汽车电子技术基础 教案1

课程教案首页No. 1授课题目二极管的结构、分类及其特性教学单元学 时4 211 110,即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当0VVth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，错二极管的死区电压Vth=O. 1 V左右。(2) 反向特性当VVO时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBRV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当VNVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。2. 二极管的主要参数半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：(1) 最大整流电流IF二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。(2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM 一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。(3) 反向电流IR在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；错二极管在微安(闵)级。(4) 正向压降VF在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0. 6-0. 8 V；错二极管约0.2-0. 3 Vo3. 稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图所示。(a)符号(b)伏安特性(c)应用电路稳压二极管的伏安特性稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。10分钟步骤三:用师生共同回顾的方式进行总结1. 为什么采用半导体材料制作电子器件？2. 空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？3. 什么是N型半导体？什么是P型半导体？ PN结是怎样形成的？4. PN结为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗?