第4章练习题课件

上页,下页,返回,模拟电子技术基础,1、,晶体管能够放大的内部条件是()。,A、,两个背靠背的PN结,B、空穴和电子都参与了导电,C、有三个掺杂浓度不一样的区域,D、发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大,D,练习题,2、,晶体管能够放大的外部条件是()。,A、,发射结正偏，集电结正偏,B、,发射结正偏，集电结反偏,C、,发射结反偏，集电结正,D、,发射结反偏，集电结反偏,B,3、,测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA，则该管的,为()。,A、,60,B、,61,C、,100,D、50,A,5、只用万用表判别晶体管的三个电极，最先判别出的应是()。,A、基极,B、发射极,C、集电极,D、发射极或集电极,A,6、当晶体管的集电极电流IcIcm时，下列说法正确的是()。,A、晶体管一定被烧毁,B、晶体管的PcPcM,C、晶体管的,一定减小,D、晶体管的一定增大,C,7、某放大电路中，晶体管各电极对地的电位如下图所示由此可判断该晶体管为()。,A、NPN型硅管,B、NPN型锗管,C、PNP型硅管,D、PNP型锗管,D,8、,某晶体管各电极相对于“地”的电压如图所示，由此可判断该晶体管()。,A、处于放大状态,B、处于饱和状态,C、处于截止状态,D、已损坏,D,10、晶体管的参数受温度影响较大当温度升高时，晶体管的,、I,CBO、,U,BE,的变化情况为()。,A、,增加、I,CBO,和U,BE,减小,B、,和I,CBO,增加，U,BE,减小,C、,和U,BE,减小，I,CBO,增加,D、,、U,BE,和I,CBO,都增加,B,