)CB，CC (B)CE，CC (C)CC，CB (D)CB，CEP a(B)(1八)(C)(D)丄=1丄1:)187.某 NPN 型電晶體之最大額定功率弘厂30，操作於線性區，若VCEov，則其最大額定集極電流Ic(max)為多少？(A)1.0mA(B)1.5mA (C)3mA (D)4.5mA()188 .在日規半導體中，2SA 開頭之元件為(A)PNP 電晶體(B)NPN 電晶體(C)二極體(D)UJT()189. 一 NPN 電晶體共射極放大器，若IB=0.05mA,IE=5.05mA，則其p值為多少？(A)98(B)99(C)100(D)101()190.逆向飽和電流與ICEO的ICBO關係，下列何者正確？(A)截止區(B)作用區(C)飽和區(D)歐姆區()195.有關雙極性電晶體之電流成份敘述，下列何者錯誤？(A)IE= IB Ic(B)IEICIB(C)IC大小與外加偏壓有關(D)IC電流成份是由多數載子流及少數載子流所組成()196.下列何者編號表示高頻用之 NPN 型電晶體？(A)2SA684(B)2SB507(C)2SC536(D)2SD303()197.功率電晶體的集極與外殼間，通常接在一起，其最主要目的是(A)美觀大方(B)製造上較方便(C)易於辨識接腳(D)散熱(A)1CEO二-1CBO(B)1CBO二)CEO(C)1CBO二:1CEO(D)1CBO-Y)l CEO()191.如下圖所示之共射極放大器及輸出特性曲線，若B=100,VBE=.7V，求最大集極電流lc(max)為多少？(A)2mA(B)3mAVcc=20.7ViRB,Re*28500 1MQ*B=100匚+VCERE圖(a)()192.共集極放大電路又稱為(A)基極隨耦器(B)射極隨耦器(C)集極隨耦器(D)源極隨耦器()193.下列有關電晶體的敘述，何者有誤？(A)射極摻雜濃度最高(B)集極面積最大(C)基極寬度最低(D)集極與射極可對調使用()194.共射極組態之雙極性接面電晶體開關在開路時，電晶體工作區域為何？.(mA)()198.下列編號，何者不是電晶體？(A)CS9014(B)2N2222(C)CS9013(D)1N4001()199.若 NPN 電晶體操作於工作區(active region)模式下，則此 NPN 電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何？(A)VEVBVC(B)VBVCVE(C)VCVEVB(D)VCVBVE()200.當電晶體之 BE 接面順向偏壓，BC 接面逆向偏壓時，則此電晶體之工 作方式在(A)作用區(B)飽和區(C)截止區(D)反轉區()201.有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得丨厂.05mA、IE=5mA，則此電晶體的a參數值為多少？(A)0.01(B)0.99(C)9.9(D)100()202.共射極放大器的電流增益為1：(A) -(B)(C)(D)1()203.假設有一電晶體，偏壓於工作區後，測得I0.01mA,IE=1.01mA則該電晶體的-、：參數為aPaPaP(A) - =0.95、=0.05(B) 一 =0.99、=100(C) 一=0.95、=99aP(D) 一 =0.95、 =95()204.如圖所示，若電晶體的B值為 100,輸入電壓Vi =5V，則使電晶體處於飽和狀態的最大RB約為多少?(A)5kQ(B)10kQ(C)50kQ(D)100kQ()205.假設不考慮漏電流的情形，有關電晶體之敘述，下列何者正確?na(A)1:0( _侣)lc=1EIB(C)一1(D)IE十1)IB()206.某電晶體之B值為 99,則其a值應為(A)0.98(B)0.985(C)0.99(D)0.995()207對電晶體而言，下列公式何者為正確？()208.某一電晶體偏壓電路設計工作於主動區(active region),使用直流電流表測得IB及IC電流如下表，求IB時之集極電流IC及電晶體集極 飽和電流lc(sat)分別為多少？(A)80，2mA (B)100，2mA (C)80，2.4mA(D)100，2.4mAIB10A20 A30 A401C1mA2mA2.4mA2.4mA()209.某一電晶體之基極電流由 10 卩 A 改變為 20 卩 A 時,射極電流由 1mA 改變為 2mA，則此電晶體之值為多少？(A)0.01(B)0.99(C)99(D)100()210.如下圖所示電路，VBE=0.7V，VcEat)= 0.2V，電晶體要工作於飽和B區，則 最小值為何?(A)4.7(B)8(C)11(D)2020V(A)IC=IEIB(B)IB= lc|E(C)IC=IE(D)IECIBo10k.47910V()211.當電晶體作為開關作用並處於 ON 狀態時，相當電晶體操作於何種區 域？(A)截止區(B)飽和區(C)主動區(D)反主動區()212.關於雙極性接面電晶體基本放大電路組態的特性比較，下列敘述何者錯 誤？(A)電壓增益最大的是共基極組態(B)電流增益最大的是共集極組態(C) 輸入阻抗最大的是共射極組態(D)輸出阻抗最大的是共基極組態()213.有一電晶體，若a值由 0.985 增加至 0.99,則B值的變化率為何？(A)0.5%(B)5%(C)50%(D)100%()214. NPN 型電晶體操作於飽和區，若* 00从，IC=2mA，則下列敘述 何者正確？(A)電流增益B=20(B)電流增益a=0.95(C)射極電流I2.1mA(D) 三支接腳電壓關係為VCVBVE()215.已知某電晶體之共基極(CB)電流增益a由 0.99 變為 0.98,若此電晶體基極電流I002mA，請問下列敘述何者錯誤？(A)共射極(CE)電流增益B將會增加(B)射極電流由 2mA 降為 1mA(C) 集極電流由 1.98mA 降為 0.98mA(D)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流()216.如下圖所示電路，此為(A)共射極放大電路(B)共基極放大電路(C)共集極放大電路(D) 集極隨耦器VCC問答題 共21題（共0分）1.如圖所示電路，若電晶體作為開關使用，為了使電晶體操作於飽和區，其最大之電阻RB為多少?12VRBVi= 47V:=100VBE=0.7V2.若一電晶體工作於作用區，且B= 99,在不考慮漏電流的情形下，其集極電 流lc=2.97皿，若此電晶體為共集極組態，且考慮其漏電流IcB。=50nA，試求電晶體之射極電流IE為多少？3.如圖所示電路，若為了使電晶體操作於飽和區，試求其最小之B值為多少?4.若一電晶體工作於作用區，且B= 99,在不考慮漏電流的情形下，其集極電 流lc=2.97 mA，試求電晶體之射極電流IE為多少？5.某電晶體工作於主動區，其基極電流|B=.5mA，集極電流I4-95mA試求此電晶體之射極電流IE與a值的大小為多少？6.如下圖所示電路，試求：(1) 當輸入電壓VBB=V時，電壓VCE為多少？(2) 電晶體的集極飽和電流lc(sat)為多少？使電晶體飽和的最小基極電流1 B(min)為多少？7.有一電晶體的B參數值為 5，試求此電晶體的a參數值為多少？8.電晶體的電流放大公式為：lIB(V：)ICBO，其中ICBO為漏電流。今有 一電晶體，其漏電流ICBO=10nA,若基極電流IB=.1mA,a= 0.99,試求集極 電流IC之值為多少？Vi=5.7V - YA250 k.1VBE=0.7V10V9.某電晶體工作於主動區，在固定VCB電壓的情況下，若射極電流IE由 2mA 改變為2.2mA,且電晶體的-ac值為 0.95 試求此電晶體之集極電流IC將由 1.9mA 改變為多少？10. 某電晶體工作於主動區，其a值為 0.98,射極電流IE= 5mA，若於室溫 20下之ICBO=10nA，試求溫度上升至 60時之集極電流IC為多少？11. 如下圖所示電路，試求：（1）若VBB=5V，則使電晶體飽和之RB最大值為多少？（設VBE=.7V）若RB=68心，則使電晶體飽和之VBB最小值為多少？（設VBE=0.7V）12. 某電晶體工作於主動區，在固定VCB電壓的情況下，若射極電流IE由 5mA 改變為5.25mA,且集極電流IC由 4.8mA 改變為 5.04mA,試求此電晶體之ac值 為多少？13. 有一電晶體的a參數值為 0.99,試求此電晶體的B參數值為多少？P口 =1 + P14. 根據a、B參數的定義，試證明關係式：115. 在共射極組態的電路中，若電晶體工作於主動區，其基極電流IB為 20 卩 A ,B值為 199 且逆向飽和電流ICBO為 50nA,試求逆向飽和電流ICEO與集極電流IC為多少？16. 某電晶體工作於主動區，其a值為 0.98 射極電流I5mA，則集極電流IC為多少？若考慮其逆向飽和電流ICBO =100nA，則集極電流Ic又為多少？17. 某電晶體工作於主動區，若射極電流IE=3mA，基極電流I0-06mA，試 求此電晶體之a、B值為多少？P =丄18. 根據a、B參數的定義，試證明關係式：1 _-19. 有一電晶體其a參數為 0.98，射極電流IE=2mA，若不考慮電晶體逆向飽 和電流，試求電晶體之IB、B及 值為多少？20. 有一電晶體，若其電流1 CB4
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