半导体激光器工作原理及主要参数

半导体激光器工作原理及主要参数OFweek激光网讯:半导体激光器阿彳。光：极管（LD, Laser Diode）,是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类也比即常用材料有珅化钗（GaAs）、硫化镉（CdS）、 磷化锢（InP）、硫化锌（ZnS） o激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。 半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光 器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在 于体枳小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在 激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光通达、自动控制、检测 仪器等领域得到了广泛的应用。半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带） 之间，或苕半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡我流子的粒子数 反转，当处于粒子数反转状态的大最电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器 的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器 一般是由GaAS （神化钗）、InAS （碎化锹I）、Insb （睇化钢）等材料制成的半导体面结型 二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体 激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外 部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单品（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs 二极管半导体激光器。半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带, 导带上面可以让电子自由运动，而价带卜面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条 禁带，当电子吸收了光的能最从价带跳跃到号带中去时就把光的能软变成了电，而带有电能 的电子从导带跳回价带，又可以把电的能最变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件 的工作波长。小功率半导体激光器（信息型激光器），主要用于信息技术领域，例如用于光纤通信及 光交换系统的分布反馈和动态单模激光器（DFB-LD）、窄线宽可调谐激光器、用于光盘等 信息处理领域的可见光波长激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm） 这些 器件的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。大功率半导体激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、 生物医疗等领域。半导体激光器主要参数：波长 nm：激光器工作波长，例如 405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm 780nm、810nm、860nm 980nm阈值电流Ith：激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数 十亳安。工作电流lop：激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱 动电路较重要。垂克发散角8，：激光二极管的发光带在与PN结垂立方向张开的角度,一般在15。40。 左右。水平发散角。：激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6。 10。 左右。监控电流Im ：激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。半导体激光器主要向两个方向发展：一类是以传递信息为主的信息型激光器：另一类是 以提高光功率为主的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光 器取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外T瓦级的高功率半 导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W。未来，半导体激光器的发展趋势 主要在高速宽激光器、大功率激光器、短波长激光器、中红外激光器等方面。